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中频脉冲磁控溅射制备氮化铝薄膜 总被引:10,自引:0,他引:10
使用中频脉冲磁控溅射技术分别在Si(111)、玻璃以及高速钢基底上沉积A1N薄膜,利用X射线衍射、X射线光电子谱、扫描电镜、紫外荧光、FTIR、精密阻抗分析仪等研究了薄膜的结构、光学及电学性质,结果表明,生成的(002)取向多晶A1N薄膜在可见光区域平均透过率超过75%,在紫外区域也具有较高的透过经,在低频交流区域具有良好的绝缘性。 相似文献
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基于化学气相沉积法生长出的单壁碳纳米管(SWNTs)薄膜,利用聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为基底,制备出一种具有三明治结构的柔性应变传感器,具有良好的光学透明性和电阻响应.探究了不同碳纳米管薄膜层数对传感器性能的影响.实验表明,随着SWNTs薄膜层数的增加,应变传感器的透光性和电阻响应逐渐降低,由单层SWNTs薄膜得到的应变传感器具有最大的电阻变化率,在10;应变下可达100;,即使在微小应变(2;)下仍能检测到明显的电阻变化(18;).该应变传感器具有良好的耐久性,可以监测人体关节的运动状态,在柔性电子皮肤等领域具有潜在的应用. 相似文献
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掺镧TiO2纳米薄膜材料的制备与光催化性能研究 总被引:5,自引:2,他引:3
用溶胶-凝胶法研究了掺镧TiO_2纳米薄膜材料。在钛醇盐溶液前驱体中,通过提拉方式镀膜在玻璃上,从而形成自净玻璃。论文对不同的掺镧量、不同的聚乙二醇加入量以及不同镀膜次数的TiO_2材料的透光性、光催化降解性分别进行了测试和研究,并对相关机理进行了探讨。研究表明:对于单层膜的TiO_2材料,掺镧与不掺镧对透光性的影响不大,但掺镧后光催化活性大大提高;对于单层膜的TiO_2材料,随着聚乙二醇的增多,透光率整体呈下降趋势,催化活性先增加后减小。对于多层膜的TiO_2材料,随着层数增加,在紫外光区,透光性变化不大,在可见光区,透光性有所下降。在两层膜后,层数的增多对催化活性影响不大。由实验知:在100mL基体溶液中,当掺入0.5gLa(NQ_3)_3·nH_2O,加入0.2g聚乙二醇,镀膜两层时,透光性好且光催化活性也高。 相似文献
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高透光性有序银网阵列的制备 总被引:1,自引:0,他引:1
以水珠为模板制备了聚己内酯(PCL)有序多孔膜. 利用水珠在冷的高分子溶液表面凝结形成有序阵列, 溶剂蒸发后, 高分子材料按照水珠排列的形貌形成了有序多孔膜. 改变蒸发溶液的体积可得到具有透光性的有序贯通膜, 对该膜喷金后在银溶液中置换得到了有序银网阵列膜. 这种银网阵列不仅能够导电, 而且比聚己内酯阵列膜具有更高的透光性和柔韧性. 相似文献
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采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,利用Material studio程序包中的Castep模块计算研究不同浓度Bi原子掺杂对ZnO电子结构和光学性能的影响.研究表明:不同Bi原子数的掺杂,对ZnO禁带宽度影响的变化趋势不一致.Bi掺杂ZnO的介电函数虚部峰值变大,并向低能量方向红移;高能量区域的吸收峰、反射峰和能量损耗峰随着掺杂原子的增多逐渐减小,透光性增强.掺杂样品在可见光和紫外光的吸收系数和反射系数均显著提高,可促进ZnO材料对可见光的有效利用. 相似文献
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本文研究了脉冲激光沉积(PLD)生长过程中, 铝掺量、氧压及衬底温度等实验参数对ZnO:Al(AZO)薄膜生长的影响, 并利用扫描电子显微镜、原子力显微镜、X射线衍射、霍尔效应、光透射光谱等实验手段对其透明导电性能进行了探讨. 变温霍尔效应和光透射测量表明, 当靶材中铝掺量大于0.5 wt%时, 所制备AZO薄膜中铝施主在80 K时已完全电离, 因Bernstein-Moss (BM) 效应其带隙变大, 均为重掺杂简并半导体. 进一步系统研究了氧压和衬底温度对AZO薄膜透明导电性能的影响, 实验发现当氧压为1 Pa, 衬底温度为200 ℃时, AZO 导电性能最好, 其霍尔迁移率为28.8 cm2/V·s, 薄膜电阻率最小可达2.7×10-4 Ω·cm, 且在可见光范围内光透过率超过了85%. 氧压和温度的增加, 都会导致薄膜电阻率变大.
关键词:
脉冲激光沉积法
ZnO:Al薄膜
透光性
导电性 相似文献
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基于硼氮纳米管(BNNTs), 研究了多重锂化硼氮纳米管Lin-(n,0,l)BNNTs(n=6和8, l=2~4)的结构与非线性光学性质. 研究表明, 在Lin-(n,0,l)BNNTs中, Li原子上的自然键轨道电荷接近+1(0.769~0.827 e), 表明Li原子上的电子转移到了硼氮纳米管上, 从而形成了多重锂盐. 同时发现, 增加管长和拓宽管径都可有效地增加体系的一阶超极化率. 更重要的是, Lin-(n,0,l)BNNTs的紫外-可见吸收主要发生在270~290 nm附近, 且当管长增加时, Lin-(n,0,l)BNNT的紫外-可见吸收光谱发生了蓝移, 改善了非线性与透光性之间的关系. 此外, Lin-(n,0,l)BNNTs还具有良好的稳定性[垂直电离势(VIP)=5.85~6.0 eV]. 相似文献
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硫氰化亚铜(CuSCN)是一种良好的p型宽禁带透明半导体材料,具有较高的透光性、高导电率、易于常温制备、可溶液加工性以及价格低廉等优点,使得CuSCN成为未来大面积制备光电器件的有力竞争者。本文概述了CuSCN半导体材料的晶体结构、光学性质以及空穴传输特性等基本物理性质,介绍了几种常见CuSCN薄膜的制备方法,包括溶液加工成膜法、电化学沉积法和连续性离子层吸附与反应法等;对上述不同的制备方法结合实际应用进行了阐述,同时对比与讨论了各种制备方法的优点和缺点;接下来总结了CuSCN材料作为空穴传输层在场效应晶体管(FETs)、有机电致发光器件(OLEDs)、有机太阳能电池(OSCs)以及有机-无机杂化太阳能电池(HSCs)等领域的应用及其研究进展,最后对CuSCN所面临的问题以及研究前景进行了展望。 相似文献