F-H实验仪与光栅光谱仪连用观测253.7nm谱线

通过F-H实验仪和光栅光谱仪的连用，可实时观测汞原子从6s6s1So态激发到6s6sSP1态，退激时，辐射出能量为4．9eV的光量子，其波长为253．7nm．     

用推转玻尔-莫特森哈密顿量研究A～190区超形变带

用推转玻尔－莫特森哈密顿量研究了Ａ～１９０区２０个核的５５条超形变带．通过拟合实验测得的Ｅ２跃迁能量值，确定了各带的能级自旋，得到了质量参量Ｂ１和硬度参数Ｃ０．Ｂ１和Ｃ０都显示出明显的奇偶性. superdeformed bands in 20 nuclei of the A ～190 region are studied with formulas derived from the Cranking Bohr Mottelson Hamiltonian. From fitting the experimental E γ , the level spins are determined and mass parameter B 1 and rigidity parameter C 0 are obtained. The B 1 and C 0 values show clear odd even effects.     

卤键的AIM研究

本文利用分子中的原子理论对一系列含卤分子与氨之间形成的卤键进行了分析，内容包括键关键点的确定、关键点的电子密度和拉普拉斯量以及复合物形成前后的若干原子性质，如电荷、能量、极化矩、卤键供体原子体积等的变化。结果显示：（1）所有卤键复合物中均存在一键关键点，其作用属于闭壳型相互作用；（2）卤键复合物键关键点的电子密度及其拉普拉斯量与卤键的强度间存在很好的线性关系；（3）键关键点电子密度的对数与卤键的距离d(X···N)高度相关。这一研究有望对卤键的本质提供进一步的认识。     

取代1-氯蒽醌中分子内卤键的电子密度拓扑分析

运用量子化学密度泛函B3LYP方法,在6-311＋＋G（d,p）基组水平上对邻位和间位取代1-氯葸醌的分子内卤键进行了研究．用电子定域函数和“分子中的原子,,理论对分子内卤键的性质进行了电子密度拓扑分析．通过对计算得到的密度矩阵进行σ-π兀分离,得到了π-键的键径和分子图,并讨论了。电荷密度和兀电荷密度对卤键的影响．结果表明,键鞍点和环鞍点处的电子密度拓扑性质均可作为衡量分子内卤键强度的量度．键鞍点和环鞍点处的电荷密度P越大,键鞍点与环鞍点的距离越大,卤键强度越大．除σ电荷密度外,π电荷密度对分子内卤键的性质也有明显影响．     

玻尔的“互补原理”和他的科学文化观

自20世纪以来,一些著名的学者曾为切实有效地使科学技术接受人文调控、承载人文目标和促进人文发展,而呕心沥血、潜心研究,作出了不懈努力.其中,既有科学史之父萨顿,将自己一生的主要工作目标锁定在要令"科学人性化";又有集作家与科学家于一身的C·P·斯诺,大声疾呼"两种文化"及其代表人物必须握手言和;还有被狄拉克称为"深沉的思想家"的尼尔斯·玻尔(Niels Bohr),执着地追求着知识的统一性.因为玻尔作为杰出的科学家和哲学家,作为对人类社会的前途和命运极度关切的人,对于自近代以来,特别是19世纪下半叶之后,科学文化和人文文化之间所存在的鸿沟,以及由此而带来的种种不良后果,心急如焚,予以了高度的警觉.     

解析函数中的Bohr型不等式的生成

利用非负连续函数{ζ_n(r)}_n≥0加细在单位圆盘|z|<1内满足Ref(z)<1的解析函数类的玻尔半径,和加细在单位圆盘|z|<1内形如■的解析函数的交错级数A_f(r)的玻尔半径.在后一种情况,本文也得到了偶和奇解析函数的玻尔半径的信息.进一步,建立了优级数M_f(r)与f(z)的奇数位和偶数位的关系,并将证明本文的大部分结果都是精确的.     

泡利的错误

 几年前,在翻译美国物理学家温伯格(StevenWeinberg)的《爱因斯坦的错误》和撰写《玻尔的错误》(发表于本刊2013年第5期)时,我就萌生过一个念头,那就是继《爱因斯坦的错误》和《玻尔的错误》之后,若还有哪位现代物理学家的错误值得一写的话,就得说是泡利了。这也正是本文的主题--泡利的错误--之缘起。     

原子核的振动与转动模型(Ⅲ)A～190区超形变带研究

应用推转玻尔-莫特逊哈密顿量导得了超形变带的转动谱公式,应用这一公式研究了在A～190区24个超形变带的跃迁能量和能级自旋,获得了满意的结果.     

利用Eckart势求玻尔哈密顿量的解析解(英文)

本文中讨论了用Eckart势求解玻尔哈密顿量的新方法.在γ不稳定和γ≈0的两种情况下,对于离心项l/β~2用近似表达的条件下,分别求解了玻尔哈密顿量的解析解,且通过N-U方法,利用Eckart势成功的获得了玻尔哈密顿量解析解的表达式.     

近玻尔速度Ne2+离子穿过碳膜引起的电子发射

本文测量了入射能为2–25 keV/u的Ne²⁺离子穿过不同厚度碳膜诱导的前向、后向 (分别对应出射表面和入射表面) 电子发射产额. 实验中通过改变炮弹离子的能量, 系统的研究了势能沉积、电子能损以及反冲原子对前向、后向电子发射产额的贡献. 结果表明, 离子的势能沉积只对后向电子发射有贡献, 前向、后向电子发射产额分别与Ne²⁺离子在薄膜出射、入射表面的电子能损近似成正比关系, 其中电子能损很低 (对应于离子能量很低) 的时候, 反冲原子对电子发射的贡献不能忽略. 关键词： 近玻尔速度 电子发射 电子能损 反冲原子