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1.
2.
用分子动力学方法对5%负失配条件下面心立方晶体铝薄膜的原子沉积外延生长进行了三维模拟.铝原子间的相互作用采用嵌入原子法(EAM)多体势计算.模拟结果再现了失配位错的形成现象.分析表明,失配位错在形成之初即呈现为Shockley扩展位错,即由两个伯格斯矢量为〈211〉/6的部分位错和其间的堆垛层错组成,两个部分位错的间距、即层错宽度为1.8 nm,与理论计算结果一致;外延晶体薄膜沉积生长中,位错对会发生滑移,但其间距保持稳定.进一步观察发现,该扩展位错产生于一种类似于“局部熔融-重结晶”的表层局部无序紊乱-
关键词:
失配位错
外延生长
薄膜
分子动力学
铝 相似文献
3.
利用动力学蒙特卡罗方法模拟了异质外延超薄膜生长中的成核过程.研究了薄膜与衬底的晶格失配对超薄膜生长中成核密度、平均核尺寸、标度关系及生长模式的影响.结果发现产生压(张)应变的晶格负(正)失配使生长过程更早(迟)从成核区进入过渡区,失配越大,这一效应越明显.在相同的沉积条件下,负失配导致超薄膜形成较低的成核密度与较大的平均核尺寸,而正失配则相反.成核密度满足标度关系Ns≈(F/D)χ,随着失配度从-0.04增加到0.02,标度系数χ从0.37逐渐减小到0.33,对应超薄膜生长过程从包含二聚体扩散模式转变到无
关键词:
薄膜生长
成核
晶格失配
蒙特卡罗模拟 相似文献
4.
与传统时域有限差分算法相比,采用以伪谱方法离散Maxwell微分方程为基础的时域伪谱(PSTD)算法计算大的电尺度电磁场时域问题,将大大提高计算效率,降低内存需求。为了拓宽PSTD算法的应用,近年来,基于网格插值方法的非均匀时域伪谱算法得到了发展。研究的重点是算法中非均匀网格技术的实现及其在时域瞬态脉冲电磁场模拟和高功率超宽带脉冲技术方面的应用。以高斯脉冲为激励源,用该算法计算了多层介质的反射和透射,并通过超宽带脉冲穿墙实验对这一方法的应用进行了验证。模拟和实验结果具有较好的一致性。 相似文献
5.
晶体微观结构是晶体材料在特定物理条件下其多个能量极小平衔态在空间形成的某种微尺度的规则分布.几何非线性的连续介质力学理论可以用能量极小化原理来解释晶体微观结构的形成,并用Young测度来刻画平衡态各变体在空间的概率分布.定性的理解与定量地分析和计算晶体材料的微观结构对于发展和改进高级晶体功能材料,如形状记忆合金、铁电体、磁至伸缩材料等,有重要的意义.本文回顾了近年来晶体微观结构数值计算方面的最新进展.介绍了计算晶体微观结构的几种数值方法及有关的数值分析结果。 相似文献
6.
7.
8.
Lagrange方法中,当流场发生大变形时,跟踪流体运动的Lagrange网格发生扭曲,使计算无法进行下去,此时必须重分网格,把网格修复成较好的形状。另外,网格自适应技术中的重构、合并与加密,以及同一问题不同程序相继计算的连接,并行计算中相邻块边界区域的数据传递等,这些情况都需要利用旧网格上的物理量来确定新网格上的物理量,是一个物理量重映过程。质点重映方法是基于物理上守恒规律的一种离散的物理量守恒映射方法,既可实现分片常数分布的一阶精度重映计算,又可实现分片线性分布的二阶精度重映计算。这种方法可严格保证守恒量的守恒性,且可以实现任意多边形网格以及节点上物理量的守恒重映。但是,基于分片线性分布的二阶精度重映方法,如果新网格的守恒量没有进行保界调整,那么相应的强度量有可能在其局部的限制范围之外,破坏了原网格物理量的单调性。因而,对二阶精度的质点重映方法进行了进一步研究。在分片线性分布的基础上,将基于结构网格的保界算法扩展到非结构网格上,给出了二阶保界的质点守恒重映方法。 相似文献
9.
杨青 《高校应用数学学报(A辑)》2002,17(3):353-362
热传导型半导体器件的瞬时状态由四个方程的非线性偏微分方程组的初边值问题所决定,其中电子位势方程是椭圆型的,电子和空穴浓度方程是对流扩散型的,温度方程为热传导型的。本文提出解这类问题的特征变网格有限元法,并进行了理论分析,在一定条件下,得到了某种意义下的最佳L^2误差估计结果。 相似文献
10.