TZT/AC/PMMA体系光谱烧孔及激光诱导的填孔效应的研究

报道四苯并卟啉锌/芳晴/有机玻璃TZT/AC/PMMA体系光化学烧孔的光谱稳定性、多重烧孔及激光诱导的填孔效应。 关键词：     

k-树的补图的最小填充和树宽

一个图的最小填充问题是寻求边数最少的弦母图,一个图的树宽问题是寻求团数最小的弦母图,这两个问题分别在稀疏矩阵计算及图的算法设计中有非常重要的作用．一个k-树G的补图G称为k-补树．本文给出了k-补树G的最小填充数f(G) 及树宽TW(G)．     

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs4Sb12晶体中由于导电电子与Ce3+ 4f1电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs4Sb12物理性质,如近藤绝缘体行为、Ce3+磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs4Sb12进行测量时,可以得到不同温度下CeOs4Sb12的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs4Sb12中存在近藤相互作用,其作用强度为3.1 meV,证实了CeOs4Sb12为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs4Sb12德拜温度为317 K.     

填充式方钴矿化合物CeOs4Sb12近藤相互作用的非弹性中子散射研究

CeOs₄Sb₁₂晶体中由于导电电子与Ce³⁺ 4f¹电子之间存在c-f杂化作用导致费米面附近存在能量间隙.这种c-f近藤相互作用和能量间隙是理解CeOs₄Sb₁₂物理性质，如近藤绝缘体行为、Ce³⁺磁矩在低温下猝灭以及重费米性等电、磁性质的关键.当用LAM-D中子谱仪对粉末CeOs₄Sb₁₂进行测量时，可以得到不同温度下CeOs₄Sb₁₂的非弹性中子散射谱.结果表明CeOs₄Sb₁₂中存在近藤相互作用，其作用强度为3.1 meV，证实了CeOs₄Sb₁₂为近藤绝缘体.中子测量得出CeOs₄Sb₁₂德拜温度为317 K. 关键词： 非弹性中子散射 填充式方钴矿 近藤绝缘体     

介孔网络电路

用二次阳极氧化法制备纳米多孔氧化铝板,然后用磁控溅射方式在纳米多孔氧化铝板表面镀金得到介孔网络电路,对该介孔网络电路进行输运测量,发现其具有非线性电阻.     

大口径光束波前采样器(孔栅)的研制

应用平面波角谱理论，分析了采样器对光波场采样和分光的基本原理以及对空间采样频率的选择规则，描述了实际研制的大口径采样器的结构设计，并通过数值方法和高能激光大气传输实验研究了高能激光经采样器前／后的远场光斑分布关系。结果表明：利用光束波前采样器能高保真地实现对高能激光束的分光。     

二次阳极氧化方法制备有序多孔氧化铝膜

通过二次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜与一次阳极氧化方法制备多孔氧化铝膜孔排布规律性的对比 ,结果发现 ,二次阳极氧化方法制取的多孔氧化铝膜孔排布规律性明显好于一次阳极氧化法制取的多孔膜 .在几个微米范围内 ,孔呈理想的六角排布 .去除一次阳极氧化膜后 ,二次阳极氧化得以在更良好的表面进行 ,制取的氧化铝膜孔规律性和有序度更高 .有序区域的尺寸与晶粒内的亚晶大小有一定关系     

掺杂偶氮苯聚合物光致异构Z扫描测量及其理论解释

用He_Ne激光对掺有偶氮苯聚合物DR 13的PMMA薄膜样品进行Z扫描研究 ,发现其折射率改变量与光强的关系存在着饱和效应 ,且线偏振光引起的折射率改变明显大于圆偏振光引起的折射率改变 .对于这些现象 ,用光致异构的角烧孔机理进行解释     

强流离子束离子径向密度分布的模拟研究

对初始分布为K-V分布的离子束进行模拟研究.除观察到存在束晕现象外，还发现离子束在通 道内运行过程中，离子沿径向密度分布发生了变化. 通过延迟反馈控制，不仅可以消除束晕 ，而且只要控制参数适当，也可以使束中心部分呈均匀分布状态. 关键词： 强流离子束 束晕 填充因子 离子密度分布     

关于Zd中离散填充指标的注记

探讨了Z^d中离散填充指标的一些性质，给出了Z^d中离散填充维数的一个等价定义．