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采用生长ZnS和ZnSe单晶膜的AP-MOCVD系统,以电子级二甲基锌(DMZn)和电子级10%稀释在H2中的H2Se和H2S为原材料,二次钯管净化的氢气为载气,衬底选用(100)GaAs和(111)CaF2,以微机程序控制电气线路的开关,交替生长ZnS和ZnSe薄层,制备出了垒宽和阱宽都为10nm,周期为100的ZnS—ZnSe超晶格多量子阱结构。  相似文献   
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