能量回收型直线加速器

 能量回收型直线加速器(EnergyRecoveringLinacs,简称ERL),是一种新型的、发展中的加速器,它具有直线加速器的优质束流性能,具有接近环型加速器的高效率。已在自由电子激光等方面投入应用,并具有多方面的发展和应用前景。一、由来和优势我们知道,高频电子直线加速器是用高频电场加速沿直线轨道运动的电子束的装置。通常,电子束只通过直线加速结构一次,在达到要求的能量后,即离开直线加速器,或直接用于科学实验、医学放疗、材料辐照、自由电子激光驱动等;或注入到环型加速器中继续加速和积累,用于同步辐射光源或高能物理实验等。     

静电加速管中强流空间电荷效应的研究

 对一种工业用大功率电子加速器(450kW)的加速管中的空间电荷效应作了5点假设，建立了物理模型。对模型的束内外径向电位分布、空间电荷对轴上电位的影响，以及空间电荷力对束流传输的影响等进行了理论分析，得到了束内径向电位分布。结果表明：束流内部径向电位沿径向均呈抛物线变化，并在轴上达到最小值；而空间电荷产生的束内电场与半径呈线性变化；空间电荷不仅会引起轴上电位的跌落，而且对束流有发散作用，特别是在电子速度较低时更为明显。在考虑了空间电荷效应后，强流静电加速管的电场设计关键在加速管的前端，与弱流加速管相比，强流加速管的电场变化要大得多。     

高能闪光照相对电子束参数的要求

对高能闪光机光源性能用Monte-Carlo方法模拟研究发现：并非击靶电子束半径越小、发射度越低, 闪光机的照相性能就会越好. 研究结果表明：为了使闪光照相图像视面上照射量分布比较均匀, 对束半径与电子束归一发射度有一个联合限制, 对于20MeV闪光机, 如果击靶电子束有效半径是0.12cm, 那么仅当束归一发射度≥550cm.mrad时,在2°内的照射量不均匀性才小于5%.     

反磁回路诊断强流脉冲电子束半径的研究

反磁回路(Diamagnetic loop，DML)诊断强流脉冲电子束半径是一种可在线诊断技术，它利用一个环绕电子束并与其同轴的反磁回路通过电磁感应测量该电子束的磁矩，从而在某些易于满足的条件下推得该电子束的均方根半径。这种诊断技术与其它方法(如三梯度法)相配合还可以同时在线诊断强流脉冲电子束的发射度、束包络斜率等参数。本文介绍了反磁回路诊断束半径的原理和应用、反磁回路的设计和标定，以及用密绕螺线管线圈模拟电子束诊断实验和结果。     

多电子束契伦柯夫自由电子激光振荡器

我们对多电子束契伦柯夫自由电子激光进行了首次实验研究。280A,500kV的电子束被引入一多介质矩形谐振腔,在频率为33.4GHz处产生了1.7MW的契伦柯夫相干受激辐射。互作用效率为1.2％。     

氟化氢与涂有聚合物膜下二氧化硅的反应研究

ＨＦ与ＳｉＯ２的反应是一种亲核取代反应，但高温下此反应不能发生．当涂覆在ＳｉＯ２表面的聚合物膜中含有某些特殊的有机化合物或超强酸时，可以促进该反应的发生，这些化合物被称为诱蚀剂．诱蚀剂分三类：（１）三级胺与ＨＦ形成季铵盐得到浓度很高的氟阴离子使该反应很容易发生；（２）强的偶极非质子官能团化合物与ＨＦ中的氢形成氢键使氟的亲核活性增加，有助于该反应发生；（３）超强酸因其质子对ＳｉＯ２骨架中氧的牢固结合能力活化了反应的离去基团，对ＨＦ与ＳｉＯ２的亲核反应起到催化作用．聚合物膜对添加在其中的小分子诱蚀剂起到阻止逃逸的栅栏作用，而本身带有诱蚀官能团的聚合物可以同时充当成膜物及诱蚀剂的作用．通过光化学反应可以选择性地实现聚合物膜下ＨＦ与ＳｉＯ２的刻蚀反应．     

