VRPTW的扰动恢复及其TABU SEARCH算法

本文对带时间窗的车辆路线安排扰动恢复问题进行了讨论,分析了各种可能的扰动:增加减少客户,时间窗、客户需求及路线可行性的扰动,构造了扰动模型.利用禁忌搜索算法对问题进行求解,同时通过对模型参数重新设置,得到了多个满足要求的不同的解,这样使解更具有实际可行性和有效性.     

贝克曼AllegraTM21R型超高速离心机故障排除一例

贝克曼Allegra^TM 21R型超高速离心机开机后，操作面板上出现错误代码“28”，离心机不旋转。离心机的电机采用无刷感应驱动，由电机驱动电源模块BSMl0GD60DN2驱动离心机的电机。故障是由于电源模块BSMl0GD60DN2损坏引起的。采用东芝三相桥式IGBT电源模块MG25Q6ES42代替BSMl0GD60DN2，并更换已烧毁的栅极电阻后。开机试验，仪器恢复正常。     

介质靶表面的充电效应对等离子体浸没离子注入过程中鞘层特性的影响

针对等离子体浸没离子注入技术在绝缘体表面制备硅薄膜工艺，采用一维脉冲鞘层模型描述介质靶表面的充电效应对鞘层厚度、注入剂量及靶表面电位等物理量的影响.数值模拟结果表明：随着等离子体密度的增高，表面的充电效应将导致鞘层厚度变薄、表面电位下降以及注入剂量增加，而介质的厚度对鞘层特性的影响则相对较小. 关键词： 等离子体浸没离子注入 脉冲鞘层 绝缘介质 充电效应     

Nanoporous Structure in Low-Dielectric Films with Positronium Annihilation Lifetime Spectroscopy

We investigate nano-porous structures in thin low-dielectric films, i.e. the pore sizes, distributions, and interconnectivity, by using depth profiled positronium annihilation lifetime spectroscopy (PALS). It is found that PALS has good sensitivity to probe both interconnected and closed pores in the range from 0.3nm to 3Onto, even in the film buried beneath a diffusion barrier. A series of low dielectric constant films of organosilicon-silsequioxane with different weight percentages of porogen have been comparatively investigated. The PALS technique can be used to distinguish the open porosity from the closed one, to determine the pore size, and to detect the percolation threshold with the increasing porosity that represents the transition from closed pores to interconnected pores.Furthermore, the pore percolation length can be derived.     

具有消息恢复的数字签名方案的一个注记

对具有消息恢复的数字签名方案提出了两种攻击方法.此外,对原方案进行了改进,通过对改进方案的安全性分析得出结论:改进方案比原方案更安全,并且消息恢复过程只需要计算一次大数模幂乘和两次单向函数.     

圆柱和平板磁绝缘传输线的横向空间电荷流

根据电磁场理论及电子运动守恒方程导出传输线横向空间电荷流的数值模型和磁绝缘临界条件，对圆柱和平板情况进行了计算和讨论。     

光互联网的抗毁性设计研究

由于互联网层叠模型中多层都存在重复的保护与恢复机制，致使互联网的实现极其复杂，造成网络传输效率较低，而且拥塞。随着密集波分复用（DWDM）的广泛使用和网络底层性能的大幅度提高，已经不需要再对网络中多层进行重复保护与恢复。在此基础上，采用了未来光互联网3层 (应用层、IP层和光互联层) 协议模型，并对其中的光互联层的保护进行了深入的研究，提出了部分共享备用路径保护(P-SPP)方法。此模型能充分利用IP层电子的灵活恢复机制与光互联层的快速保护与恢复机制，提高光互联网的传输性能，以适应目前高速发展的互联网对传输带宽的要求。     

化合物半导体-绝缘体界面的界面态(续)

 三、界面态连续体的动态响应和分布多年来的大量研究结果表明把界面态处理为局域在半导体界面平面处的经典理论完全不能够解释化合物半导体-绝缘体界面的行为特点,从而使人们逐渐认识到界面态的空间分布特征.图3为半导体界面的能带结构示意图.在实际的I-S界面上,界面态是在绝缘体-半导体界面附近,在能量上和空间上的连续分布体(如图中点所示). 这里以n型半导体为例,通过绝缘体中的界面态对电子的捕获和发射过程说明界面态动态响应的特点.由于势垒△Ec的存在,空间分布的界面态与电子的作用只能依介量子力学的隧道效应得以进行.     

奇次矩形元导数恢复算子的新构造及其强超收敛性

考虑奇次矩形元导数的强超收敛问题, 为了做导数后处理, 利用投影型插值,提出一类新的离散的最小二乘分片恢复技术, 并且证明此类恢复导数具有强超收敛性.     

电感储能功率调节装置小型化设计

介绍了电感储能功率调节装置的小型化结构设计，以及装置在高电压大电流条件下绝缘性能的优化设计。在以电容器（2μF、充电电压62kV)为初始能源条件下，在80Ω电阻负载上获得电压大于700kV、脉宽大于100ns、前沿小于50ns的脉冲输出，性能稳定可靠。