极性晶体内表面电子的量子像势及其极化子的有效势

本文从与真空接触的存在二支声子的半无限极性晶体表面附近极化子的哈密顿算符入手，应用二支模型理论，分别对GaAs和ZnO两种材料计算了内表面电子的量子像势及其极化子的有效势。计算结果表明：当Z很小时，经典像势和半经典有效势分别与量子像势和量子有效势相差较大；当Z很大时，经典像势和半经典有效势分别是量子像势和量子有效势的一个很好的近似。     

有机层界面对双层有机发光二极管复合效率的影响

建立了双层有机发光二极管中载流子在有机层界面复合的无序跳跃理论模型.由于有机分子材料的空间及能带结构的无序性，采用刚体模型处理有机层界面问题是不恰当的，而采用无序跳跃模型比较合理.复合效率及复合电流由载流子跳跃距离、有机层界面的有效势垒高度及该界面处的电场强度分布所决定：在双层器件ITO/α-NPD/Alq₃/Al中，当所加电压小于19.5V时，复合效率随着载流子跳跃距离的增加而增加，而大于19.5V时，复合效率随着其距离的增加而减少；复合效率随着有机层界面有效势垒高度的增加而增加； 关键词： 有机层界面 双层有机发光二极管 复合效率 有效势垒高度 无序跳跃模型     

LaH分子的X1∑+态的势能函数

应用原子分析反应静力学原理导出ＬａＨ分子的电子状态和可能的离解极限,考虑相对论紧致有效势ＰＣＥＰ（Ｒｅｌａｔｉｖｉｓｔｉｃ Ｃｏｍｐａｃｔ Ｅｆｆｅｃｔｉｖｅ Ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）近似下,用ＱＣＩＳＤ方法计算了ＬａＨ分子基态Ｘ＾１Σ＾＋的平衡几何Ｒｅ和离解能Ｄｅ为２．１２５Ａ和２．６２３ｅＶ,并在计算出来的一系列背地里点势能基础上,用正规方程组拟合Ｍｕｒｒｅｌｌ－Ｓｏｒｂｉｅ（Ｍ－Ｓ）势能函数,得     

Influence of angular momentum in axially symmetric potentials with octupole deformation

The chaotic classical single-particle motion in an oblate octupole deformed potential with a nonzero z-component of angular momentum Lz is investigated. The stability analysis of the trajectories shows that with increasing rotation of the system, the unstable negative curvature regions of the effective potential surface decrease, which converts the chaotic motion of the system into a regular one.     

LaH分子的X1∑+态的势能函数

应用原子分子反应静力学原理导出LaH分子的电子状态和可能的离解极限,考虑相对论紧致有效势RCEP(RelativisticCompactEffectivePotential)近似下,用QCISD方法计算了LaH分子基态X1∑+的平衡几何Re和离解能De为2.125A和2.623eV,并在计算出来的一系列单点势能基础上,用正规方程组拟合Murrell-Sorbie(M-S)势能函数,得到相应态的解析势能函数,由此计算对应的光谱参数,其Be、ae、ωe和ωexe的理论值,分别为:3.7333、0.0723、1461.73和21.383cm-1.     

An Extended Effective Potential Method with Topological Phase of Spin Tunnelling

An extended effective potential(EEP)method is proposed to calculate the spin tunnelling splitting of a single domain ferromagnetic grain.By adding a phase factor to replace the boundary conditioin,the new method is not only accurate but also topological effects.In the large spin limit,the results from the spin-coherent-state path integral have systematic disparity with numerical studies,while those from the EEP method agree well with numerical studies.     

关于最弱受约束电子势模型理论中势函数物理意义的讨论

从屏蔽、贯穿和极化作用考虑,对最弱受约束电子势模型理论（简称WBEPM理论）的势函数进行了讨论。通过一系推导、论证,得出WBEPM理论的有效势的物理意义为：势函数中的第一项表示最弱受约束电子在有效核电荷＋Z′e中心场中的势能;第二项代表最弱受约束电子对非最弱受约束电子和核组成的“实”的极化作用所引起的偶极子场中的势能。     

Symmetry Restoring Phase Transitions at High Density in a 4D Nambu-Jona-Lasinio Model with a Single Order Parameter

High density phase transitions in a 4-dimensional Nambu-dona-Lasinio model containing a single symmetry breaking order parameter coming from the fermion-antifermion condensates are researched and expounded by means of both the gap equation and the effective potential approach. The phase transitions are proven to be second-order at a high temperature T; however at T = 0 they are first- or second-order, depending on whether A/m(0), the ratio of the momentum cutoff A in the fermion-loop integrals to the dynamical fermion mass m(0) at zero temperature, is lessthan 3.387 or not. The former condition cannot be satisfied in some models. The discussions further show complete effectiveness of the critical analysis based on the gap equation for second order phase transitions including determination of the condition of their occurrence.     

高温下弱电相变的自洽研究

通过对蝌蚪图中的硬热圈重求和的方法自洽地计算了标准模型在有中性流作用下的高温有效势到(λ^3/2,g³,g^'3)级,克服了通常计算中存在的困难,证明了弱电相变是一级相变并给出了临界温度.     

势垒可调的氧化镓肖特基二极管

氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n~+高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×10¹⁸ cm^-3时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88 A/cm~2、反向击穿电压为182.30 V、导通电阻为0.27 mΩ·cm~2,品质因子可达123.09 MW/cm~2.进一步研究发现肖特基二极管的性能与n~+外延层厚度和浓度有关,其电流密度随n~+外延层的厚度和浓度的增大而增大.分析表明,n~+外延层对势垒的调控在于镜像力、串联电阻及隧穿效应综合影响,其中镜像力和串联电阻对势垒的降低作用较小,而高电场下隧穿效应变得十分显著,使得热发射电流增大的同时,隧穿电流得到大幅度提升,从而进一步提升了氧化镓肖特基二极管的性能.