从电磁感应定律看负磁导率的产生过程

以左手材料中产生负磁导率的开口谐振环结构模型为例,从磁导率的定义出发,借助于电磁感应定律,推导了负磁导率的产生过程.     

从微观角度理解顺磁介质的非线性性质

假设磁矩和外磁场之间的相互作用服从量子力学,可以建立顺磁介质的微观模型。简单的微观模型是,外磁场中的近独立自旋粒子系统。统计物理计算结果发现磁化率和磁场的关系一般来说为具有非线性性质。     

软铁磁薄板磁弹性屈曲的理论模型

铁磁弹性薄板的磁弹性屈曲问题一直作为电磁——弹性力学相互作用的一个基本模型进行研究，而作用在其磁介质上的磁力计算则是定量理论预测准确与否的关键．到目前为止，文献上已有的理论模型对悬臂铁磁梁式悬臂板在横向磁场中磁弹性屈曲的理论预测值始终高于实验值，有的甚至相差１００％左右．本文基于电磁力计算的微观安培电流模型，严格给出了软铁磁薄板等效横向磁力的宏观计算表达式．在此基础上，建立了电磁——力学相互耦合作用的非线性理论模型．该模型能描述铁磁薄板结构在非均匀横向磁场环境中的磁弹性失稳（或屈曲）．其定量分析采用了有限元法和有限差分法相结合．数值结果显示：本模型给出的磁弹性屈曲的临界磁场值与实验值符合良好．与此同时，文中还对文献中认为较成功的Ｍｏｏｎ－Ｐａｏ模型的基本假设进行了分析．定量结果发现：Ｍｏｏｎ－Ｐａｏ理论模型的基本假设仅在梁式板的长厚比Ｌ／ｈ比较大时（约在２００左右），是可以接受的，而当Ｌ／ｈ较小时，该假设将导致理论值与实验值的较大误差．Ｌ／ｈ比值越小，理论值与实验值的误差越大     

磁介质磁化的演示装置

1.问题的提出在普通物理的教学中,磁介质的磁化是比较重要的一部分内容。其中弱磁质的磁化现象比较抽象,初学者难于理解。由于弱磁质的磁化现象很微弱,比铁磁质要弱上几百～几千倍,故在一般的磁场中无法直接观察到。可是如果能把磁场强度提高几百～几千倍,此现象就能象铁磁质磁化那样易于观测了。笔者设计了一种简易的演示装置,利用     

计算电介质电场的一种方法

通过电介质和磁介质的类比，以较简捷的方法得出了文〔１〕曾得出的以“流”的观点计算电场的方法。     

关于磁介质的抗磁性机理

本文从物理磁性的基本起源“分子电流”出发,通过分析电子在外磁场中的旋进,严格分析了磁介质的抗磁性的微观机理。     

通电的滑动变阻器和螺线管的 磁效应缘何不同

通电的滑动变阻器激发的磁场怎么检测不到? 文章从实验和理论上进行了探讨     

碳化硅表面硅改性层的磁介质辅助抛光

为了实现碳化硅表面硅改性层的精密抛光,获得高质量光学表面,对磁介质辅助抛光技术进行研究。设计了适合碳化硅表面硅改性层抛光的磁介质辅助抛光工具,并对抛光工具的材料去除函数进行研究。针对材料去除函数的特性,对数控磁介质辅助抛光的驻留时间算法进行了研究。采用磁介质辅助抛光技术对碳化硅表面硅改性层平面样片进行了抛光实验。经过一次抛光迭代,碳化硅样片表面硅改性层的面形精度(均方根)由0.049λ收敛到0.015λ（λ=0.6328 μm）,表面粗糙度从2 nm改善至0.64 nm。实验结果表明基于矩阵代数的驻留时间算法有效,磁介质辅助抛光适合碳化硅表面硅改性层加工。     

均匀磁化介质椭球的退磁因子及退磁场

在椭球坐标系中求解了均匀椭球磁介质在匀强磁场中的磁化问题,得到了空间磁标势、磁场、介质中退磁场和退磁因子的表达式,研究了椭球形状与退磁因子的关系,分析了介质磁化率对退磁场方向的影响.结论为:椭球磁介质内的退磁场是匀强磁场;退磁因子的大小与椭球形状有关,与椭球大小无关,沿椭球长轴方向的退磁因子较小;一般而言退磁场方向与外磁场方向既不相同也不相反.铁磁质椭球内的退磁场几乎与外磁场反向.     

论磁介质系统热力学函数的两种定义及其麦克斯韦关系

从磁介质系统四个热力学函数（内能、焓、自由能、吉布斯）的两种不同定义方式出发，导出了与之相应形式上并不完全相同的两组麦克斯韦关系，并对两组麦克斯韦关系彼此之间的等价性作了论证。