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1.
通过重离子核反应与在束γ谱的实验技术, 对A=130缺中子核区的双奇核136La的高自旋态进行了研究, 所用核反应为130Te(11B,5n). 实验结果扩展了136La的能级纲图, 包括3个集体转动带, 最高自旋态达20h. 对于\uppi h_{11/2}\otimes \upnu h_{11/2}$~带, 观测到了旋称反转与集体回弯现象. 通过系统学比较, 对旋称反转特性进行了讨论. 由推转壳模型的计算指出, 此集体回弯是由一对中子的角动量顺排引起的. 另外两个集体带为具有~$\gamma\approx -60^\circ$~的扁椭形变带, 其可能的组态为: $\uppi h_{11/2}\otimes \upnu g_{7/2}h_{11/2}^2$~与~$\uppi g_{7/2}\otimes\upnu g_{7/2}^2 d_{5/2} h_{11/2}^2$. 相似文献
2.
热致型胆甾酯液晶的相变研究 总被引:2,自引:0,他引:2
使用偏光显微镜观察胆甾烯壬酸酯液晶的相变,发现在不同的温度变化条件下液晶相变过程是不同的.本文讨论了其变化规律. 相似文献
3.
4.
WJZ型多功能激光椭圆偏振仪是在JJY型分光计上附加激光椭偏装置而组成。兼有分光计和椭偏仪的功能,可用于测量不同基底上介质薄膜的厚度和折射率;除作为高校中级物理实验外,亦可用于材料表面光学参数的分析研究。但是,与原椭偏装置相配用的椭偏仪数据表,只能适用于K_q基底上生长的氧化锆薄膜标准试样,这就实际上限制了椭偏仪的使用范围;另一方面,即使对上述标准试样测量,所获数据往往与数据表提供的数值偏离甚大,直接影响实验效果。经过多次实际试验,本文分析了三相椭偏方程解的特性,讨论了不同条件下椭偏法测厚及折射率的计算机解算。 相似文献
5.
采用溶胶-凝胶工艺与原位生长技术,制备了ZnSe/SiO2复合薄膜.X射线衍射分 析表明薄膜中ZnSe晶体呈立方闪锌矿结构.X射线荧光分析结果显示薄膜中Zn与Se摩尔比为1 ∶1.01—1∶1.19.利用场发射扫描电子显微镜观察了复合薄膜的表面形貌,结果表明复合薄 膜表面既存在尺寸约为400nm的ZnSe晶粒,也存在尺寸小于100nm的ZnSe晶粒.利用椭偏仪测 量了薄膜椭偏角Ψ,Δ与波长λ的关系,采用Maxwell-Garnett有效介质理论对薄膜的光学 常数、厚度、气孔率、ZnS
关键词:
2复合薄膜')" href="#">ZnSe/SiO2复合薄膜
光学性质
椭偏光度法
荧光光谱 相似文献
6.
模拟退火法在吸收薄膜的椭偏反演算法中的应用 总被引:18,自引:4,他引:14
将一种广泛用于求解复杂系统优化问题的技术--模拟退火法--用来求解椭偏反演方程。首先假设一个薄膜模型,计算出其相应的椭偏参数(Ψ,Δ)的值,在这个计算值的基础上加入不同标准偏差的高斯噪声;然后将加入噪声后的值(Ψm,Δm)作为模拟的测量数据,采用模拟退火算法进行求解,验证得知这种方法求得的薄膜参数很接近于假设的薄膜模型参数的真值,与其他文献的报道结果一致,而且在扩大搜寻范围时,仍然可以得到准确解,从而证明了该方法的可行性以及有效性。 相似文献
7.
酞菁钴薄膜的折射率及吸收特性 总被引:3,自引:1,他引:2
通过真空镀法在单晶硅片上制备了酞菁钴薄膜,在波长扫描和入射角可变全自动椭圆偏振光谱仪上研究了CoPc薄膜的椭偏光谱并分析了其电子结构。 相似文献
8.
椭偏法测膜厚的直接计算方法 总被引:15,自引:1,他引:14
改进了椭偏法测薄膜折射率和膜厚的迭代计算方法,由测量得到的起偏角A和检偏角P直接算出薄膜折射率和膜厚. 相似文献
9.
热致液晶共聚酯/Nylon-1010共混物的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
利用偏光显微镜(PLM),差示扫描量热计及广角X-射线衍射等手段研究了热致液晶共聚酯/Nylon-1010共混体系.发现当热致液晶共聚酯(HTH10)含量达到30%时共混物微结构与纯HTH10相似.尼龙-1010的结晶度先是随HTH10含量增加而增加,随后又随之下降,但其结晶温度却随HTH10加入而单调下降,共混物的熔融热焓△Hm在HTH10含量为30%时与计算值有较大的偏差,广角X-射线衍射结果表明,此时共混物结构发生了较为明显的变化,两组份之间在此时存在一定的相互作用. 相似文献
10.
以两维聚环氧乙烷(PEO)球晶为对象,探讨了偏光显微法的消光机理,尤其是其中的厚度性消光机理,并对于补偿片的作用原理作了细致的理论分析,运用上述手段对PEO球晶的形态进行了研究。 相似文献