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1.
2.
贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后,操作面板上出现错误代码“28”,离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动,由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2,并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验,仪器恢复正常。  相似文献   
3.
人类在高速发展现代文明的同时,不可忽略许多灾难在逐步逼近我们,本文总结了人类可能面临的十种灾难,并对其发生的概率和应对的措施有较详细的论述。  相似文献   
4.
We have investigated fragment emission from molecularions in H2^r collisions between S^q and H2 with incident energies of 12.5, 15.625, 18.75, 21.875, 25, 28.125, 31.25, 34.375, 37.5, 40.625, and 43.75 keV/u, respectively. The energy distributions of the fragments are measured by time-of-flight techniques. The experimental results show evidences for molecular Coulomb explosion and dissociation. A program[1] is estab-lished based on the Monte Carlo technique to simulate the time-of-flight spectrum of fragment ions with different initialkinetic energy in ion-Molecule collisions. Simulations are done for S^2 H2 collisions and compared with experimental results.  相似文献   
5.
6.
月球的形成     
树华 《物理》2003,32(10):689-689
天文学家认为 ,月球是由一个像火星般大小的物体撞入地球 ,将物质溅射到围绕地球的轨道上形成的 .这一撞击还把地球上一天的时间延长到现今的 2 4小时 .月球中的物质一部分来自地球 ,其余部分来自撞击体 .科学家们对撞击体的物质在月球中所占的比例做了估计 ,结果分歧很大 .进行地球化学研究得到的估计值从小于 1%到大于 5 0 % ,而大多数地球物理模型则预言这一比例在 5 0 %到 90 %的范围 .在德国的天文学家通过将月球与地球岩石样品的成分进行比较 ,计算出月球上来自碰撞物体的物质不超过月球的三分之一 .此外 ,他们还估计 ,月球至少是在 4…  相似文献   
7.
戴闻 《物理》2003,32(2):140-140
按照地质年代的划分,从生命在地球上诞生到距今2.25亿年是古生代;2.25亿年—0.65亿年前是中生代,中生代又按先后分为三迭纪、侏罗纪和白垩纪;0.65亿年—100万年前是新生代,它包括第三纪和第四纪.关于恐龙的灭绝,科学家们有两种观点,即“灾变论”和“渐变论”.无论持哪种观点,他们都不否认,在距今6500万年前(在白垩纪与第三纪之交),地球上的生命曾因流星撞击而蒙受灾难.慧星或小行星的轨道可因外扰动而改变,以致于最终飞向地球.如果星体的直径大于2km,撞击或许将毁灭地球的文明.在1998年,曾有媒体炒作:一颗小行星正朝地球飞来,它将于2028年撞…  相似文献   
8.
为分析MRI相关定量参数对肩峰下撞击综合征(SIS)的诊断价值,本研究将56例SIS患者设为SIS组,同期56例健康体检者设为对照组,对比了两组对象的一般资料、肩关节功能评分(Constant评分)及MRI相关定量参数水平,探讨了 MRI定量参数与Constant评分、SIS发病相关影响因素、治疗效果的关系及对SIS的...  相似文献   
9.
 为研究超高速弹丸碰撞靶板产生等离子体诱生的磁场,引用已有关于激光产生等离子体的磁场理论,结合麦克斯韦方程和法拉第电磁感应定律得到了超高速碰撞产生等离子体诱生磁场的1维理论模型。基于已有关于超高速正碰撞产生半球状等离子体云诱生磁场的偏微分方程,建立了柱坐标系下超高速斜碰撞产生部分椭球状等离子体云的偏微分方程。通过感应线圈进行了磁感应强度的实验测量,实验结果与模型预言表明,该模型可近似地描述超高速斜碰撞产生等离子体诱生的磁感应强度。  相似文献   
10.
应用深能级瞬态谱(DLTS)技术研究分子束外延(MBE)生长的highelectronmobilitytransistors(HEMT)和Pseudomorphichighelectronmobilitytransistors(PHEMT)结构深中心行为.样品的DLTS谱表明,在HEMT和PHEMT结构的nAlGaAs层里存在着较大浓度(1015-1017cm-3)和俘获截面(10-16cm2)的近禁带中部电子陷阱.它们可能与AlGaAs层的氧含量有关.同时还观察到PHEMT结构晶格不匹配的AlGaAsInGaAsGaAs系统在AlGaAs里产生的应力引起DX中心(与硅有关)能级位置的有序移动.其移动量可作为应力大小的一个判据,表明DLTS技术是定性识别此应力的可靠和简便的工具. 关键词: 分子束外延生长 高电子迁移率超高速微结构功能材料 深中心  相似文献   
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