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Rod-Pinch二极管(RPD)在小尺度闪光照相方面具有良好的应用前景.根据理论方面的研究结果以及实验室具备的驱动源装置水平,设计了相应结构的RPD,并在1MV工作电压下开展了较为详细的性能实验研究.最终在二极管轴向(0.方向)lm处得到的x光剂量为1.21rad-1.45rad.对于阳极直径为lmm的二极管,其X光焦斑直径仅为0.8mm-1.1mm.X光信号的脉宽为18.1ns-27.5ns.研究表明RPD将是一种用于小尺度闪光照相的理想的X光源. 相似文献
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高能量激光诱导铝等离子体的发射光谱研究 总被引:2,自引:1,他引:1
用钕玻璃激光器 (~ 2 5J)烧蚀铝靶获得等离子体 ,以氩气作为保护气体 ,分析了环境气压、等离子体的观测高度、工作电压、激光功率密度对谱线强度的影响 ,并进行了简短的讨论。实验结果表明 ,环境气压为 88kPa时谱线强度最大 ;相同气压下随着观测高度的增大 ,谱线强度明显减弱 ,在气压为 88kPa观测位置距样品表面 1 5~ 2mm时谱线强度较强 ;并且随着激光工作电压、功率密度的增大 ,谱线强度逐渐提高。 相似文献
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采用滴注法制备了氧化石墨烯薄膜进行激光光刻,通过显微观察证实了还原态氧化石墨烯的生成,根据薄膜的方阻测试确定了最优的光刻参数。然后,在非晶硅组件电池的背面制备氧化石墨烯薄膜,光刻出平面叉指状电极。5个单节微超级电容的超薄电极进行串联,具有高工作电压,实现了对光伏电能的存储。结果表明该储能器件具有高循环稳定性,50次充放电循环的容量保持率为99.85%。该研究为设计制作用于光伏组件的一体化储能系统提供了新思路。 相似文献
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带防离子反馈膜的微通道板(micro-channe plate,MCP)是负电子亲和势光电阴极微光像增强器的关键部件之一,其工作状态对负电子亲和势光电阴极微光像增强器的性能有严重影响,通过对无膜MCP及镀有不同厚度防离子反馈膜的MCP在不同阴极电压下、不同MCP电压下增益的测试与分析,最终确定出防离子反馈MCP的最佳工作电压:①对于负电子亲和势光电阴极像增强器用无膜MCP,其最佳工作电压为:当阴极电压大于一定值Vc1时,MCP增益几乎不变,说明此时的阴极电压Vc1为无膜MCP的最佳工作电压;当MCP电压为某一特定值Vm1(阴极电压为大于Vc1的任一值)值时,MCP出现增益,但增益值很低,当MCP电压大于(Vm1+100V)值时,MCP增益较大(大于20 000),可认为板压为(Vm1+100V)值为无膜MCP最佳工作板压;②对于同种材料的带膜MCP,其最佳工作电压为阴极电压Vc=无膜MCP的最佳阴极电压Vc1与防离子反馈膜的阈值电压的代数和,MCP电压为Vm > (Vm1+100V),具体值应根据防离子反馈MCP增益值的线性工作区来确定。该文的研究对防离子反馈MCP的最佳工作电压的确定及对负电子亲和势光电阴极像增强器性能的提高具有重要的意义。 相似文献
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气体火花开关以其工作电压高、功率容量大、结构简单等优点,在脉冲功率技术中得到了广泛的应用。但这种开关工作在高功率重复频率状态时,由于电极的很快烧蚀,影响了开关性能,限制了其寿命。因此,抑制电极烧蚀、寻找耐烧蚀的电极材料是提高高功率重复频率气体开关工作寿命的关键,也是本文研究的内容。 相似文献
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建立了移动式37Ar测量系统.采用1 L的正比计数探测器和能谱分析方法对37Ar的测量进行了研究.分析了计数管的坪长、坪斜和本底等特点.结果表明,相比传统的计数方法,采用电子能谱法测量37Ar具有直观、坪长长、坪斜小等优点.相比传统的总计数方法,采用峰本底的方法可以将本底降低约一个量级,从而降低37Ar的探测下限.并研究了工作气体中不同甲烷含量对37Ar的测量能谱和计数管工作电压的影响,结果表明,加入10%的甲烷能够较好的改善37Ar的峰形,当甲烷含量大于10%时,峰形基本保持不变,而甲烷的含量较高时,达到坪区需要较高的工作电压. 相似文献
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锂离子电池自1991年推出以来得到迅猛发展,广泛用作各种电子器件的电源。近年由于能源和环境问题日益突出,电动汽车(EV)和混合电动汽车(HEV)日益受到重视,其关键是高功率密度电池。现有的二次电池中,锂离子电池是最适合的车用动力电池。提高锂离子电池功率的一个主要途径是提高正极材料的工作电压。因为正极材料的工作电压越高,电池的比功率就越高,就更适合用作电动汽车的动力电池。 相似文献
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基于一步掩模法工艺制备了一种新型的纸上双电荷层超低压薄膜晶体管. 在室温射频磁控溅射过程中, 仅仅利用一块镍掩模板, 就可同时沉积出氧化铟锡(ITO)源漏电极和ITO沟道. 在此基础上, 以等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)合成的具有双电荷层效应的微孔SiO2为栅介质, 成功制备出以纸为衬底的超低压氧化物薄膜晶体管. 这种晶体管显示出极好的性能: 超低的工作电压1.5 V, 场效应迁移率为20.1 cm2/Vs, 亚阈值斜率为188 mV/decade, 开关电流比为5× 105. 这种基于全室温一步掩模法工艺制备的纸上氧化物薄膜晶体管具有工作电压低, 工艺简单, 成本低廉等优点, 非常有望应用于未来便携式低功耗电子产品的制造中. 相似文献