宏观放电参数对快原子态氮(N+,Nf)的影响

采用氮直流辉光放电等离子体中快电子和重粒子(N₂⁺,N⁺,N_f)混合的蒙特卡罗方法,模拟研究了快原子态粒子(N⁺,N_f)的产生率及轰击阴极的能量分布随宏观放电参数(P,V)的变化规律.结果表明,存在一最佳放电条件,使阴极壁处粒子(N⁺,N_f)的粒子数密度大且能量高;当电压大于800V时,轰击阴极的活性粒子(N⁺,N_f),主要由N₂⁺-N₂离解过程产生,电压小于300V时,主要由e^--N₂离解过程产生,模拟结果与实验结果相符合.     

Effects of Annealing on Schottky Characteristics in A1GaN/GaN HEMT with Transparent Gate Electrode

A1GaN/GaN heterostructure transistors are promising for power and switching applications. In addition, the transparent wide band-gap A1GaN/GaN heterostructure systems have received considerable attention to transparent electronics. Nowdays, Al-doped ZnO （AZO） thin film plays an increas- ingly important role in various fields of transparent electronics.The AZO-gated A1GaN/GaN HEMT with good dc characteristics and frequency character- istics has been reported. Annealing is widely used to improve the electri- cal characteristics of A1GaN/GaN HEMTs. It is re- ported that the Schottky leakage current can be re- duced by over four orders of magnitude by annealing in an A1GaN/GaN heterostructure with ITO/Ni/Au electrode. Pei et al. reported that the transparency of Ni/ITO gates of A1GaN/GaN HEMTs has been sig- nificantly improved after annealing. However, the evaluation of Schottky C V characteristics was ab- sent. Up to now, few results are reported on the Schot- tky annealing characteristics of AZO in A1GaN/GaN HEMT. Thus the effects of annealing on the leakage current, transparency and interface states character- istics need further study.     

高温超导直流输电电缆结构研究

高温超导直流输电电缆存在多种结构,按照不同方式可分为:单极型与双极同轴型、单液氮通道型与双液氮通道型。文中主要通过分析电缆的磁场分布特性及过流稳定性等两个方面,分别对每种分类进行了分析比较,结果表明:双极同轴型电缆对绝缘要求高,结构紧凑、功率密度大,不仅能够屏蔽磁场而且还能使磁场分布得到优化,从而提高带材临界电流、增大电缆的电流裕度;单液氮通道型电缆制冷方式单一但在过流工况下由于铜骨架的分流作用,具有更高的暂态稳定性。     

倾斜直流场下的介质板击穿统计分析

传统分析介质板次级电子倍增问题的粒子追踪算法方法存在运算耗时长、运算量大等缺点,为此采用统计方法实现了倾斜强直流场下介质击穿过程中次级电子倍增效应的数值模拟,给出了击穿过程中电子数量,电子渡越时间等关键参数的时间图像,同时研究了倾斜角、介质表面光滑度和次级电子产生率对次级电子倍增效应的影响。研究结果表明：强直流场下的次级电子倍增效应存在倾斜角的区域,倾斜角太大或者太小,都可能不会发生次级电子倍增效应,如果倾斜角位于区域内,则饱和状态时电子数目随着倾斜角度的变大而变小;选取光滑系数和次级电子产生系数越小的介质材料,抑制次级电子倍增效应的效果越好。     

空心阴极放电沉积氮化碳薄膜的结构和成键性质

利用空心阴极放电等离子体源在Si(100)衬底上沉积了氮化碳薄膜.用XRD,SEM,XPS及拉曼和红外吸收光谱对薄膜的结构、成分和化学键等进行了研究.XRD分析表明,制备的氮化碳薄膜为非晶结构.XPS分析证实了薄膜中以C—C,sp2CN和sp3CN键为主,并得出薄膜中的氮碳比为0.71,而sp3—CN相的含量也达到了0.39.拉曼和红外吸收光谱的结果也与XPS分析的键态结果一致.     

高温超导直流电缆系统设计及漏热分析

近年来,高温超导技术研究在输配电领域取得了显著的进展,超导电缆应用技术成为其重点发展方向。其中,冷却系统的设计是保证超导电缆输配电系统稳定运行的关键技术。针对一套高温超导直流电缆系统中的终端恒温器、电流引线和超导电缆本体等关键部件进行了漏热分析,并通过理论计算和有限元仿真,对高温超导电缆系统的热负荷进行了评估,为该系统可靠运行提供了保障。     

PN结电容与正向直流偏压的关系

半导体PN结具有电容的性质．在正向直流偏压下,理论计算表明,PN结扩散电容的对数与正向偏压成正比．实验发现,当正向偏压小于30mV时,这种线性关系是成立的;当正向偏压大于30mV时,会偏离这种线性关系．由于PN结还具有电阻特性,对交流信号的相位有影响．随着正向偏压增大,交流信号的相位变化出现一极值．如果将PN结等效为一个电容和一个电阻并联,就可以定性解释这种变化关系．     

ITER直流隔离开关短路试验研究

基于ITER极向场变流器系统,分析了直流隔离开关短路故障,提出ITER直流隔离开关短路试验要求。基于中国科学院等离子体物理研究所直流测试平台,为ITER直流隔离开关短路试验设计了先建立直流电压再闭合短路开关的后短路试验方案,包括选取变压器档位、计算试验电流所对应的直流电压等内容。通过仿真和试验验证了试验方案的可行性,试验结果证明了直流隔离开关对短路故障的抑制能力满足ITER极向场变流器运行要求。经分析计算,350 kA试验电流需要直流电压270 V。在试验中,预设直流电压270 V时,试验电流达不到350 kA,将预设直流电压提高到300 V后,试验电流峰值达到362.5 kA,且超过350 kA的部分达到100 ms。实际预设直流电压比理论计算值大30 V,这是电网电压的波动造成的。     

科学方法在高中物理教学中的应用

模型法、极端分析法、数学分析法、特殊值分析法等科学方法在中学物理中的综合运用,是培养中学生 解决问题能力、提高中学生科学素养的重要教学方法,教师在教学过程中应该善加利用. 以笔者的一次公开课为 例,说明如何在平时的中学物理教学中,巧妙地利用这些教学资源,培养学生的解题能力和科学素养     

合肥光源储存环的离子俘获与直流离子清洗

研究了合肥光源(HLS)电子储存环中离子产生、俘获的过程,离子对束流的影响,直流离子清洗的作用及清洗效果.为光源的高效率的运行提供了理论指导及实验依据.