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1.
 关于电化毛细管作用的研究始于1875年,李普曼(G.Lippmann)在当时用相关理论来解释对浸在电解液中的水银滴表面施加电压时其形状发生变化这种现象。弗洛姆金(A.Froumkine)用同样的原理解释了电解液体表面的净电荷会改变其与金属表面张角的现象,也就是所谓的电湿润过程。最近,一个巧妙的实验更加形象地展示了这种过程,从而将其应用进行了推广,并使用水银液滴对传感器和光学开关进行了测试。  相似文献   
2.
通过对ZnS∶Zn,Pb蓝色荧光粉进行表面包覆SiO2以改善其稳定性;In2O3材料的适量混合,提高了荧光粉的导电性,降低了它的起辉电压。采用沉淀法制备荧光屏,考察了阳极电压和阳极电流对亮度以及衰减过程的影响,实验结果表明ZnS∶Zn,Pb的性能优于ZnS∶Ag,Cl和ZnS∶Zn,可适用于FED等低压显示器。  相似文献   
3.
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.  相似文献   
4.
巩龙龑  童培庆 《中国物理快报》2005,22(11):2759-2762
By using the measure of von Neumann entropy, we numerically investigate quantum entanglement of an electron moving in the one-dimensional Harper model and in the one-dimensional slowly varying potential model. The delocalized and localized eigenstates can be distinguished by von Neumann entropy of the individual eigenstates.There are drastic decreases in von Neumann entropy of the individual eigenstates at mobility edges. In the curve of the spectrum averaged von Neumann entropy as a function of potential parameter λ, a sharp transition exists at the metal-insulator transition point λc = 2. It is found that the von Neumann entropy is a good quantity to reflect localization and metal-insulator transition.  相似文献   
5.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results.  相似文献   
6.
6p2阶的三度半对称图   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
正则图G 称为G-半对称图, 如果G 的自同构群A := AutG 有一个子群GG 的边集上传递, 但在其点集上不传递, 特别地, 当G= AΓ 称为半对称图. 本文旨在考察素数度的(G-)半对称图. 首先给出了素度数的(G-)半对称图的群论刻画, 其次对6p2阶的三度半对称图进行了完全分类, 其中p是奇素数.  相似文献   
7.
张伟力 《中国物理快报》2005,22(7):1821-1824
Very deep zero-order metallic grating structures are processed to study the transmission properties of THz radiation pulses. The experiments have been performed with two samples. The delay of the THz pulses and the corresponding resonantly enhanced transmission spectra through the samples are observed. To explain the extraordinary transmission we have treated the samples as Fabry-Perot resonators through resonant excitation of the coupled surface plasmon polaritons filled in the cavities between the metal slats. The experimental results are in reasonable agreement with the numerical simulation. Our results show that THz-time-domain spectroscopy may be an effective technique for studying the optical properties of various THz microstructured devices.  相似文献   
8.
将介观无损耗传输线中的驻波场看成作相对运动的两列同频率的行波的叠加,此电路量子化后成为两个频率相同、不同模的光子场。计算和分析了激发相干态下电压和电流梯度的量子涨落,指出了双模传输线与一般的LC电路、双模传输线与单模传输线量子涨落的异同之处。  相似文献   
9.
10.
在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1~800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。  相似文献   
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