电路过渡过程的计算机辅助分析

电路过渡过程所列方程是微分方程，本文中采用的是方框图模型分析法，即将微分方程的复杂示解分解成最基本的加（减）、乘（除）、积分（微分）、增益等运算，采用VB设计用户界面产进行计算，并给出了一算例。     

Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

物理在计算机专业中的地位和改革研究

计算机是所有中专学校都开设的专业，合理定位物理课程在计算机专业中的地位，改革物理课程，具有深远的现实意义．     

幅相一致行波管高频电路CAD研究

 在行波管的设计和装配过程中，各部件的尺寸必须严格控制，高频电路参数的离散对行波管色散特性有极大的影响。使用螺旋导电面模型，模拟计算了高频结构各主要参数离散对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响。分析计算了夹持杆宽度、翼片高度、螺旋线平均半径、螺距、夹持杆介电常数等离散时对色散特性和轴向互作用耦合阻抗的影响，为新型幅相一致行波管的设计和生产提供了很有价值的参考建议。     

计算机辅助物理实验教学的几点思考

探讨了物理实验教学引入智能化仪器的必要性和意义，指出引入计算机辅助教学必须对传统的实验教学内容和方法重新设计，同时软件的设计应给学生留有接口的余地。     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

基于MATLAB(SIMULINK)的电弧炉电极调节系统FUZZY-PD控制器的仿真

介绍了采用MATLAB V5.2提供的模糊逻辑工具箱来设计研究电孤纺电极调节系统中的模糊－－PD控制器，讨论了在SIMULINK环境下模糊－PD控制器的参数自调速原理、结构、建立模糊控制规则库和模糊推论方法，并给出仿真结果与结论。     

基因芯片荧光图象采集与分析

描述了基因芯片荧光图象的光学共聚焦成象,大范围高速扫描与控制,数据采集的原理和方法.并讨论了基因芯片荧光图象的分析算法,即模板定位与阈值分割相结合的半自动算法,并将其计算结果与完全采用人工分割算法的结果进行了比较.