Scanning tunnelling microscope studies of growth of RuO2（110） thin layer on Ru（0001）

This paper reports that the growth of RuO_x(110) thin layer growth on Ru(0001) has been investigated by means of scanning tunnelling microscope (STM). The STM images showed a domain structure with three rotational domains of RuO_x(110) rotated by an angle of 120℃. The as-grown RuO_x(110) thin layer is expanded from the bulk-truncated RuO_x(110) due to the large mismatch between RuO_x(110) and the Ru(0001) substrate. The results also indicate that growth of RuO_x(110) thin layer on the Ru(0001) substrate by oxidation tends first to formation of the Ru-O (oxygen) chains in the [001] direction of RuO_x(110).     

ZnAl2O4/α-Al2O3复合衬底的制备和GaN薄膜的生长

利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al₂O₃衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al₂O₃固相反应制备了具有ZnAl₂O₄覆盖层的α-Al₂O₃衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl₂O₄薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl₂O₄表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl₂O₄在高温下不稳定. 在ZnAl₂O₄覆盖的α-Al₂O₃衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl₂O₄厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl₂O₄覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量.     

掺杂偶氮苯聚合物光致异构Z扫描测量及其理论解释

用He_Ne激光对掺有偶氮苯聚合物DR 13的PMMA薄膜样品进行Z扫描研究 ,发现其折射率改变量与光强的关系存在着饱和效应 ,且线偏振光引起的折射率改变明显大于圆偏振光引起的折射率改变 .对于这些现象 ,用光致异构的角烧孔机理进行解释     

纳米PIC-I分子聚集体的超辐射和Z-扫描研究

分子聚集体在非线性光学和集成光学等领域有潜在的应用前景。纳米结构一维染料分子J—聚集体有许多既不同于单个分子又不同于体材料的奇异性质，即超辐射和巨光学非线性。这种超辐射是由于在几个本征态内振于强度结合在一起，得到一巨跃迁偶极于，因而是超辐射的。跃迁速率与耦合分子个数N成正比。分子聚集体的J—吸收和超辐射发射是共振的。利用Z—扫描技术测量PIC在不同配比下的非线性折射率、非线性吸收系数和非线性极化率。观测到随着链长变短，样品的三阶非线性极化率增大。对这种非线性增强的机制进行了分析和讨论。     

用反射法自动测量大尺寸样品的折射率分布

针对大尺寸样品的折射率分布测量,引入自动扫描装置和适时数据处理系统,研究出一种高灵敏度的智能化反射法折射率分布测量仪,可进行快速、自动、准确的折射率分布测量.经理论分析和实验研究提出了一套合理的实验数据处理方法.并具体介绍和详尽分析了实验装置,讨论了有关理论和实验误差,给出了消除各种误差的有效方法,最终得出较为理想的实验结果.     

激光水下扫描成像系统的图像修正机理

同步扫描系统可以克服后向散射，但同时也产生了两种非线性，一是扫描线速度的非线性，一是由于距离对光能衰减造成的非线性，两种非线性都需要修正，本文从原理上讨论水下激光成像时能量衰减的修正原理与修正方法，并给出仿真结果。     

厚高阶光学非线性介质Z扫描的变分法分析

利用变分法对具有五阶光学非线性介质的Z扫描特性进行了研究。通过比较，发现当介质在具有较大的五阶非线性系数或较大光强的情况下，五阶非线性项的作用是不可忽略的。这对光限制器的设计和Z扫描实验都具有一定的指导意义。     

离子注入合成β-FeSi2薄膜的显微结构

采用MEVVA源(Metal Vapor Vacuum Arc Ion Source)离子注入合成β-FeSi2薄膜,用常规透射电镜和高分辨电镜研究了不同制备参数下β-FeSi2薄膜的显微结构变化. 研究结果表明:调整注入能量和剂量,可以得到厚度不同的β-FeSi2表面层和埋入层. 制备过程中生成的α,β,γ和CsCl型FeSi2相的相变顺序为γ-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2,CsCl-FeSi2→β-FeSi2→α-FeSi2或β-FeSi2→α-FeSi2. 当注入参数增加到60kV,4×1017ions/cm2,就会导致非晶的形成,非晶在退火后会晶化为β-FeSi2相,相变顺序就变为非晶→β-FeSi2→α-FeSi2. 随退火温度逐渐升高硅化物颗粒逐渐长大,并向基体内部生长,在一定的退火温度下硅化物层会收缩断裂为一个个小岛状,使得硅化物/硅界面平整度下降. 另外,对于β-FeSi2/Si界面取向关系的研究表明,在Si基体上难以形成高质量β-FeSi2薄膜的原因在于多种非共格取向关系的并存、孪晶的形成以及由此导致的界面缺陷的形成.