用等厚干涉测定液体折射率

介绍一种采用等厚干涉原理测定液体折射率的简单可靠的方法。     

用有限元法计算光学玻璃退火温度的分布

本文首次把求解温度场的有限元法用于计算玻璃退火时的温度分布,提出了在微机上计算第一类光学不均匀性的方案,并解决了计算问题。     

部分相干电磁光束在湍流介质中传输的偏振变化

 从推广的惠更斯-菲涅尔原理出发，推导出了部分相干电磁光束的偏振态在湍流介质中传输的表达式。并以电磁高斯-谢尔模型(EGSM)光束为例，研究了湍流对电磁高斯-谢尔模型光束偏振态的影响。研究结果表明，对于轴上点，湍流介质的折射率结构常数越大，偏振度趋于最大值的速度越快，达到的最大值越小；光斑越大，偏振度达到最大值的位置离光源越远，在光斑增大的过程中，偏振度所达到的极大值会先增大后减小，最后保持与光源相同的偏振度不变。对于轴外点，一个固定的z，光的偏振度随着离轴距离的增大而逐渐下降，并最终等于零。折射率结构常数越大，偏振度随离轴距离的增大而下降得越缓慢；光斑越大，偏振度随离轴距离的增大下降得越快。     

宽带膜厚实时监控过程中膜层折射率的确定方法

为了准确计算出镀膜过程中每层膜的折射率，介绍了实时监控过程中确定膜层折射率的2种方法：一种是由实测的透射比光谱直接反算出膜层的折射率；另一种是用最小二乘法的优化算法实时拟合折射率。试验结果表明：在线反算适合单点监控，所得折射率误差小于2%。然而在实际镀膜过程中,由于宽带内膜层参数误差较大,一般大于25%。为此，采用最小二乘法拟合，即在整个宽光谱范围内采集每个波长点的信息，所得结果误差很小，一般都在2％～5%之间,有时可达到10%,在很大程度上提高了实际镀膜时膜厚监控的精度。     

相变光盘介电薄膜ZnS-SiO2 的微结构和光学特性

采用射频磁控溅射法制备了ZnS-SiO₂ 介电薄膜,利用透射电镜和椭偏仪研究了溅射条件对ZnS-SiO₂薄膜微结构和折射率n的影响.研究表明,ZnS-SiO₂薄膜中存在微小晶粒,大小为2～10 nm的ZnS颗粒分布在SiO₂基体中,当溅射功率和溅射气压变化时,ZnS-SiO₂薄膜的微结构和折射率n发生显著变化,微结构的变化是导致折射率n变化的主要原因,通过优化溅射条件可以制备适用于相变光盘的高质量ZnS-SiO₂介电薄膜.     

镅污染手套箱系统的去污技术

考虑到手套箱系统的主要污染核素为^239Pu，^241Am，^3H和U，其中^239Pu，^241Am属α长寿命极毒核素，很容易产生放射性气溶胶。在手套箱系统退役过程中，手套箱系统的拆除解体前后均应采用行之有效的方法进行去污，最大限度的减少放射性物质对环境的污染。文中根据可剥离膜去污技术、电解去污技术、导电高分子聚合物导电机理以及超声波去污技术，针对镅污染手套箱拆下部件的污染情况和材质特点，采取单独使用和组合使用的方法进行相应的去污技术研究。     

铁电单晶0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3折射率的研究

用最小偏向角法在20℃下精确测量了0.62Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.38PbTiO3(0.62PMN-0.38PT)单晶的折射率,给出了该温度下折射率色散的Sellmeier方程.研究了能带结构与折射率的关系,计算了样品的Sellmeier光学系数:对no,E0=5.50eV,λ0=0.226μm,S0=1.004×1014m-2,Ed=28.10eV;对ne,E0=5.57eV,λ0=0.223μm,S0=1.017×1014m-2,Ed=28.10eV.ABO3型钙钛矿材料中,BO6八面体基元决定了晶体的能带结构,对折射率产生重要影响.     

折射率温敏式光纤温度传感器的理论模型

提出了折射率温敏式光纤温度传感器的理论模型，包括子午光线和偏射光线的影响，讨论了多模光纤的弯曲损耗，理论的分析和结果与实验相当一致。     

测量慢弛豫介质的非线性折射率Z扫描方法

对非线性折射率慢弛豫介质的Z扫描理论进行了详细推导,得到了透射光场的表达式.分析表明:对于慢弛豫介质,其Z扫描过程也是非线性折射的累积过程.实验结果与理论分析一致. 关键词：     

梯度棒折射率分布系数的计算和验证

本文推导了用离子交换法制作的径向折射率梯度棒的g,h_4和h_6与材料特性相联系的计算公式。根据测定的材料参数,并用本文公式算出的g值与用成像法测得的g值相比较,其结果基本相符。