A Novel Photoproduct of 1, 3-Dimethyluracil in Phosphate Buffered-saline

1, 3-Dimethyluracil （DMU） in phosphate buffered-saline （PBS, pH=8） was irradiated by a medium pressure mercury lamp （MPML） and produced a novel compound C6H9N2O6P. The composition and structure of the compound has been identified by elemental analysis, EIMS, UV, IR, ^1H and ^31P-NMR.     

电渗流与缓冲液浓度之间数学关系的线性表达

It was believed that electroosmotic mobility μeo is inversely proportional to the square root of the ionic strength L But the linear relationship for regression analysis was expressed differently in different papers. The paper studied the linear expression of the mathematical relationship between μeo and c （background buffer concentration） by mathematical transform and real experimental data.μeo values of fused silica capillary were determined in four buffer systems. Their experimental conditions were controlled carefully for decreasing temperature difference AT and pH difference ApH in 50 μm ID capillary, in which no double layer overlap existed. The linear relationship between the reciprocal of electroosmotic mobility and the square root of concentration （or ionic strength） was derived by mathematical method. The regression analysis of experimental data was shown to well correspond to the relationship. The constants in regression equation could be well defined and the calculated results were acceptable.     

EAST中性束注入器用高压缓冲器分析

中性束注入(NBI)加速器短路故障时,根据B-H曲线和高压缓冲器的结构尺寸,在Fink的Snubber分析方法基础上,分别导出高压缓冲器任意铁芯叠片层的感应电压、涡流电阻与铁芯叠片层饱和深度的关系;利用安培环路定律,推出不同铁芯叠片层中涡流大小、饱和深度表达式,从而导出整个高压缓冲器随铁芯饱和深度变化的等效涡流电阻的表达式。根据Snubber的等效涡流电阻及NBI系统的杂散电容,分析故障时的瞬态短路电流回路,得到了铁芯叠片饱和深度的指数时间常数与电弧电流的表达式;得出高压缓冲器铁芯叠片的最大宽度及最小厚度分别为28 mm和114μm。经实验测试和理论计算对比分析可知,铁芯叠片饱和深度的指数时间常数的测试值与理论值基本吻合。     

GI~X/M~b/1/N排队系统

本文主要研究了顾客一般独立批到达、指数批服务、缓冲器容量有限的单个服务器的排队系统，本文首先使用补充变量和嵌入马氏链的方法，在部分拒绝和全部拒绝情形下，得到系统排队队长的稳态分布，进而得到相应的性能指标，如系统的平均排队长、平均等待时间、损失概率等．其次对等待时间进行了分析．     

带缓冲器的巴黎地铁定价策略

本在巴黎地铁定价(PMP(Paris Metro Pricing))的基础上研究了一种带有缓冲器的巴黎地铁定价策略。同样将网络分成几个逻辑上独立的不同部分，每一个部分制定不同的价格，各部分仅在价格上有区别。但是额外增加一个适合“中性消费”需求的缓冲器，使得“中性消费”可以先向缓冲器提交服务请求，而后由ISP网络提供商根据各部分的实际负载状况将其分配到合适的服务节点。最后通过仿真说明与巴黎地铁相比，带有缓冲器的巴黎地铁定价策略在网络拥塞控制与网络资源分配等方面有更高的效率。     

泡沫金属缓冲器的设计新方法及应用

目前对泡沫材料的吸能特性的评估主要有以下几种方法：缓冲曲线、Rusch曲线和能量吸收图。Janssen等人提出的缓冲曲线通常是由自由落体实验测定，比较繁琐。Rusch曲线依赖于经验的本构方程，对应不同的泡沫需要拟合不同的本构方程，因此在应用中也受到限制。能量吸收图将泡沫材料的吸能特性直接与材料的应力应变曲线相联系起来，具有比铰明确的物理意义，能够较好地直接运用到缓冲器的设计中。但吸能图传统上是通过手工作包络线的过程来构建，这经常带来不小的误差甚至带来不少的困难。     

GaN Films Grown on Si （111） Substrates Using a Composite Buffer with Low Temperature A1N Interlayer

A GaN interlayer between low temperature （LT） A1N and high temperature （PIT） A1N is introduced to combine HT AIN, LT A1N and composition-graded A1GaN as a novel buffer layer for GaN films grown on Si （111） substrates. The crystal quality, surface morphology and strain state of the GaN film with this new buffer are compared with those of GaN grown on a conventional buffer structure. By changing the thickness of LT A1N, the crystal quality is optimized and the crack-free GaN film is obtained. The in-plane strain in the GaN film can be changed from tensile to compressive strain with the increase in LT A1N thickness.     

考虑非均匀温度分布效应的缓冲器插入最优尺寸研究

基于非均匀温度分布效应对互连延时的影响, 提出了一种求解互连非均匀温度分布情况下的缓冲器最优尺寸的模型. 给出了非均匀温度分布情况下的RC互连延时解析表达式, 通过引入温度效应消除因子, 得出了最优插入缓冲器尺寸以使互连总延时最优. 针对90 nm和65 nm工艺节点, 对所提模型进行了仿真验证, 结果显示, 相较于以往同类模型, 本文所提模型由于考虑了互连非均匀温度分布效应, 更加准确有效, 且在保证互连延时最优的情况下有效地提高了芯片面积的利用.     

飞机起落架着陆与滑跑性能分析

阐述了一个能准确模拟飞机着陆与滑跑冲击特性的起落架分析模型,并通过落震试验的真实载荷-行程与该模型模拟计算结果的对比,显示了这种模型的有效性.为起落架设计与改进设计提供了一个实用的工程方法.     

射频负离子源200kV高压平台磁缓冲器系统中磁芯的性能测试和分析

在射频负离子源200kV高压平台磁缓冲器系统设计中,首次通过旁路电阻的方式,解决了系统运行时次级直流偏置电路中电阻的过热问题。分析了磁缓冲器系统在高压电源启动阶段(工况1)和负离子源运行阶段电极间打火时(工况2)的主要工作频率。在工况1对应的工作频率下,测试了磁缓冲器核心部件铁基纳米晶软磁合金(FINEMET)磁芯的B-H曲线,得出加入直流偏置后的振幅磁导率与无直流偏置时相比,下降了60%(200Hz)～80%(100Hz)。在工况2对应的主要频率下,测试了磁芯的复数起始磁导率并进行了储能耗能分析。在25～525kHz频率范围内,测得了磁芯的磁谱以及品质因数随频率变化的曲线,得出随着频率的增加,磁芯单位耗能下的储能逐渐减小;当频率达到100kHz以上后,磁芯的能量存储与耗散状态趋于稳定。