氧化镍薄膜的制备及电化学性质

分别采用真空蒸镀_热氧化(VE_TO)及脉冲激光沉积(PLD)技术制备氧化镍(NiO)阳极薄膜材料,并利用XRD、SEM、循环伏安、充放电等方法对薄膜的结构和电化学性能进行了表征。结果表明,两种方法均制备了厚度均匀、表面光滑、与基片结合紧密、无缺陷、致密的纳米晶形NiO薄膜。采用PLD技术制备的薄膜颗粒更小、结构更有序,具有更高的电化学比容量,并且能承受大电流充放电。因此,这两种方法制备的NiO薄膜可根据充放电电流密度的要求有选择的应用于全固态薄膜锂离子电池中。     

激光技术在薄膜科学中的应用

膜的一维尺寸大大小于其余两维。一般把厚度小于1μm的膜称为薄膜,反之则称为厚膜。由于薄膜材料具有许多优异性能,因此近年来薄膜科学的发展极为迅速,涌现出许多薄膜制备技术与方法,如真空蒸发沉积、磁控溅射沉积、离子束溅射沉积、金属有机物化学气相沉积和分子束外延等等。虽然这些各具特色的方法在薄膜研究中得到了广泛应用,但是都各具局限性,不能满足薄膜研究和制备的需要,而激光则具有单色性和方向性好、功率密度高等一系列优点。激光沉积薄膜的方法主要分为两类:一类是激光化学反应沉积,如激光化学气相沉积(laser chemical vapor dep…     

用传统光学薄膜技术改进菲涅耳波带板

利用二元光学理论改进菲涅耳波带板, 能大幅度提高衍射效率.本文介绍利用传统的照相复制和真空镀膜技术制作位相型菲涅耳波带板的方法, 指出了膜料选择和膜厚控制的依据, 实测了位相台阶数为2时的衍射效率, 为通常菲涅耳波带板的近4 倍.     

锂离子电池锡薄膜负极制备及电化学性能研究

应用真空蒸发法在泡沫铜基底上制备锡薄膜负极.XRD、SEM分析表征薄膜的物相结构及其微观形貌,并测试了材料的电化学性能.结果表明,泡沫铜基底的三维结构增强了活性物质与基底的结合力.在同一基底温度下,锡颗粒随蒸发时间延长逐渐增大,电池电化学性能降低;而在同一时间内,升高基底温度,颗粒无明显变化,电池循环寿命有了很大提高.样品A″电池(基底温度:200℃,蒸发时间:0.5 h)经100次充放电循环后比容量仍达407.3 mAh·g-1.     

顺酐生产中废水治理方法的改进

目前普遍应用的两种顺酐废水治理方法,生物法和传统真空蒸发法,都存在着运行成本高和不能将废水中有用物质充分回收的缺点.经过对传统真空蒸发法的改进和完善,使顺酐废水的治理既达到零排放的目的,又回收生产了富马酸合格产品,创造了经济效益.     

真空蒸发镀膜膜厚的测量

测量镀膜厚度的方法有很多,在实验室现有的条件下,探究光学干涉方法测出镀膜厚度,其中光学干涉方法包括两种：一是根据多光束干涉的原理,利用读数显微镜测量镀膜的厚度;二是根据自光干涉的原理,利用迈克尔逊干涉仪测量镀膜的厚度。     

基于Si衬底的CdSe薄膜蒸镀工艺研究

采用真空蒸发技术在Si(100)基底上制备了CdSe纳米晶薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、膜厚测试仪、原子力显微镜(AFM)方法对不同蒸发电流下制备的薄膜的结晶情况、表面形貌进行分析表征.结果表明:蒸发电流对CdSe薄膜的结晶性能和表面形貌有显著影响.当蒸发电流为75 A时,CdSe薄膜沿(002)方向的衍射峰相对较强,沿c轴取向择优生长优势明显,薄膜厚度约为160 nm,晶粒尺寸约为40 nm,颗粒均匀;薄膜表面平整光滑,表面粗糙表面粗糙度(5.63 nm)相对较低,薄膜结晶质量较好.     

衬底温度对SnS薄膜性能的影响

采用真空蒸发法在玻璃衬底上沉积硫化亚锡(SnS)薄膜,并对不同衬底温度沉积的薄膜性能进行了探讨.对薄膜的结构、表面形貌、成份、电学特性和光学特性进行了表征.实验发现,最佳的衬底温度为150℃;制备的SnS薄膜为多晶的斜方晶系,晶粒大小约为0.5 μm,Sn和S元素的化学计量比接近1,导电类型为P型,暗电导率、光电导率分别为 0.01 Ω-1·cm-1 和 0.08Ω-1·cm-1,禁带宽度为1.402 eV.     

真空沉积TCNQ薄膜的手性分形结构

分形是非线性科学中的一个重要分支,自１９７３年Ｍａｎｄｅｌｂｒｏｔ提出分形这一概念以来［１］,关于分形的实验和理论研究日益受到人们的重视［２,３］．自发现７,７,８,８ 四氰基对苯醌二甲烷（ＴＣＮＱ）与某些电子给体的复合物薄膜具有独特的电学特性［４,５］,至今人们对ＴＣＮＱ类薄膜器件进行了广泛的研究［６ -１０］．Ｇａｏ等［１１,１２］ 最早报导了真空离子团束 (ＩＣＢ)沉积的Ｃ６０ ＴＣＮＱ复合薄膜有独特的“海马”分形结构．由于ＩＣＢ沉积技术中的粒子有一定的荷电几率,而外加电场又会影响薄膜生长初期的分…