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利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E1+Δ1+ΔN.当N掺杂浓度达到
关键词:
压电调制反射光谱(PzR)
xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜
分子束外延(MBE) 相似文献
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本文首先对Rn中连续映象讨论了af(a≠0)与f的Brouwer度之间的关系,得到了Brou-wer度的几个等式,顺便推出几个不动点定理.在此基础上研究了投影完备的实Banach空间中A-proper映象f与af的广义拓扑度之间的联系.作为应用,推广了关于P1紧映象的Altman不动点定理. 相似文献