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1.
新型XRD不论是响应特性,还是外形体积,都必须满足谱仪小型化的要求。其次,需考虑色散元件,谱仪仍采取滤波法。由于三倍频打靶M带辐射强度大幅度提高,高能尾部对输出信号的贡献很大,所有探测道都必须抑制高能尾部,用掠入射平面镜截止的能量就更高。用平面镜截止高能X射线的途径:一是平面镜使用高原子序数材料,二是减小掠射角。 相似文献
2.
3.
The photoproduction of K+ mesons from the nucleon provides important constraints on the nucleon excitation spectrum and at threshold energies challenges effective field theories based on chiral perturbation in the strange quark sector. Preliminary cross-section measurements for γ(P, K+)A are presented at an unprecedented beam energy resolution. The data was collected at the MAMI-C facility in Mainz using the Crystal Ball Detector. A new method of K+ detection was used in which the K+ is tagged from its weak decay products in the detector crystals. This technique has application with other calorimeters at present and future hadron facilities. 相似文献
4.
5.
本文提出了一种应用于光纤延时系统中实现光纤延时精密测量的新方法,用以提高光纤延时测量的精度和准确性.该方法以1064 nm激光调制信号作为光源,通过测量回波信号的幅值和相位信息得到被测通道的频率响应,采用快速傅里叶逆变换得到被测目标的延时信息,实现光纤延时测量.本文通过理论分析和延时测量实验对频域反射法与传统的时域测量方法进行对比,使用频域反射法在调制频率范围10—200 MHz,采样频率间隔0.5 MHz的实验条件下,实现了3.3 ps延时测量分辨率,并证明了该方法具有比时域方法更高的测量精度,测量结果的准确性更好. 相似文献
6.
2005年的诺贝尔物理学奖授予了现代光学领域的科学家,其中诺贝尔奖的一半授予了哈佛大学的Roy J.Glauber教授,以表彰他在光的量子相干性理论方面的突出贡献,诺贝尔奖的另外一半授予了美国科罗拉多大学与美国国家标准技术研究院联合实验(JILA)的John L.Hall教授和德国慕尼黑大学教授、马克斯普朗克-量子光学研究所所长TheodorW.Hansch教授,以表彰他们在光的超高精密测量方面的突出贡献,文章介绍了三位诺贝奖得主的贡献及其意义. 相似文献
7.
单晶硅球间微量密度差异测量是阿伏伽德罗常数量子基准定义的重要研究内容, 也是半导体产业中高纯度单晶硅制备工艺质量控制的主要方法. 为了改善现有非接触相移干涉法测量装置复杂和静力称重法测量不确定度低的特点, 根据单晶硅密度精密测量需要, 实现了一种基于静力悬浮原理的单晶硅球密度相对参比测量方法. 通过改变静压力和温度进行三溴丙烷和二溴乙烷混合液体密度的微量调节, 分别使两个待测单晶硅球在液体中悬浮, 根据悬浮状态时的液体温度和悬浮高度计算出待测单晶硅球密度差值. 通过双循环水浴和PID温度控制系统实现±100 μK的恒温液体测量环境. 通过图像识别和迭代拟合算法实现单晶硅球悬浮高度的测量. 使用PID静压力控制系统实现单晶硅球的稳定悬浮控制, 同时减少Joule-Thomson效应引起的液体温度改变. 利用静力悬浮模型中的温度变化和静压力变化线性关系准确测量出标准液体的压缩系数. 试验结果表明, 这种测量方法可以避免液体液面张力的影响, 测量相对标准不确定度达到2.1×10-7, 能够实现单晶硅球密度差值的精密测量. 相似文献
8.
9.
基于压电陶瓷精密微位移系统的扫描探测技术是目前精密测量仪器进行微纳区域/结构性能测试的核心系统,但压电陶瓷材料存在迟滞、非线性问题,限制了对微位移分辨能力的提升.本文以金刚石氮空位色心为敏感单元,利用电子自旋效应对磁场强度的高分辨敏感机理,结合永磁体周围不同位置对应的磁场强度变化关系,提出了一种基于金刚石氮空位色心电子自旋敏感机理的微位移检测方法.通过建立电子自旋效应与微位移的关联模型,搭建了相应的微位移测量系统.经实验验证,该系统对微位移测试的灵敏度为16.67 V/mm,检测分辨率达到60 nm,实现了对微位移的高分辨率测量.并通过理论分析,该系统的微位移测量分辨率可进一步提升至亚纳米级水平,为新型微位移测量技术提供了发展方向和研究思路. 相似文献
10.