二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜

通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比 ,结果发现 ,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜 .在几个微米范围内 ,孔呈理想的六角排布 .去除一次阳极氧化膜后 ,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行 ,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高 .有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系     

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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。     

椭圆法用于阳极溶出伏安法测定微量银

用新物理量Ｖｏｐ的椭圆法对阳极溶出伏安法分析的含银离子浓度为１０＾５－１０＾－９ｍｏｌ／Ｌ的一系列溶液进行了研究。结果表明：光学方法与电化学方法所得分析结果相同；椭圆法可检测的浓度下限比电化学方法低一个数量级以上。而且测量的相对平均偏差也小于电化学方法。     

流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法用于多元素重叠峰的分…

本文用流通池介质交换差示脉冲阳极溶出伏安法在盐酸介质中富集，而以碳酸钠－碳酸氢钠缓冲溶液为溶出介质，有效地分离了酸性介质中Ｃｕ（Ⅱ）、Ｓｂ（Ⅲ）、Ｐｂ（Ⅱ）、Ｔｌ（Ⅰ）、Ｃｄ（Ⅱ）、Ｉｎ（Ⅲ）的重叠溶出峰，实现了多离子的同时测定。     

VA族元素对阳极铅(Ⅱ)氧化物膜半导体性质的影响(Ⅱ)

用光电化学电流法研究了铅、铅砷、铅锑和铅铋合金在4．5mol·L－1H2SO4溶液（22℃）中，以0．9V（vs．Hg／Hg2SO4）极化7h而形成的阳极膜中的氧化铅的半导体性质，合金添加剂砷、锑和铋对t－PbO（四方氧化铝）和o-PbO（斜方氧化铝）的禁带宽度没有影响，从量子效率和电位的关系可求Pb，Pb－lat％As（at％表示原子百分比，全文同），Pb-lat％Sb和Sb－lat％Bi上膜中t－Pbo的施主密度（ND）分别为9．3×1015，1．0×1016，3．1×1016和1．3×1017cm-3，平带位分别为-0．20，－0．22，－0．28和-0．08V（vs．Hg／Hg2SO4）．比较VA元素砷、锑和铋对上述膜中t－Pbo的ND（从而自由电子密度）和膜中t－Pbo的生长速率的影响，可认为法添加剂砷、锑和铋对阳极膜中t-Pbo的作用符合Hauffe规则．     

Ni-SDC固体氧化物燃料电池阳极的合成和性质

采用柠檬酸-硝酸盐溶胶-凝胶低温自蔓延燃烧法制备氧化镍（NiO）粉末和Ce0.8Sm0.2O1.9（SDC）粉末，并将NiO与SDC按不同质量比和不同制备工艺制备了固体氧化物燃料电池（SOFC）的阳极前身。再用自组装的还原装置将其在820℃经2．5h还原后，采用四端子法测量其电导率值。分析了阳极片电导率与阳极片微结构、Ni的质量百分数、混合研磨时间及烧结温度之间的关系。结果显示，阳极片的电导率强烈依赖于镍含量和制备工艺。     

Ag(Ⅰ)与Co(Ⅱ)离子对阳极析氧过程的电催化作用

关于Co（Ⅱ）离子对PbO2和Pt电极上阳极析氧过程的催化作用，以及Ag（Ⅰ）离子对阳极氧化过程的催化作用，文献上已早有报导［1－4］，但大都是仅通过总的极化曲线进行对比研究得出的结果．由于在氧析出的同时往往有其它阳极氧化过程同时进行（例如，Co（Ⅱ）或Ag（Ⅰ）的阳极氧化），因此，很难从总的极化曲线得出正确的结论．本文用气体电量计法直接测量氧析出速度，并对Pt和PbO2电极进行了对比，得出了一些新的结果．1实验方法为了直接测量氧析出过程的分电流，实验时串联了一专收集O2的气体库仑计．电解槽和库仑计阳极均安装在各自…     

碳糊电极阳极溶出法测定中药甘草中桑色素

用碳糊电极阳极溶出法测定桑色素的含量。在0.15mol·L-1NH4Cl 氨水缓冲溶液的介质中富集120s,桑色素在+0.10V(vs.SCE)左右出现阳极溶出峰。其峰电流的大小与桑色素的浓度呈线性关系。线性范围为4.00×10-6～1.40×10-5mol·L-1,相关系数为0.9996,检出限可达1.00×10-6mol·L-1,回收率为99.87%～102.01%。此法不用汞电极,灵敏度高,操作方便、快捷,成功地用于甘草提取物中桑色素的测定。     

盐酸氨溴索在碳糊电极上阳极伏安法的研究

在０．５ ｍｏｌ／Ｌ Ｈ２ＳＯ４底液中，用碳糊电极阳极伏安法测定盐酸氨溴索，被测的阳极峰电位为１．１０Ｖ（ｖｓ．ＳＣＥ），另外，在０．４６Ｖ处还产生一对可逆的氧化还原峰。１．１０ Ｖ处的峰电流与盐酸氨溴索的浓度在３．９８×１０~（－７）～６．３４ × １０~（－５）ｍｏｌ／Ｌ范围内呈良好的线性关系，该方法的检出下限为３．０ × １０~（－８）ｍｏｌ／Ｌ。用标准加入法测得回收率范围为９２．８％～１０２％，ＲＳＤ为２．９％（ｎ＝１０）。对电极响应机理进行了初步探讨，氨溴索在１．１０ Ｖ处的氧化为不可逆过程，其氧化产物在０．４６０Ｖ处产生一对２电子２质子受扩散控制的可逆波，用该波也可进行定量测定并且干扰较少，但灵敏度略低。