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1.
2.
3.
在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。 相似文献
4.
椭圆法用于阳极溶出伏安法测定微量银 总被引:6,自引:1,他引:6
用新物理量Vop的椭圆法对阳极溶出伏安法分析的含银离子浓度为10^5-10^-9mol/L的一系列溶液进行了研究。结果表明:光学方法与电化学方法所得分析结果相同;椭圆法可检测的浓度下限比电化学方法低一个数量级以上。而且测量的相对平均偏差也小于电化学方法。 相似文献
5.
流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法用于多元素重叠峰的分… 总被引:1,自引:0,他引:1
本文用流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法在盐酸介质中富集,而以碳酸钠-碳酸氢钠缓冲溶液为溶出介质,有效地分离了酸性介质中Cu(Ⅱ)、Sb(Ⅲ)、Pb(Ⅱ)、Tl(Ⅰ)、Cd(Ⅱ)、In(Ⅲ)的重叠溶出峰,实现了多离子的同时测定。 相似文献
6.
用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4.5mol·L-1H2SO4溶液(22℃)中,以0.9V(vs.Hg/Hg2SO4)极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质,合金添加剂砷、锑和铋对t-PbO(四方氧化铝)和o-PbO(斜方氧化铝)的禁带宽度没有影响,从量子效率和电位的关系可求Pb,Pb-lat%As(at%表示原子百分比,全文同),Pb-lat%Sb和Sb-lat%Bi上膜中t-Pbo的施主密度(ND)分别为9.3×1015,1.0×1016,3.1×1016和1.3×1017cm-3,平带位分别为-0.20,-0.22,-0.28和-0.08V(vs.Hg/Hg2SO4).比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t-Pbo的ND(从而自由电子密度)和膜中t-Pbo的生长速率的影响,可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则. 相似文献
7.
Ni-SDC固体氧化物燃料电池阳极的合成和性质 总被引:4,自引:0,他引:4
采用柠檬酸-硝酸盐溶胶-凝胶低温自蔓延燃烧法制备氧化镍(NiO)粉末和Ce0.8Sm0.2O1.9(SDC)粉末,并将NiO与SDC按不同质量比和不同制备工艺制备了固体氧化物燃料电池(SOFC)的阳极前身。再用自组装的还原装置将其在820℃经2.5h还原后,采用四端子法测量其电导率值。分析了阳极片电导率与阳极片微结构、Ni的质量百分数、混合研磨时间及烧结温度之间的关系。结果显示,阳极片的电导率强烈依赖于镍含量和制备工艺。 相似文献
8.
关于Co(Ⅱ)离子对PbO2和Pt电极上阳极析氧过程的催化作用,以及Ag(Ⅰ)离子对阳极氧化过程的催化作用,文献上已早有报导[1-4],但大都是仅通过总的极化曲线进行对比研究得出的结果.由于在氧析出的同时往往有其它阳极氧化过程同时进行(例如,Co(Ⅱ)或Ag(Ⅰ)的阳极氧化),因此,很难从总的极化曲线得出正确的结论.本文用气体电量计法直接测量氧析出速度,并对Pt和PbO2电极进行了对比,得出了一些新的结果.1实验方法为了直接测量氧析出过程的分电流,实验时串联了一专收集O2的气体库仑计.电解槽和库仑计阳极均安装在各自… 相似文献
9.
用碳糊电极阳极溶出法测定桑色素的含量。在0.15mol·L-1NH4Cl 氨水缓冲溶液的介质中富集120s,桑色素在+0.10V(vs.SCE)左右出现阳极溶出峰。其峰电流的大小与桑色素的浓度呈线性关系。线性范围为4.00×10-6~1.40×10-5mol·L-1,相关系数为0.9996,检出限可达1.00×10-6mol·L-1,回收率为99.87%~102.01%。此法不用汞电极,灵敏度高,操作方便、快捷,成功地用于甘草提取物中桑色素的测定。 相似文献
10.
盐酸氨溴索在碳糊电极上阳极伏安法的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
在0.5 mol/L H2SO4底液中,用碳糊电极阳极伏安法测定盐酸氨溴索,被测的阳极峰电位为1.10V(vs.SCE),另外,在0.46V处还产生一对可逆的氧化还原峰。1.10 V处的峰电流与盐酸氨溴索的浓度在3.98×10~(-7)~6.34 × 10~(-5)mol/L范围内呈良好的线性关系,该方法的检出下限为3.0 × 10~(-8)mol/L。用标准加入法测得回收率范围为92.8%~102%,RSD为2.9%(n=10)。对电极响应机理进行了初步探讨,氨溴索在1.10 V处的氧化为不可逆过程,其氧化产物在0.460V处产生一对2电子2质子受扩散控制的可逆波,用该波也可进行定量测定并且干扰较少,但灵敏度略低。 相似文献