离子束合成钇硅化物的结构及红外谱特征

将稀土金属钇离子注入到n型单晶Si(111)中制备出钇硅化物埋层.利用x射线衍射、卢瑟福背散射和傅里叶红外吸收谱测量分析了样品的结构、原子的埋层分布和振动模式.结果表明，Y离子在注入过程中已与基底中的Si原子形成了YSi2结构相.真空下的红外光辐照处理促使YSi2择优取向生长，埋层中Si与Y的平均原子浓度比由24下降为20，与六方YSi2的化学计量比一致.还给出了钇硅化物的特征红外吸收谱.     

在小硅化物SiX^m4（X=H,He,Li,Be,O,F,Ne,Na,Mg,S,Cl,Ar;m=0,…

用从头算方法，在ＨＦ／ＳＴＯ－３Ｇ、ＨＦ／３－２１Ｇ和ＨＦ／６－３１Ｇ水平上研究了小硅化物ＳｉＸ＾ｍ４的成键倾向性。计算结果表明，所研究的分子势能曲线均有稳定的极小值（ＳｉＬｉ４除外）。与已知的稳定分子ＳｉＨ１、ＳｉＦ４和ＳｉＣｌ４比较，含惰性元素的未知分子ＳｉＨｅ＾４＋４、ＳｉＮｅ＾４＋４和ＳｉＡｒ＾４＋４比含碱金属和碱土金属的未知分子ＳｉＬＩ４、ＳｉＮａ４、ＳｉＢｅ＾４＋４和ＳｉＭｇ＾４＋４有     

Si衬底上生长的铁硅化合物结构和取向分析

采用分子束外延法分别在650-920 ℃的Si（110）和920 ℃的Si（111）衬底表面生长出铁的硅化物纳米结构,并主要分析了920 ℃高温下纳米结构的形貌、组成相及其与Si 衬底的取向关系. 扫描隧道显微镜（STM）研究表明,920 ℃高温下,Si（110）衬底上生长的铁硅化合物完全以纳米线的形式存在,且其尺寸远大于650 ℃低温下外延生长的纳米线尺寸;Si（111）衬底上生长出三维岛和薄膜两种形貌的铁硅化合物,其中三维岛具有金属特性且直径约300 nm、高约155 nm,薄膜厚度约2 nm. 电子背散射衍射研究表明920 ℃高温下Si（110）衬底上生长的纳米线仅以β-FeSi₂的形式存在,且β-FeSi₂相与衬底之间存在唯一的取向关系：β-FeSi₂（101）//Si（111）;β-FeSi₂ [010]//Si[110];Si（111）衬底上生长的三维岛由六方晶系的Fe₂Si 相组成,Fe₂Si 属于164 空间群,晶胞常数为a=0.405 nm,c=0.509 nm;与衬底之间的取向关系为Fe₂Si（001）∥Si（111）和Fe₂Si[120]//Si[112].     

一种制备金属硅化物的离子束新技术

一种制备金属硅化物的离子束新技术柳百新，朱德华，卢红波（清华大学材料科学与工程系，北京１０００８４）随着目前超大规模集成电路的迅速发展，要求器件尺寸按比例缩小，线宽也要求相应变窄。而多晶硅的薄层电阻极限为３０－６０／口，因此器件尺寸的进一步减小就被栅...     

类小硅化物SiXm（X—H,F,Cl;m=1—4）中平衡几何和振动频率…

本文使用分子轨道从头算方法，在ＨＦ／６－３１Ｇ和ＭＰ２／６－３１Ｇ水平下，计算了小硅化物ＳｉＸｍ的平衡几何和谐振子振动频率。理论值和实验值的比较表明，对于ＳｉＨｍ分子，实验的键长位于ＨＦ键长和ＭＰ２键长之间，而ＭＰ２振动频率更接近于实验的振动频率。对于ＳｉＣｌｍ分子，无论是键长还是振动频率ＨＦ值和ＭＰ２值都比较接近。以于ＳｉＦｍ分子，处于这两类的中间情况，关联作用随着Ｘ原子的原子序数的增加而减弱。     

强流金属离子束材料表面改性研究

综合评述了本课题组在金属离子注入钢强化机理、表面摩擦学、抗磨损特性、离子注入表面热化学效应、硅化物合成、表面抗氧化和抗腐蚀研究中所取得的新的实验结果． A review of our research work is given in this paper. It is about strengthening mechanism; surface trobology; resistance in wear, oxidation and corrosion; thermal atom chemistry in steel during ion implantation; silicides synthesis.     

压力下超导RbBSi化合物的预测（英文）

对RbBSi化合物在0～100 GPa压力范围内进行了广泛的群体智能结构搜索。提出了RbBSi的3种不同相,并通过第一性原理计算了其稳定性、电子结构和潜在的超导电性。在所研究的压力范围内,所有预测相在热力学和动力学上都是稳定的。3个相的能带都穿过费米能级,表明结构具备金属性。此外,P4/nmm-RbBSi在常压下的超导转变温度为14.4 K。这项工作加深了人们对碱金属硼硅化合物在超导体领域的理解,有望拓宽碱金属硼硅化合物在超导体领域的应用。     

Si(001)表面稀土金属硅化物纳米结构

稀土金属元素的硅化物在n型硅衬底上具有高电导率和低肖特基势垒的特点,在大规模集成的微电子器件领域具有很好的应用价值.文章系统介绍了在Si(001)表面自组装生长的稀土金属硅化物纳米结构的研究进展,较全面地讨论了退火温度、退火时间以及稀土金属表面覆盖度等生长条件对纳米结构生长的影响作用,并在此基础上分析了纳米线、纳米岛的晶化结构,衬底对纳米结构生长的影响,以及纳米结构的演化过程.搞清楚这些内在的生长机理,有助于人们今后实现可严格控制稀土金属硅化物纳米结构的形貌尺寸和分布的自组装生长.此外,文章还介绍了目前人们对稀土金属硅化物纳米线电学性质的研究进展.     

还原-硅化法制备稀土硅化物（NdSi2，YSi2）纳米晶及其性能(英)

本文采用无水的氯化钕和氯化钇及硅粉作为起始原料，在高压釜中在650 ℃的温度条件下，通过还原-硅化途径成功地合成了硅化钕（NdSi₂）和硅化钇（YSi₂）。X射线衍射结果显示他们分别是四方相的二硅化钕和六方相的二硅化钇结构。透射电镜照片表明他们的平均粒径分别是40 nm和60 nm。样品的光致发光结果说明他们在波长分别为441 nm和366 nm处能发光。热重曲线显示他们在流动空气的介质中在550 ℃以下具有很好的抗氧化性。     

Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉的制备与发光性能

以α-Si3N4,SrCO3,Eu2O3为原料,采用碳热还原氮化法制备了Sr2Si5N8:Eu2+荧光粉.研究了材料的结构与光谱特性,分析了影响材料发光性能的工艺因素.结果表明,石墨粉含量和助熔剂的用量对Sr2Si5N8相的形成和发光性能有重要影响.当nc/nSr=1.5,助熔剂用量为4wt%时,合成样品的主晶相为正交晶系Sr2Si5N8,在400～550 nm可见光激发下,可发射峰值波长位于 609nm荧光.激发带的位置与Eu2+离子浓度无关,为400～550 nm之间的宽带激发;但发射强度随Eu2+离子浓度的增加而增加.Eu2+离子浓度达到5mol%时发射强度达最大值,在Eu2+离子浓度为2mol%～5mol%之间,观察到发射峰的红移现象.