HL-2A装置硅化对杂质线辐射的影响

在2004年的实验中，首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理，在这种硅化器壁的条件下，对轻重杂质的线辐射进行了研究，并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中，通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗，研究了硅化对氢再循环的影响。     

HL-1M装置真空室硅化的研究

GDC（He SiH4）是为HL－1M装置研制的一种常规壁处理技术。在He辉光等离子体条件下,通过气相中的电子碰撞离解、电离、离子－分子反应和在壁面上的He^ 诱导脱H2过程,在清洁的真空壁表面沉积一层无定形、半透明、致密的氢化硅（α－Si:H）薄膜。氢化硅具有良好的H（D）捕获、H2（D2）释放,能显著地降低再循环系数,有效地控制杂质水平,大大拓宽了HL－1M装置的运行范围,为HL－1M装置的LHCD、ICRH、ECRH、NBI、PI和MBI实验提供了良好的真空壁条件。     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

HL—1M装置器壁硅化对电子速率分布的影响

在欧姆加热和低混杂波电流驱动条件下,利用磺化汞半导体探测器和碘化钠和探测器测出了ＨＬ－１Ｍ装置的Ｘ射线能谱,研究了器壁硅化前后电子速率分布和电子温度变化的特点,给出了Ｘ射线辐射强度与ＬＨＣＤ能量沉积的关系。     

交联酶聚集体与仿生硅化技术结合制备固定化脂肪酶

将交联酶聚集体(CLEAs)与仿生硅化技术相结合,制备了交联脂肪酶Candidasp.99-125杂化生物催化剂.以京尼平为交联剂,在最佳条件下制得的脂肪酶CLEAs的酶活达771U/g,回收率达75%;保护剂聚乙烯亚胺(PEI)与Candidasp.99-125脂肪酶共沉淀制备P/CLEAs,其酶活达897U/g,回收率约88%;利用PEI的诱导作用,在P/CLEAs表面形成氧化硅涂层,制得的脂肪酶CLEAs(Coated-CLEAs)显示出良好的稳定性,特别是其抗蛋白酶水解能力、有机溶剂耐受能力、重复使用性能等方面明显提高.     

Siliconization for Wall Conditioning and Its Effect on Plasma Performance in HL-2A Tokamak

1 Experiments HL-2A tokamak is characterized by a large closed divertor chamber. Before the experimental campaign 2005 the surface of the shielding plates for the MP1 and MP2 has been covered with 2-D carbon fibre composite （about 30% of the first wall）, which can protect the first wall, and effectively shield the splash of heavy metal impurity. The vacuum vessel can be baked up to 120 ℃for degassing and a glow discharge device is installed in the vessel for cleaning the inner surface. Hydrogen glow discharge cleaning （GDC） is applied to remove impurities from the wall, and helium glow discharge cleaning for removing residual hydrogen.     

不同金属基体上的MoS2纳米微粒LB膜摩擦学行为研究

研究了Ｃｕ,Ａｇ及Ａｕ等金属基体上二烷基二硫代磷酸修饰ＭｏＳ２纳为微粒ＬＢ膜的摩擦学性能,用红外显微镜分析ＬＢ膜在摩擦过程中的结构变化,用电子探针分析考察不同金属基体上ＬＢ膜的磨痕形貌,结果表明：ＤＤＰ修饰ＭｏＳ２纳米微粒ＬＢ膜可有效低Ａｇ和Ｃｕ与ＧＣｒ１５钢对摩时的摩擦系数,该ＬＢ膜极易向对偶转移并摩擦过程中发生摩擦化学变化,主要包括无序化转变及修饰剂的部分分解,无机纲米核起主要承载和抗磨作用,     

一种新型光电材料—β—FeSi2的结构,光电特性及其制备

β－ＦｅＳｉ２是近年来发展起来的新型硅基光电材料，详细介绍了β－ＦｅＳｉ２的结构，电学、光学性质以及它的制备技术。对目前存在的问题以及未来的研究动向作了简要的讨论。     

HL—1M装置硼化,硅化和锂涂覆壁的出气特性

借助ＱＭＳ诊断技术，完成了ＨＬ－１Ｍ装置Ｂ化，Ｓｉ化和Ｌｉ涂覆壁的出气特性的对比实验研究。     

HL—1M装置第一壁的硅化和锂涂覆

用ＳｉＨ４与Ｈｅ混合气体辉光放电和真空室原位蒸锂并借助Ｈｅ辉放放电的等离子体气相沉积法，对ＨＬ－１Ｍ装置的内壁，分别进行硅化和锂涂覆。