首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1465篇
  免费   1160篇
  国内免费   387篇
化学   195篇
晶体学   68篇
力学   219篇
综合类   34篇
数学   98篇
物理学   2398篇
  2024年   23篇
  2023年   74篇
  2022年   77篇
  2021年   71篇
  2020年   43篇
  2019年   68篇
  2018年   58篇
  2017年   88篇
  2016年   70篇
  2015年   128篇
  2014年   190篇
  2013年   136篇
  2012年   124篇
  2011年   155篇
  2010年   143篇
  2009年   140篇
  2008年   149篇
  2007年   107篇
  2006年   143篇
  2005年   147篇
  2004年   126篇
  2003年   125篇
  2002年   68篇
  2001年   85篇
  2000年   76篇
  1999年   51篇
  1998年   51篇
  1997年   60篇
  1996年   38篇
  1995年   41篇
  1994年   33篇
  1993年   14篇
  1992年   35篇
  1991年   26篇
  1990年   19篇
  1989年   15篇
  1988年   3篇
  1987年   6篇
  1986年   2篇
  1985年   1篇
  1983年   1篇
  1982年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有3012条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
本文采用脉冲激光沉积方法在LaAlO3(001)单晶衬底上制备了反钙钛矿GaCMn3薄膜,通过控制制备过程中脉冲激光的能量,研究了不同激光能量条件对GaCMn3薄膜结构与物理性能的影响.分别利用X射线衍射仪、原子力显微镜、超导量子干涉仪和物理性能测试系统,对所制备的薄膜的晶体结构、表面形貌和磁性、电输运性质进行了研究.结果表明,制备的样品均为具有多个晶面取向的反钙钛矿薄膜,且薄膜结构和物性明显随制备激光能量的变化而变化.当激光能量为450mJ时,制备的薄膜多晶面取向性最弱,结晶性和表面形貌最优良.实验所得的薄膜均表现出顺磁-铁磁-反铁磁相转变,然而转变过程比块材较平缓,同时薄膜的电阻率并未表现出块材中的突变特征,我们推测该现象很可能是由衬底的应力及衬底的晶格膨胀对薄膜反常晶格变化的抑制作用造成的.  相似文献   
2.
3.
匀速运动的电偶极子的电场和磁场分布   总被引:4,自引:1,他引:3  
本文通过对电偶极子电磁势的分析和相对论下电磁场在不同惯性系中的协变分布,计算了作匀速直线运动的电偶极子的电场和磁场的空间分布.  相似文献   
4.
何琼毅  王铁军  高锦岳 《中国物理》2006,15(8):1798-1805
A simple three-level system is proposed to produce high index of refraction with zero absorption in an Er^3+-doped yttrium aluminium garnet (YAG) crystal, which is achieved for a probe field between the excited state 4I13/2 and ground state 4I15/2 by adjusting a strong coherent driving field between the upper excited state 4I11/2 and 4I15/2. It is found that the changes of the frequency of the coherent driving field and the concentration of Er^3+ ions in the YAG crystal can maximize the index of refraction accompanied by vanishing absorption. This result could be useful for the dispersion compensation in fibre communication, laser particle acceleration, high precision magnetometry and so on.  相似文献   
5.
The quantum coherence effects of the transition Fe = 2←→Fg = 3 depending on the polarization of the coupling and probe beam are observed in a Cs vapor cell. The splitting of electromagnetically induced transparency (EIT) window is observed when the degeneracy of two-level system is broken using a magnetic field. It is also shown that the splitted transparency points of two of three windows are shifted with the intensity of magnetic field ( i. e. Zeeman splitting in the upper and lower levels ) increasing. On the contrary, when we fix the intensity of magnetic field, and increase the Rabi frequency of the coupling beam, the splitted transparency peaks become wider. A qualitative agreement between experiment and theory is found.  相似文献   
6.
王玲桃  马西奎  邹建龙  杨梅 《物理学报》2006,55(11):5657-5666
对于一个由线性无损传输线加非线性边界条件组成的简单无穷维电磁系统,应用行波理论确定了电压反射波的局部映射关系.数值仿真结果表明,当系统参数发生变化时,传输线沿线电压存在着非常丰富的时空非线性现象.通过描绘出空间振幅变化图和时空行为发展图,定性分析了传输线沿线电压的时空混沌图案动态,为研究和理解时空混沌提供了一种良好的可求解模型. 关键词: 图案 时空混沌 无穷维系统 时延范德波尔电磁系统  相似文献   
7.
 1983年3月我曾以这个题目,在纪念中国物理学会成立五十周年大会上做过报告,介绍我国这三个规模宏大的科研工程的建造、进展的情况.当时与会同志对我国在科教经费总的偏低的情况下对基础研究的支持感到欣慰,对通过这三个工程表现出的技术水平和能力,产生了深刻印象.当然,也不是完全没有不同的看法.现在这三台装置,已经先后建成出束,性能达到国际水平,即将在我国研究与应用领域发挥巨大的作用,为我国许多空白学科创造了发展的条件,这是多么令人精神振奋的事情啊!  相似文献   
8.
 强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。  相似文献   
9.
利用北京谱仪Ⅲ探测器模拟和触发系统模拟程序,研究了北京谱仪Ⅲ电磁量能器的触发方案.根据物理目标设计了中性事例触发,巴巴事例判选和带电事例触发的方案,优化了各触发条件的参数,并仔细研究了对本底的排斥能力.研究了一批典型的物理道,给出了它们的触发效率,同时给出了预期的本底触发事例率.  相似文献   
10.
Magnetic properties and temperature dependence of electrical transport properties of rare-earth-metal Dy-doped GaN thin film are experimentally studied with a superconducting quantum interference device magnetometer and van der Pauw method. It was found that this thin nitride film has both semiconductor properties and ferromagnetism from 1OK to room temperature. The dopant-band (conducting band due to doping) electron conduction dominates the transport properties of this film at low temperatures. These results indicate that Dy-doped GaN is an n-type ferromagnetic semiconductor at room temperature.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号