从立方抛物线谈起(1)--余弦型振动,椭圆余弦型振动与双曲线型非周期运动

从立方抛物线的特性谈起 ,用较初浅的方法 ,借助于雅可比椭圆函数求椭圆方程的解来说明一大类一维保守系统的余弦振动、椭圆余弦型振动与双曲线型非周期运动 .并以杜芬振子、单摆、倒摆、转动圆环上的小环运动为典型实例作了详细讨论     

SiC多型体X射线定量分析的Rietveld方法

鉴于ＳｉＣ多型体的主要衍射线完全重叠，用常规Ｘ射线粉末衍射方法确定ＳｉＣ陶瓷材料中多型体含量的分布是非常困难的，提出以Ｘ射线粉末衍射全谱拟合的Ｒｉｅｔｖｌｄ方法进行ＳｉＣ多型体定量分析，阐述了原理及方法，对含３Ｃ，４Ｈ，６Ｈ和１５Ｒ４种多型体衍射数据的定量分析结果表明，Ｒｉｅｔｖｅｌｄ方法可对ＳｉＣ材料中常见多型体的定量分析给出准确的结果，还给出了各自的标准偏差，并估计了该方法对各多型体能给出精确     

碳化硅压腔和高压下的中子衍射

使用宝石级碳化硅晶体作为压砧材料，成功研制出了碳化硅压腔（MAC），并应用全景式MAC进行了高压下物质的中子衍射实验研究。结果表明，MAC是一种既能产生高的压力又具有大的高压样品室的装置，特别适合于高压下的中子衍射研究。     

系列类立方烷型Fe4S4簇合物的XPS分析

对7种类立方烷型Fe_4S_4簇合物进行了XPS分析,得到了中心离子Fe的价态,给出了系列Fe_4S_4中骨架硫的结合能,由峰合成结果给出各种S、N的比例与按结构式计算的结果相同。     

宽禁带半导体SiC的离子束合成,掺杂隔离与智能剥离

碳化硅作为新一代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、抗辐照电子器件中有着十分广阔的潜在应用前景．文章结合作者的工作，综述了离子束技术在ＳｉＣ研究中的应用，其中包括ＳｉＣ的合成、掺杂、器件隔离和智能剥离．     

也谈关于九位完全立方数心算开立方法

《黑龙江珠算》1992年第6期上刊有陈启鸿同志的《关于九位完全立方数心算开立方法》一文，他是根据三位数的立方分别归纳列出公差数，用来判定心算开立方求次根的。但心算开立方求三位根的次根，必然要记公差和判三根为偶数或5的次根，耍有一个比较过程。     

立方介孔相含钇氧化硅的合成与表征

以低浓度的十六烷基三甲基溴化铵为结构导向剂,在碱性条件下通过水热法合成了具有立方结构的含钇Y MCM 48介孔分子筛材料。XRD测试表明当Y/Si<0.05时可以获得典型的长程有序介孔立方结构相,随Y/Si比的增加,晶胞参数的增大和红外吸收光谱(FTIR)的变化为Y进入介孔分子筛骨架中提供了有力证据。N2吸附-脱附实验给出这种立方介孔材料的BET表面积为1180m2·g-1,BJH平均孔径为3.4nm。紫外 可见漫反射光谱(UV vis)证明钇以一种六配位的形式存在。X射线光电子能谱(XPS)进一步证明钇以三价形式存在于立方介孔分子筛骨架中。