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1.
在2004年的实验中,首次在HL-2A偏滤器装置上进行了硅化器壁处理,在这种硅化器壁的条件下,对轻重杂质的线辐射进行了研究,并与无硅化条件下的杂质特性作了比较。在实验中,通过观测杂质的辐射特性研究了硅化对杂质的吸附作用和硅化效果的维持。并通过调整硅化后的辉光放电清洗,研究了硅化对氢再循环的影响。 相似文献
2.
现在国际上大装置纷纷发现破裂放电而导致电流突然中止造成装置遭受重大的危害,因为能量熄灭阶段存在强烈的热通量,而且在电流熄灭阶段中产生强烈的逃逸电子,使得第一壁材料可运行的时间大大缩减;同时在真空器壁上产生很强的电磁力。所以,必须在大装置上建立一种避免和软化能量衰竭与电流衰竭,并且控制预计的放电破裂或突然终止放电的措施。 相似文献
3.
LiAlO2 single crvstals doped with Ti at concentration 0.2at.% are grown by the Czochralskl technique with dimensions φ42×55mm. Ti ions in the crystal are quadrivalence proven by comparing the absorption and fluorescence spectra of pure LiAlO2 and Ti: LiAlO2. After air and Li-rich atmosphere annealing, the absorption peaks in the range of 600-800nm disappear. We conclude that 682 and 756nm absorption peaks are attributed to the VLi and Vo absorptions, respectively: The peaks at 716nm and 798nm may stem from the VLi^+ and absorptions. The colour-centre model can be applied to explain the experimental phenomena. Ti^4+-doping produces more lithium vacancies in the LiAlO2 crystal. The intensities of [LiO4] and the associated bonds remain unchanged, which improves the anti-hydrolyzation and thermal stability of LiAlO2 crystals. 相似文献
4.
HL—1装置碳化和采用抽气孔栏时的可见辐射观测 总被引:1,自引:1,他引:0
本文描述了HL-1装置器壁碳化和采用抽气孔栏时,氢及杂质通量的变化情况;利用多道可见辐射的时空分布测量,得到了MARFE放电,在产生MARFE时,辐射热也相应增强。 相似文献
5.
6.
7.
8.
9.
荧光XAFS研究Si晶体中等电子,缺电子和富电子杂质原子的区域环境结构。结果表明杂质原子的电子构型决定了杂质原子对Si区域晶格形变的影响。相对于共价键长RSi-Si(0.240nm)来说,富电子杂质As导致Si晶格在Si(111)方向的RAs-Si键长产生0.004nm的反应增长,等电子杂质Ge的R-Gre-Si和缺电子杂质Ga和RGa-Si键长收缩0.002nm。 相似文献
10.
高分辨双晶XRF研究酞菁化合物中硫杂质的化学态 总被引:1,自引:1,他引:1
酞菁化合物是一种大π键共轭体系的平面分子结构,它以颜色鲜艳、化学稳定性和价格便宜等特点,已在颜料工业上得到了广泛地应用.随着高科技的发展,酞菁化合物的应用进入静电复印的领域.研究中发现:酞普化合物的晶体结构直接影响它的色泽、耐热性、稳定性以及光电导性.在诸多的酸苦晶型中,β-型酞菁是比较稳定的一种,其它晶型届亚稳态型.近年来,光敏性较好的X-型用于激光印刷机感光鼓的载流子产生层[1].用作静电复印中的酞育粗颜料,一般多为a一型,且含有大量的有机和无机杂质[2],经高温真空升华提纯后,转变为卢一型.有趣… 相似文献