过氧聚钨酸薄膜上光栅的制备

用过氧聚钨酸（PPTA）水溶液，通过离心涂膜法在显微镜载玻片上制备了具有光滑表面且厚度为100nm的PPTA薄膜，利用PPTA薄膜在紫外光照下可研制光栅以及其它光学元件的薄膜材料，具有很高的利用价值。     

Monte Carlo方法研究低能电子束曝光沉积能分布规律

建立一个描述低能电子在多元多层介质中散射的物理模型,运用MonteCarlo方法模拟低能电子在靶体胶衬底中的复杂散射过程,在此基础上通过大量计算研究入射束能、胶层厚度、衬底材料等不同曝光条件对抗蚀剂沉积能密度分布的影响,获得沉积能分布规律:适量的低束能、薄胶层、低原子序数衬底可以使前散射电子对胶中沉积能密度分布的贡献增大、背散射电子的贡献减小,从而提高曝光分辨率. 关键词： 电子束曝光 MonteCarlo方法 低能电子散射 能量沉积     

现代物理信息

 NATURE《自然》1991年.1.G.J.Fishman等《用长时间曝光设备在宇宙飞船表面观测⁷Be》349卷6311期沿轨道运行的人造卫星上的长时间曝光设备,在空间差不多6年,最近返回地球,从放射性的测量中,在长时间曝光设备的前沿,找到了一定数量的同位素⁷Be.本文的测定,可以把⁷Be作为外大气层示踪物以及空间表面相互作用研究的应用.     

关于由衍射片的背面反射光形成的衍射图样的讨论

在光的衍射实验中,我们看到的一般是由通过衍射片的直射光形成的衍射图样,但在衍射片的另一面,同样存在着另一个衍射图样,它是由衍射片的背面反射光形成的,两个衍射图样关于衍射片对称.本文给出了这种实验现象,并用巴比涅原理解释了这种现象.     

DV4型光谱仪两种故障的处理

美国ＢＡＩＲＤ公司生产的ＤＶ4光谱仪 ,在ＣＭＵ 2 0元素板上有 8个通道 ,元素板的总数由仪器中的光电倍增管总数决定 ,最多可分析 32个元素。我公司自 1986年以来 ,先后购进两台美国ＢＡＩＲＤ公司生产的ＤＶ4光谱仪。该仪器具有自动化程度高、选择性好、操作简单 ,分析速度快 ,可同时进行多元素定量分析 ;校准曲线线性范围宽 ,精度高 ,检出限低。我公司该仪器主要用于转炉、电炉钢包钢样的化学成分 (碳、硅、锰、磷、硫、镍、铬、铜、锡、钼、钒 )分析。在使用过程中出现过一些故障 ,均妥善地进行了处理并解决了存在的问题。以下为典型故…     

低曝光量下投影算法的稳健性研究

研究了在低曝光量情况下灰度投影算法的稳健性,为提出的稳定成像系统的设计与实现提供可行性论证。通过合成视频实验探讨、实际视频实验论证相结合的研究方法,探讨曝光量不足对灰度投影算法性能的影响。实验结果表明,灰度投影算法在欠曝5档和存在一定随机噪声的情况下,仍能保持良好的运动矢量估计性能,从而说明了投影算法在一定的曝光量范围内仍能准确地得到运动矢量估计,是一种运算量小、实时性好且稳健性较强的电子稳像算法。投影算法在低曝光量情况下良好的稳像稳健特性,使其能在低亮度及高实时性要求等环境下应用于航拍、卫星遥感等稳定成像或高清晰成像场合。     

基于压缩全息和空分复用的多彩色图像加密

针对现有光学加密方法进行彩色图像加密时加密容量低、解密图像失真度高等问题,提出一种基于压缩全息和空分复用的多彩色图像加密方法.在光学加密阶段,结合改进的Mach-Zehnder干涉仪与空分复用技术,通过不同的随机相位掩膜对多幅彩色图像进行同时加密,仅需单次曝光即可得到由多幅彩色图像加密的全息图.在解密过程中,由于记录全息图的过程可建模为压缩感知过程,使用两步迭代收缩/阈值算法即可求解.实验结果表明,提出的加密系统加密容量大,解密重建图像质量高,结合压缩感知理论,有效地消除了同轴全息中平方场项对解密重建性能的影响,解密图像平均峰值信噪比仅下降约2～5dB;密钥安全性高,随机相位掩膜与传播距离均起到密钥的作用,在随机相位掩膜错误或传播距离仅偏移0.25%时,便无法解密出原始彩色图像;且对噪声与遮挡性攻击具有良好的鲁棒性,解密重建性能随噪声增大下降趋势缓慢,加密全息图80%信息受到遮挡性攻击时,仍可取得良好的解密重建结果.     

激光辐照下皮肤组织光热响应有限元分析

为了更好地选择临床激光医疗曝光参量,采用有限元数值计算方法,模拟了脉冲激光与连续激光对人皮肤组织的光热作用及导致的温度变化效应,比较了两者的不同,得到了热响应时间及热弛豫时间与组织深度的关系,即组织越深(0～60 μm),其热响应时间(0～4 ms)与热弛豫时间(0.4～12.1 ms)越长;分析了激光脉宽长短对组织升温的影响;建立了评价脉冲间热损失的评价函数δ,并以此对脉冲间隔的选取作了探讨.     

超导纳米线单光子探测器件的制备

超导纳米线单光子探测器件(SNSPD)是超导单光子探测系统的核心器件。文中介绍了成功制备的基于5nm厚的NbN超导超薄薄膜的SNSPD器件。器件核心结构为150nm宽的纳米曲折线结构,纳米线条占空比为75%,面积为20μm×20μm。超导纳米线是利用电子束曝光(EBL)技术和反应离子刻蚀(RIE)等工艺技术制备的。所制备的SNSPD样品,在温度3.5K下的临界电流约12.9μA;在1310nm波长光波辐照,12.5μA的偏置电流下,探测效率约0.016%。     

193nm光刻曝光系统的现状及发展

投影曝光工艺是集成电路制造过程中的关键环节，曝光系统的工艺水平已成为衡量微电子制造技术的重要标志。重点介绍了目前193nm光刻设备曝光系统的发展现状和趋势，以及为提高曝光质量所采用的相关分辨率增强技术；通过分析曝光系统的构成和其中的关键技术，探讨了国内研制相关曝光设备所面临的挑战。