聚丙烯孔洞铁电驻极体膜的电极化及其电荷动态特性

根据栅控恒压电晕充电组合反极性电晕补偿充电法的实验结果计算出铁电驻极体的极化强度.结果说明，伴随着薄膜内孔洞气体的Paschen击穿，该铁电体的极化强度随栅压增加而显著上升.利用上述充电方法和热刺激放电(TSD)谱的分析讨论了这类空间电荷型宏观电偶极子，及与其补偿的空间电荷热退极化的电荷动态特性；阐明了这两类俘获电荷的能阱分布，即构成宏观电偶极子的位于孔洞上下介质层内的等值异号空间电荷分别被俘获在深、浅两种能值陷阱内，而位于薄膜表面层的注入空间电荷则被俘获在中等能值陷阱中. 关键词： 反极性电晕补偿充电法 铁电驻极体 充电电流 热刺激放电     

Ba(Zr0.3Ti0.7)O3 铁电薄膜的制备

介绍了用溶胶-凝胶法(sol-gel)在Pt/Ti/SiO2/Si衬底和石英衬底上制备Ba(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜的基本原理、工艺过程及工艺特点;Sol-gel制备的Ba(Zr0.3Ti0.7)O3铁电薄膜表面平整、厚度均匀.     

Nd掺杂的Bi4Ti3O12变温X射线衍射分析

利用变温X射线衍射技术，在预烧过程中分析了Nd掺杂Bi4Ti3O12后生成Bi3.15Nd0.85Ti3O12（BNT）相的形成过程以及微结构的变化．实验观察到以30℃／min的升温速率，BNT相在700℃时开始形成，其衍射峰强度随温度的继续升高而增强，衍射峰半高宽随烧结时间延长而减小．X射线衍射分析结果表明，在900℃恒温条件下，烧结约2h，可形成单一的BNT相．     

铁电体表面效应的唯象理论及其与横场Ising模型的关系

分析了铁电体横场Ising模型与Landau唯象理论的关系,得出了有表面的铁电体的Landau自由能表达式,指出原有的表达式中面积分部分仅含与极化平方成正比的项只在特殊情况下成立,一般情况下还应包含与极化四次方成正比的项.利用所得出的自由能表达式,计算了铁电薄膜自发极化和Curie温度与厚度的关系,使原先用唯象理论不能理解的一些实验现象得到了解释     

4(4''''-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类的合成

随着发现和发明液晶显示的各种原理和显示方式,促进显示用优良的液晶材料的开发,反过来新型液晶材料又促进了新型显示器开发.DOBAMBC(p-癸氧基亚苄基-p'-氨基-2-甲基丁基肉桂酸酯)[1]第一支铁电液晶(FLC)以及MHPOBC((R)-4-(1-甲基庚基氧羰基)苯-4'-烷氧基联苯)-4-羧酸盐[2]第一支反铁电液晶(AFLC)极大地推动了液晶材料的合成及液晶显示器件的开发.以S原子代替C、O原子的液晶,如硫酯、砜基、亚砜基、亚磺酸基等,不断有报道.我们设计了一种新型的含磺酸酯基团的液晶分子,4(4'-辛氧基-4”-联苯羧酸基)苯磺酸酯类,并已成功地合成其中五种新的化合物,测试了液晶性能.国内外文献上未见报道.合成路线如下:     

手性液晶掺杂剂（S）—4‘—辛氧基—4—（2—酰氧基—丙氧基）联苯的合成

手性液晶掺杂剂（Ｓ）┐４┐辛氧基┐４┐（２┐酰氧基┐丙氧基）联苯的合成马汝建李培荣国斌＊（华东理工大学化学系上海２００２３７）关键词铁电液晶材料，手性液晶掺杂剂，合成，手征性１９９７－０２－０３收稿，１９９７－０８－０７修回铁电液晶显示器所用的材料...     

分子基铁电体研究进展

作为铁磁性材料的电等价物,铁电体具有宏观自发电极化,表现出电滞回线等特性,在存储、能量转换、开关、传感等方面得到广泛应用。由于分子材料的特性,分子基铁电体可望作为无机陶瓷铁电体的有益补充和替代。本文围绕铁电的基本概念、原理和特征,针对分子基铁电体的基础研究进展,进行简要综述。     

Evolution from Diffuse Ferroelectric to Relaxor Ferroelectric in Pb1-xBax（Fe1/2Nb1/2）O3 Solid Solutions

Dielectric and ferroelectric characteristics for Pb1-xBax（Fe1/2Nh/2）O3 （x = 0,0.05,0.1,0.15, and 0.2） ceramics are determined together with their structures. X-ray diffraction （XRD） analysis confirms the solid solutions with the cubic structure. The dielectric nature changes from diffuse ferroelectric to relaxor ferroelectric with increasing x, while the phase transition temperature Tc （or Tm） decreases monotonously. The diffuse ferroelectric phase transition is observed in the solid solutions with 0≤x ≤0.05. For Pbl-xBax（Fe1/2Nb1/2）O3 with 0.1≤ x≤0.2, relaxor ferroelectric behavior is determined, and the Vogel-Fulcher equation is used to describe the relaxor behavior. The 1/ε versus T plots reveal the diffusion dielectric characteristics in both diffuse and relaxor ferroelectrics.     

(111)取向生长Pb(Zr0:95Ti0:05)O3纳米晶薄膜的铁电与热释电特性

" 在Pt/Ti/SiO2/Si基片上用溶胶-凝胶法与快速退火工艺制备了300 nm厚的锆钛酸铅Pb(Zr0:95Ti0:05)O3 (PZT95/5)反铁电薄膜．结果显示600~700 ℃晶化处理的钙钛矿PZT95/5薄膜具有高度(111)取向生长特性．薄膜的电性能测量采用金属-铁电-金属电容器结构．在20 V电压作用下,600~700 ℃晶化处理的PZT95/5薄膜显示出饱和电滞回线．在1 kHz下,600、650和700 ℃晶化的薄膜介电常数与损耗分别为519与0.028、677与0.029、987