我国实现蓝宝石衬底氧化锌二极管室温电致发光

据《科学时报》近日报道，由中科院长春光机所、厦门大学共同承担的国家自然科学基金委员会重点项目“氧化锌基单晶薄膜材料、物性及器件研究”，日前正式通过了国家自然科学基金委信息科学部专家组的中期检查验收。该项目在国内率先获得了氧化锌同质结的电致发光，并且在国际上首次实现了蓝宝石衬底生长的氧化锌二极管室温电致发光，为今后氧化锌蓝紫外发光和激光二极管的发展奠定了实验基础。     

蓝宝石R面上ZnO薄膜的NH3掺杂研究

以NH₃为掺杂源,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在蓝宝石R面上生长出掺氮ZnO薄膜。通过XRD,SEM测量优化了其生长参数,在610℃和在80sccm的NH₃流量下生长出了〈1120〉单一取向的ZnO薄膜。经Hall电阻率测量,得知该薄膜呈现弱p型或高电阻率,并对其光电子能谱进行了研究。     

掺钛蓝宝石脉冲可调谐激光器在实验室中的应用

介绍了掺钛蓝宝石可调谐激光器在实验室中的应用.自行设计了波长690~900 nm之间连续可调谐激光,单脉冲能量为5 mJ,重复频率为20 Hz,激励采用波长532 nm、能量35 mJ的倍频YAG激光器,经过调谐滤波器,输出连续可调谐激光.     

Supercontinuum Generation in a Photonic Crystal Fibre

Nearly 1000-nm broad continuum from 390 nm to 1370 nm is generated in a 2-m long photonic crystal fibre. The maximum total power of supercontinuum is measured to be 60mW with the pumping power of 800mW output from a 200-fs Ti:sapphire laser. The evolution of the pumping light into supercontinuum is experimentally studied in detail. It is found that the mechanism for supercontinuum generation has direct relations with Raman effect and soliton effect, and the four-wave mixing plays an important role in the last phase of the supercontinuum generation.     

Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si （111） Substrates using a GaN Intermedial Layer

GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si（111） substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional （3D） mode to the 2I） one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy （TEM） measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer.     

单层光学薄膜中薄膜－衬底体系的双重干涉效应及其应用

提出了单层光学薄膜中薄膜与衬底反射光之间的双重干涉效应的理论，实验结果证实了理论分析的正确性。双重干涉效应使薄膜－衬底体系的热致反射调制度高达８０％，这一效应可望有极广泛的应用     

转移基板材质对Si衬底GaN基LED芯片性能的影响

在Si衬底上生长了GaN基LED外延材料,分别转移到新的硅基板和铜基板上,制备了垂直结构蓝光LED芯片。研究了这两种基板GaN基LED芯片的光电性能。在切割成单个芯片之前,对大量尺寸为(300μm×300μm)的这两种芯片分别通高达1 A的大电流在测试台上加速老化1 h。结果显示,铜基板Si衬底GaN基LED芯片有更大的饱和电流,光输出效率更高,工作电压随驱动电流的变化不大,光输出在老化过程中衰减更小。铜基板芯片比硅基板芯片可靠性更高,在大功率半导体照明器件中前景诱人。     

兆巴高压下c向蓝宝石的冲击辐射研究

采用三层夹心靶结构,利用铜箔与抛光蓝宝石之间良好的接触条件,使用辐射式高温计在1.30～1.72兆巴压力范围内观测到c向蓝宝石的强冲击辐射。在1.30和1.72兆巴的冲击压力下,得到蓝宝石在0.633μm波长处的不透明系数为1.7 cm-1和5.0 cm-1。实验显示蓝宝石的冲击辐射随着冲击压力的增加而急剧增强。     

3英寸6H-SiC单晶的生长

SiC是宽带隙半导体材料的典型代表,具有优良的热学、力学、化学和电学性质,不但可以用作基于GaN的蓝色发光二极管的衬底材料,同时又是制作高温、高频、大功率电子器件的最佳材料之一,因此高质量、大直径SiC单晶的生长一直是材料研究领域的热点课题。目前美国的Cree公司在SiC单晶生长领域研发方面起步早、投入大,SiC单晶的直径达到4英寸,处于领先地位。我国在“十五”期间投入了一定的人力、物力进行了SiC单晶生长的研究,在生长2英寸SiC单晶的工作中取得了一定的成绩[1],但更大直径的SiC单晶生长技术进展缓慢,至今未见国内报道。而对…