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2.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
3.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。 相似文献
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Radiative lifetimes of two short-lived levels (i.e. 4f^8 (TF6)6p^1/2 (6, 1/2)11/2,13/2) in Tb Ⅲ are measured by time-resolved laser-induced fluorescence (LIE) technique with a two-step excitation process. Free Tb Ⅲ ions are produced in a laser-induced plasma. Lifetime values are evaluated with a deconvolution procedure of the timeresolved fluorescence signal with the temporal shape of second-step excitation pulse (about 1 ns). The lifetimes of the 4f^8 (^7F6)6p^1/2 (6, 1/2)11/2 and 4f^8(^7F6)6p^1/2 (6, 1/2)13/2 levels are determined to be 1.9 (2) and 2.0 (2)ns, respectively. 相似文献
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8.
Viscosities and liquid structure of alloys Cu75Al25, Cu87Sn13 and Al-12.5%Si and pure metals Cu and Sn are investigated by using torsional oscillation viscometry and high temperature x-ray diffractometry. The viscosities of pure metals and eutectic alloy melts along with the short-range order structure are found to follow the Arrhenius law in a wide range of temperature above the liquidus. The breakpoints in Arrhenius plots emerge when the structures of alloy melts are transformed from the medium-range order structure to the short-range order structure. It has been found that the change of the viscosity of the metallic alloys is a characteristic of microstructure transformation in the related melts. 相似文献
9.
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