全文获取类型
收费全文 | 4121篇 |
免费 | 1969篇 |
国内免费 | 830篇 |
专业分类
化学 | 1162篇 |
晶体学 | 101篇 |
力学 | 310篇 |
综合类 | 67篇 |
数学 | 151篇 |
物理学 | 5129篇 |
出版年
2024年 | 40篇 |
2023年 | 165篇 |
2022年 | 197篇 |
2021年 | 177篇 |
2020年 | 161篇 |
2019年 | 132篇 |
2018年 | 137篇 |
2017年 | 157篇 |
2016年 | 157篇 |
2015年 | 192篇 |
2014年 | 341篇 |
2013年 | 281篇 |
2012年 | 339篇 |
2011年 | 259篇 |
2010年 | 272篇 |
2009年 | 298篇 |
2008年 | 336篇 |
2007年 | 280篇 |
2006年 | 315篇 |
2005年 | 349篇 |
2004年 | 330篇 |
2003年 | 292篇 |
2002年 | 232篇 |
2001年 | 181篇 |
2000年 | 156篇 |
1999年 | 114篇 |
1998年 | 135篇 |
1997年 | 111篇 |
1996年 | 116篇 |
1995年 | 88篇 |
1994年 | 103篇 |
1993年 | 77篇 |
1992年 | 86篇 |
1991年 | 116篇 |
1990年 | 105篇 |
1989年 | 43篇 |
1988年 | 15篇 |
1987年 | 14篇 |
1986年 | 9篇 |
1985年 | 6篇 |
1984年 | 3篇 |
1983年 | 1篇 |
1982年 | 2篇 |
排序方式: 共有6920条查询结果,搜索用时 15 毫秒
2.
3.
4.
5.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature. 相似文献
6.
With a resonant cavity inserted between the second slow-wave-structure section and the tapered wavegulde, a new structure of the multlwave Cerenkov generator (MWCG) operating at low guiding magnetic field is proposed to produce high efficiency and high power microwave. Some features and potential advantages of the proposed device are analysed. The 2.5-dimensional partlcle-in-cell simulation is employed to verify the initial expectation.The results show that, with the use of an electron beam of 640keV and 8.4kA guided by the magnetic lield of 0.6 T, a stable and monochromatic X-band microwave output of 4 GW in peak power is achieved, and the average efficiency is over 30%. 相似文献
7.
利用场发射显微镜和四极质谱计研究了充入高纯O2的四极质谱和O2对单壁碳纳米管场发射的影响.单壁碳纳米管经过约1000℃的热处理得到清洁态场发射像后,充入O2,分别测量了O2吸附和脱附后场发射的I V特性.实验观测到在单壁碳纳米管上O2的吸附使场发射电流减小,说明逸出功增加.在10-4Pa的O2压强下对单壁碳纳米管进行约1000℃的热处理,可以产生氧化刻蚀作用,观测到场发射像的变化,并测量了氧化刻蚀产生的I V特性变化.
关键词:
单壁碳纳米管
场发射显微镜
场发射
四极质谱 相似文献
8.
9.
信息化时代随着计算机技术的普及来到我们面前,其突出表现是信息总量和信息交换的剧增,因此,发展海量存储技术日趋重要。随着信息及计算机技术的不断发展,对其作为主要工具的记录媒体的需求越来越大,要求越来越高。记录媒体中大多数磁盘、磁光盘、光盘是以相关靶材磁控溅射而成的,因此,为满足信息记录媒体的高密度化、小型化和低价格化,需要对其相关靶材的成分、制造工艺、性能和溅射工艺做进一步研究。目前,随着新材料的开发和记录媒体的发展,磁光盘、光盘用靶材市场在不断增长。尤其近几年CD、VCD、DVD市场的迅速扩大,其相关靶材的前景也日益被看好。 相似文献
10.
将爆磁压缩等效为电流源的方法,对爆磁压缩发生器通过脉冲变压器对脉冲形成线充电进行了理论分析,得出爆磁压缩发生器在负载上产生电流波形(简称负载电流)为直线情况和任意电流波形情况下充电电流和充电电压的表达式。分析表明变压器耦合互感与负载电流随时间变化增长率是脉冲形成线充电的两个重要参数,脉冲形成线第一个充电电压峰值与变压器的耦合互感和负载电流波形斜率成正比,负载电流波形斜率的变化可以改变充电电压峰值的时间,斜率不断增加可以延长第一个充电电压峰值时间,从而可能增加充电电压的幅值,提高爆磁压缩发生器能量的利用效率。 相似文献