撰稿指南

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电光全内反射调制

研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。     

三维热传导型半导体器件瞬态模拟问题的Crank—Nicolson差分—流线扩散有限元法及其数值分析

本文研究三维热传导型半导体器件瞬态模拟问题的数值方法。针对数学模型中各方程不同的特点，分别提出不同的有限元格式。特别针对浓度方程组是对流为主扩散问题的特点，使用Crank-Nicolson差分-流线扩散计算格式，提高了数值解的稳定性。得到的L^2误差估计关于空间剖分步长是拟最优的，关于时间步长具有二阶精度。     

二阶椭圆问题的混合有限元估计

关于二阶椭圆问题，[1]中给出了一种混合有限格式，但所用的自由度太多，给实     

非晶调制多层膜Nb/Si中的互扩散研究

利用原位Ｘ射线衍射技术得到非晶调制多层膜Ｎｂ／Ｓｉ中的互扩散系数与退火温度的关系，调制周期Ｌ＝３.２ｎｍ的非晶调制多层膜是用粒子溅射方法制备的．温度范围为４２３—５２３Ｋ的有效互扩散系数通过原位测量多层膜的一级调制峰强度与退火温度之间的关系而得到．利用缺陷陷阱延迟扩散机制解释了所得到的扩散系数与退火温度的关系．建立了可以解释较小前置系数的模型 关键词：     

一类非线性Schr(o)dinger方程的守恒差分法与Fourier谱方法

考察了一类带导数项的非线性Schrodinger方程的周期边值问题，提出了一种守恒的差分格式，在空间方向上采用Fourier谱方法，证明了格式的稳定性和收敛性．数值试验得到了与理论分析一致的结果．     

稀掺杂GaNxAs1－x(x≤0.03)薄膜的调制光谱研究

利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaN_xAs_1-x薄膜，并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN_0.005As_0.995和GaN_0.01As_0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E₁+Δ₁+Δ_N.当N掺杂浓度达到 关键词： 压电调制反射光谱(PzR) xAs_1-x薄膜')" href="#">GaN_xAs_1-x薄膜 分子束外延(MBE)