基于Parity-Time对称结构极点效应构建光学三极管模型

为了构建光学三极管模型,设计了一个基于半导体磁性材料InSb的PT(parity-time)对称耦合微腔的结构模型。通过结构参数优化,产生了PT对称结构磁场强耦合的极点效应。在极点频率附近,通过改变输入电流信号改变施加在磁性材料上的磁感应强度,实现极点状态下信号的放大输出。这种放大可以是同相,也可以是反相,该设计实现了特殊光学三极管模型。     

一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管

异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。     

自猝灭流光雪崩机制

本文通过对大量SQS实验现象的分析研究,提出SQS的成因是原初饱和雪崩的空间电荷造成阳极丝附近电场的畸变.根据这一假设,对SQS过程做了定量的计算,给出各种不同条件下,计数管输出电荷量与所加高压的关系曲线.计算了SQS转变电压、转变点原初雪崩的电荷量和SQS雪崩的电荷量与气体组分的关系.计算结果和实验结果令人满意地符合.     

从电子器件的换代来看计算机的发展

 电子计算机的诞生与发展,极大地推进了现代科学技术的发展。从第一台计算机诞生到今天,计算机已经历了四代,而四代机的划分是以电子器件的换代为主体特征。电子管的发明和第一代电子管数字计算机（1946～1958年）1883年,美国发明家爱迪生（T.A.Edison,1847～1931）发现了热的灯丝发射电荷的现象,并被称之为“爱迪生效应”。1889年,英国著名物理学家汤姆孙（J.J.Thomson,1856～1940）解释了这种现象,并把带电的粒子称为“电子”,同年,英国伦敦大学电工学教授弗莱明（S.J.A.Fleming,1849～1945）开始认真研究爱迪生效应,并且于1904年研制出检测电波用的     

TiO2∶Mo体系的光子雪崩上转换

在 978nm激光二极管的激发下 ,Mo掺杂的TiO2 材料表现出很强的宽带上转换发光 ,该发光来源于 [MoO4]2 - 基团的激发态3T1 ,3T2 能级到基态1 A1 能级的电子跃迁 .通过研究发光强度与抽运功率的关系及上转换发光的上升时间曲线 ,发现TiO2 ∶Mo体系的上转换发光中存在着雪崩机制 ,应用转换函数理论分析了光子雪崩的产生条件和主要特征 ,理论结果和实验数据很好地符合     

全固态模块化MARX电路及脉冲同步叠加设计

选用雪崩三极管作为开关器件,详细讨论了设计和优化Marx电路的方法;将Marx电路进行模块化改进,设计了一种新型四路同步叠加立体结构,并得出了叠加倍数与模块数量的理论关系式。最终,利用+300V直流电源供电,通过四路输出幅值为-2.6kV的Marx模块叠加,在50Ω阻性负载上得到了幅值-5.0kV、半高脉宽5.3ns、脉冲能量约2.0mJ的高斯型脉冲,时延抖动小于100ps,重复频率达10kHz,叠加效率达96.2%。调节直流偏置电压为200~300V,并配合模块数量的增减,可调节脉冲幅值为1.6~5.0kV。     

基于Tracker的雪崩现象演示实验

为了对雪崩现象进行实验演示,利用示波器、信号放大器、扬声器和Tracker软件,搭建了声波诱导崩塌的实验装置．利用该装置测量并计算了在不同频率声波诱导下,5种石英砂堆的静止角、稳定角和崩塌角,获得了其崩塌峰值频率与颗粒粒径的关系．     

测三极管特性的改进电路

指出了电子线路基础实验教材中所给出的测三极管特性的电路所存在的问题,提出了合理的电路.     

CsI(Tl)晶体探测器APD读出的温度效应

对中国科学院近代物理研究所自行生长的铊激活碘化铯闪烁晶体CsI(Tl)光输出及Hamamtsu公司生产的S8664-1010型雪崩光二极管(APD)增益对温度的依赖关系做了系统研究. 结果表明, CsI(Tl)晶体光产额在室温范围内随着温度的增加而增加, 在－2℃—8℃温度范围内的平均温度系数为0.67%/℃, 在8℃—25℃温度范围内的平均温度系数为0.33%/℃. 而对所使用的APD, 其增益在室温范围内的温度系数为－3.68%℃(工作电压400V). APD结合CsI(Tl)晶体在室温下对¹³⁷Cs的662keV γ射线的能量分辨可达5.1%.     

A Base-Emitter Self-Aligned Multi-Finger Sil-xGex/Si Power Heterojunction Bipolar Transistor

With a crystal orientation dependent on the etch rate of Si in KOH-based solution, a base-emitter self-Migned large-area multi-finger configuration power SiGe heterojunction bipolar transistor （HBT） device （with an emitter area of about 880μm^2） is fabricated with 2μm double-mesa technology. The maximum dc current gain is 226.1. The collector-emitter junction breakdown voltage BVcEo is 10 V and the collector-base junction breakdown voltage BVcBo is 16 V with collector doping concentration of 1 × 10^17 cm^-3 and thickness of 400nm. The device exhibited a maximum oscillation frequency fmax of 35.5 GHz and a cut-off frequency fT of 24.9 GHz at a dc bias point of Ic = 70 mA and the voltage between collector and emitter is VCE = 3 V. Load pull measurements in class-A operation of the SiGe HBT are performed at 1.9 GHz with input power ranging from OdBm to 21 dBm. A maximum output power of 29.9dBm （about 977mW） is obtained at an input power of 18.SdBm with a gain of 11.47dB. Compared to a non-self-aligned SiGe HBT with the same heterostructure and process, fmax and fT are improved by about 83.9% and 38.3%, respectively.