强流同步双阴极二极管电子束模拟与诊断

 高同步性的多电子束能够驱动产生有利于实现相位控制的多束微波,是高功率微波功率合成的关键技术。对单台加速器驱动强流同步双阴极二极管进行了模拟,在二极管阻抗约10 W,输入电压442.6 kV条件下,获得了总功率大于20 GW、总束流为47.6 kA、同步时间差小于6 ns的双电子束。开展了轰击不锈钢目击靶实验和同步双电子束诊断实验,双阴极材料为不锈钢,单个阴极长30 mm,两阴极中心间距为100 mm,阴极发射面采用天鹅绒,单阴极半径为20 mm,在阴阳极最大电压为442.8 kV时,束流峰值总和为48.78 kA,双束流同步时间差保持在4~6 ns范围内,实验结果与模拟符合较好。     

CO2,O2,CF4液体微滴喷射靶激光等离子体光源光谱

基于软X射线辐射计量和极紫外投影光刻(EUVL)应用,研制了一台使用纳秒激光器的液体微滴喷射靶激光等离子体(LPP)极紫外光源。该光源由一个可连续控温的不锈钢电磁喷气阀门、YAG激光器和能同步控制喷气阀门和激光器的脉冲发生器组成。使用液氮作致冷剂,控温范围77～473 K。对于足够高的背景气压和低的阀门温度,当气体经过阀门脉冲式地喷入真空靶室内时,气体经过气-液相变碎裂成大量的液体微滴形成液体微滴喷射靶。首先,依据非相对论量子力学理论,使用原子光谱分析常用的Cowan程序,计算了O2,CO2和CF4等几种液体在1011～1012W.cm-2激光功率密度下可能相应产生的O4 ,O5 ,O6 ,O7 ,F5 ,F6 和F7 离子的电偶极辐射跃迁波长和跃迁概率。其次,在激光焦点功率密度为8×1011W.cm-2时,测量了CO2,O2,CF4液体微滴喷射靶在6～20 nm波段的光谱。理论计算结果与实验结果相比较,得出了所测量谱线的电偶极辐射跃迁波长和跃迁概率以及跃迁能级所应归属的组态和光谱项。     

电子束蒸发制备ZnO薄膜及其晶体结构和电学性质

采用电子束蒸发法制备了ZnO薄膜。研究了退火温度及衬底对薄膜的结晶状况以及电学性质的影响．X射线衍射测试结果表明。相同蒸发条件下制备的ZnO薄膜，硅(100)衬底上薄膜晶粒尺寸为73nm。结晶情况明显好于陶瓷和玻璃衬底上的薄膜．退火之后，各种衬底上薄膜的结晶情况相对未退火时都有明显好转；400℃退火时。薄膜逐渐结晶；600℃退火时，ZnO薄膜体现良好的择优生长的趋势，晶粒长大，晶化程度提高，大部分晶粒发生了织构．在400℃退火后。掺入Al2O3的薄膜和未掺杂的ZnO薄膜的电阻率下降了一个多数量级，但掺入MgO的薄膜电阻率变大。这是由于MgO掺杂起到了补偿作用，掺入MgO有可能实现ZnO薄膜的P型掺杂．     

氢化作用对低能电子束辐照下GaN发光演变的影响

结合氢在GaN中的扩散特性,运用阴极荧光（CL）谱,对氢化前后低能电子束辐照下GaN带边发光强度的演变进行了研究.实验发现,氢化前GaN在低能电子束辐照下带边发光强度呈现衰减的趋势,而氢化后带边发射强度先上升后衰减,而且氢化后的衰减比氢化前弱.1 h辐照过程中,氢化后GaN带边发光强度的变化比氢化前要小很多.另外,实验中发现经过氢化处理的GaN在辐照后20 h内没有观察到带边发射强度的恢复.研究表明氢原子在GaN中可以钝化缺陷来增强发光,但这种钝化缺陷的作用必须通过克服高的扩散势垒来实现,而低能电子束可以 关键词： 阴极荧光 低能电子束 氢化 演变