HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失

研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性.     

百年回顾——纪念优秀的实验物理学家勒纳德

 勒纳德是德国杰出的实验物理学家。由于他在阴极射线方面所做出的突出贡献,获1905年诺贝尔物理学奖。勒纳德生平菲利普·勒纳德（P.E.A.Lenard,1862～1947）1862年出生在捷克的普雷斯布格,曾先后在布达佩斯大学、维也纳大学、柏林大学和海德堡大学学习物理,得到本生、赫兹、亥姆霍兹和昆开等人的指导。1892年起任波恩大学讲师,并担任赫兹的助手,1894年被聘为布雷斯劳大学教授。1895年任埃克斯-夏佩勒大学物理教授,1896年任海德堡大学理论物理教授,1898年成为基尔大学教授。勒纳德曾于1886年获海德堡大学博士学位,1911年获克里斯蒂安尼亚（现奥斯陆）大学博士学位,1922年获     

通过设问，培养学生的思维能力

新颖、有趣而富有吸引力的问题,往往能创造诱人的学习情境,激发学生的求知欲,是有利于培养学生的创新意识和创新精神.精于设问,能活跃课堂气氛,使学生通过自己的积极思维而掌握新课内容.精于设问,能使学生更深刻地理解教学中基本概念的实质,更灵活地运用所学的基本知识,使学生逐步学会思考的方法,增强学习的兴趣与信心.精于设问,在培养学生的正向思维能力、逆向思维能力方面,起着积极的不可忽视的作用。     

C60激发三重态被哌嗪猝灭特性研究

本文使用激光诱导瞬态吸收光谱装置,研究了C60激发三重态在乙腈/甲苯混合溶剂中的光物理性质,得到了3C60的激发态寿命、自猝灭速率常数和时间分辩的瞬态吸收光谱.此外,实验中引入了哌嗪作为激发三重态猝灭剂.我们发现哌嗪能有效的猝灭3C60,猝灭速率常数kq接近扩散控制极限.改变混合溶剂的比例,相应的猝灭速率常数值也发生变化,即kq随混合溶剂极性的增加而增加,随溶剂粘度的增加而减小.稳态光解实验反映了反应物向产物转化过程中在紫外-可见波段吸收强度的变化.     

纳米级自旋电子学材料取得重要进展

因为纳米级的自旋电子学器件需要在纳米尺度上仍能在较高温度下保持优异性能的高自旋极化率材料，故与半导体相容的半金属铁磁体近来受到高度重视．文章介绍作者在这个方向上研究工作的最新重要进展：通过大规模系统的高精度第一原理计算，作者发现三个3d过渡金属硫系化合物的闪锌矿相具有优异的半金属铁磁性，并且其结构性能适合做成具有足够厚度的薄膜或层状材料，便于应用于纳米级自旋电子学器件。     

Phase Synchronization in Electrically Coupled Different Neuronal Pacemakers with the Chay Model

We study the phase synchronization in different electrically coupled neuronal pacemakers with the Chay model. The numerical simulation results and the definition of the mean frequency show that phase synchronization is equal to the mean frequency locking. Nearly complete synchronization of different two coupled neuronal pacemakers is also investigated. It is shown that the cross-correlation of the membrane potential variables is suitable to judge the nearly complete synchronization.     

党和国家领导人珍爱珠算

我们党和国家领导人历来重视珠算的作用。1972年周恩来总理与李政道博士谈话中指出：“要告诉下面．不要把算盘丢掉、猴子吃桃子最危险”。1979年薄一波同志为《珠算》杂志创刊号题词时也指出：“算盘是我国的传统计算工具。一千多年以来在金融贸易和人民生活等方面起了重要作用。用算与与用电子计算札并不矛盾。现在还应充分发挥算盘的功能．为我国经济建没事业服务。”《珠算》杂志1980年第一期刊登了“陈云同志在杭州打算盘”的照片。     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.