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1.
提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm. 相似文献
2.
两种拔尿管方法对膀胱功能损伤的临床观察 总被引:2,自引:0,他引:2
为观察两种不同的拔尿管方法对膀胱功能损伤的差异,将80例患者随机分成两组,分别采用改良法(40例)和常规法(40例)拔除留置尿管,分析比较了两组患者排尿顺利率、逼尿肌功能恢复率及尿道刺激症、尿失禁、尿潴留。结果表明,两组患者拔管后上述指标与情况有显著性差异,P<0.05。提示改良组膀胱功能损伤明显低于对照组。改良的拔管方法是一种值得护理推广应用的好方法。 相似文献
3.
BaoHaiSHAO XiuZhuXU JianDeLU LiZOU XiaoYunFU 《中国化学快报》2003,14(4):401-403
The influence of different alcohol modifiers in mobile phase on the chiral separation of 4‘‘‘‘‘‘‘‘-methoxyl flavanone,5-methoxyl flavanone and 6-methoxyl flavanone on cellulose tris(3,5-dimethylphenylcarbamate)(CDMPC)column was studied and the chiral recognition mechanism was discussed.Using hexane-tert-butanol(1.31molL^-1) as the mobile phase,those three methoxyl flavanones were excellently separated on CDMPC chiral column. 相似文献
4.
通过用毛细管测量纯水表面张力系数实验,得到管内径d与接触角θ的相对误差之间的关系曲线,由此说明实验测得的表面张力系数α和理论公式相比呈现一定的偏差,并简单地讨论了实验的理想状态与实际情况的差别. 相似文献
5.
用于强磁场的快响应真空规的研制进展 总被引:2,自引:2,他引:0
研制了能在强磁场、强干扰环境下工作的快响应真空电离规(快规),用于对HL 2A装置偏滤器室和等离子体附近的中性粒子密度和通量进行原位测量。介绍了快规的结构、工作原理、设计要点以及实验结果。在无磁场的情况下,快规对气体压强的测量范围为6.4×10-6~0.15Pa,在1×10-5~0.15Pa范围内,快规收集极离子流与发射电子流之比与气压保持良好线性关系;在0 15T的磁场下,快规的规管常数未发生显著变化,在规管对称轴与磁力线的夹角小于15o时,规管常数的变化小于10%。 相似文献
6.
7.
磺酸双氢麦角毒碱(Co-dergocrine mesvlate,Hydergine)又名喜得镇、舒脑宁,我国将其列为国家基本药物.目前,测定甲磺酸双氢麦角毒碱的分析方法,主要有荧光分光光度法、可见紫外分光光度法、免疫分析法,但未见文献报道过化学发光法测定甲磺酸双氢麦角毒碱的研究.作者发现,在碱性条件下,过氧化氢直接氧化甲磺酸双氢麦角毒碱不会产生化学发光,但当高碘酸钾和甲磺酸双氢麦角毒碱混合反应后,再加过氧化氢氧化会产生较强的化学发光,且发光强度与甲磺酸双氢麦角毒碱的浓度在一定范围内有良好的线性关系,据此建立了流动注射化学发光测定甲磺酸双氢麦角毒碱的新体系. 相似文献
8.
9.
脉冲管制冷机是近年来空间微型机械式制冷机研究的前沿课题,作者通过精确的实验测量和分析,首次发现了双向进气型脉中管制冷机存在直流分量,该直流分量是脉冲管制冷机的一种损失,并指出多种旁能流程可以减小直汉损失,提高脉冲和制冷机的制冷性能。 相似文献
10.
Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Phase change memory (PCM) cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state (higher resistance state) to the crystalline state (lower resistance state). The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low (only several μA). An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad(Si), which makes it attractive for space-based applications. 相似文献