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1.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失 总被引:1,自引:1,他引:0
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性. 相似文献
2.
3.
本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1. 相似文献
4.
本文对用C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度的方法进行了理论和实验分析. pn结的存在所造成的埋沟MOS结构C-V曲线的畸变为沟道载流子浓度的提取带来一些问题. SiC/SiO2界面上界面态的存在也会使提取出的数值与实际数值产生偏差. 本文首先从理论上分别分析了沟道深度和界面态对沟道载流子浓度提取结果的影响,然后对两种沟道深度的埋沟MOS结构C-V曲线进行了测试,提取出了沟道掺杂浓度. 在测试中,采用不同的扫描速率,分析了界面态对提取结果的影响. 理论分析结果和实验测
关键词:
C-V法
SiC
隐埋沟道MOSFET
沟道载流子浓度 相似文献
5.
电磁诱导透明和导致极慢光速的机制 总被引:2,自引:0,他引:2
根据有关文献 ,描述了电磁诱导透明和导致光速极慢的物理机制 ,并对实验结果也做了介绍 相似文献
6.
7.
8.
9.
本文继采用含硫配体(-SH,-SR)对高分子保护金属胶体的配位俘获之后,采用锚联在SiO_2表面的较含硫配体配位能力弱的P,N配体分别与聚乙烯吡咯烷酮(PVP)保护的胶体钯在室温下反应,在P/Pd大于3.5,N/Pd大于7时,可以实施对保护金属胶体的配位俘获,证实了配位俘获法是一种具有普遍意义的方法,经原子吸收光谱分析,溶液中残留的金属钯的量小于0.36 ppm(P/Pd=3.5)。经电子能谱证实,锚联膦胺配体与金属钯之间存在配位作用,这是实施保护胶体负载化的关键。透射电镜分析表明,在整个配位俘获的过程中,无论是在载体上或是在溶液中,胶体钯的颗粒大小与分布均保持不变。因此,配位俘获法是一种能控制多相催化剂中金属颗粒大小与分布的有效方法。由此合成的钯催化剂具有很高的催化活性,良好的选择性和稳定性,在对Cis,Cis-1,3-环辛二烯的选择性加氢中,其活性仅比均相的PVP-Pd胶体催化剂稍低,选择性达100%。在周转数达12,000次/个钯原子后,其催化活性仍保持不变,随着P/Pd比的增大,催化活性迅速下降。 相似文献
10.
无线网络和低功耗微电子技术的进步推动着设备健康监测技术的网联化和智能化发展.轴承作为旋转设备的关键部件,对国防、轨道交通、风电等重大装备的健康状态起到了非常重要的作用,实现轴承状态监测的微型化和自供能是装备智能化的重要技术基础.论文针对于轴承无线传感器网络的供能问题,提出了一种用于轴承自供能监测的径向电磁式旋转能量俘获建模方法,并通过引入环形Halbach永磁阵列增强了线圈中的磁场强度,提高了能量俘获系统的输出性能.基于磁荷理论和空间坐标变换给出了环形Halbach永磁阵列的径向磁场计算方法,进而利用电磁感应原理建立了电磁式旋转能量俘获系统的输出电压模型,仿真分析了不同参数对系统输出电压的影响.有限元仿真和不同转速下的实验结果验证了所建立模型预测输出电压的准确性,同时功率测试实验表明设计的俘能系统在1000 rpm转速下可实现81.2 mW的输出功率. 相似文献