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1.
研究各种无侵袭电光采样技术,尤其是研究电信号在半导体中的传播技术是有意义的。通常是根据施加电场所引起的寻常光线和非常光线的指数变化来讨论电光效应,这种变化与外加电场成正比。调制电场和光场之间电光晶体中的相互作用产生光场的垂直分量。把电光晶体放在交叉偏振器之间,这种效应可以转换为一种强度调制。  相似文献   
2.
HIRFL–CSR加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失   总被引:1,自引:1,他引:0  
研究了重离子加速器中束流与真空中剩余气体的碰撞损失过程和碰撞截面,在依据大量实验数据的基础上,提出了一组计算离子一原子的电荷交换截面的经验公式.以兰州重离子加速器HDRFL及冷却储存环CSR为例,给出了依据碰撞截面的公式计算束流在加速器真空中的传输效率的方法,并计算了在不同真空度下HIRFL的ECR源轴向注入束运线、注入器SFC、前束运线、主加速器SSC和后束运线等不同加速阶段及CSR的传输效率,并提出合理的真空度要求.HIRFL的真空分布测量和束流的损失测量证明了该计算方法的可靠性.  相似文献   
3.
固体间界面的物理模型和界面对声波的反射   总被引:4,自引:0,他引:4  
王耀俊 《物理》2002,31(12):768-772
简要描述了模拟两固体间界面特性的弹簧模型,该模型最早是根据静力学方法提出的,后来用固体间界面薄层的声波反射方法加以改进,从界面弹簧模型可以方便地得到界面外近似边界条件,其中包含界面“弹簧”振子的劲度常数和质量,文章还给出了两相间固体中界面声反射系数的表达式,介绍了测量界面劲度常数的超声反射谱方法。最后讨论了仍关声波与界面相互作用研究领域中最近的一些研究进展。  相似文献   
4.
利用室温下压电调制反射光(PzR)谱技术系统测量了N掺杂浓度为0.0%—3%的分子束外延生长GaNxAs1-x薄膜,并对图谱中所观察的光学跃迁进行了指认.在GaN0.005As0.995和GaN0.01As0.99薄膜的PzR谱中观察到此前只在椭圆偏振谱中才看到的N掺杂相关能态E11N.当N掺杂浓度达到 关键词: 压电调制反射光谱(PzR) xAs1-x薄膜')" href="#">GaNxAs1-x薄膜 分子束外延(MBE)  相似文献   
5.
6.
提高微晶硅薄膜太阳电池效率的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备了系列微晶硅薄膜太阳电池,指出了气体总流量和背反射电极的类型对电池性能参数的影响.电池的I-V测试结果表明:随反应气体总流量的增加,对应电池的短路电流密度、开路电压和填充因子都有很大程度的提高,结果使得电池的光电转换效率得以提高.另外,ZnO/Ag/Al背反射电极能明显提高电池的短路电流密度,进而也提高了电池的光电转换效率.对气体总流量和背反射电极类型影响电池效率的原因进行了分析. 关键词: 微晶硅薄膜太阳电池 气体流量 ZnO/Ag/Al背反射电极  相似文献   
7.
矩阵损失下回归系数的线性估计的可容许性   总被引:1,自引:0,他引:1  
针对广义的Gauss-Markoff模型Y=Xβ+θ,E(θ)=0,Cov(θ)=σ2V,其中X和V>0是已知的n×p和n×n矩阵;β∈Rp和σ2>0是未知参数,给出了矩阵损失条件下,Sβ的估计LY+a在非齐次线性估计类中可容许的充要条件.  相似文献   
8.
全内反射荧光显微术应用于单分子荧光的纵向成像   总被引:4,自引:0,他引:4       下载免费PDF全文
王琛  王桂英  徐至展 《物理学报》2004,53(5):1325-1330
利用这种显微术中激发场的纵向强度呈指数衰减的分布特性,测得的荧光强 度将强烈依赖渗透深度(强度衰减到1/e时的距离),从而快速直接的确定单分子荧光 团间的纵向间隔、每个荧光团的纵向绝对位置和荧光团的半径大小,即实现荧光分子三维分 布的重构.在整个重构的过程中,只需要改变一次入射角的大小,即只需探测两幅荧光分子 的全内反射成像. 关键词: 全内反射荧光显微术 纵向重构  相似文献   
9.
利用激光溅射 分子束的技术 ,结合反射飞行时间质谱计 ,研究了Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇的气相化学反应。结果显示这三种金属离子与 (CH3 CH2 SH) n 反应形成一系列团簇离子M+(CH3 CH2 SH) n,且团簇离子尺寸不一样。Ag+、Au+与乙硫醇的反应还生成了 (CH3 CH2 SH) +n ,由此推测Cu+、Ag+、Au+与乙硫醇团簇的反应存在两种通道 ,一种通道是生成M+(CH3 CH2 SH) n,另一种是生成 (CH3 CH2 SH) +n 。Cu+、Au+与乙硫醇的反应还生成了M+(H2 S) (M =Cu、Au) ,但是实验中没有观察到Ag+(H2 S) ,理论计算表明Ag+(H2 S)很不稳定。另外 ,分析产物离子M+(CH3 CH2 SH) n 的强度发现 ,n =1~ 2之间存在明显的强度突变现象  相似文献   
10.
光线反射过程的矩阵表达方法   总被引:3,自引:1,他引:2       下载免费PDF全文
潘汉军  刘娅 《应用光学》2004,25(4):9-13
分析反射线交面方程的特点,引入了反射矩阵并分析其实质意义,导出描述反射过程的最简单的反射矩阵,为反射过程基于数学运算软件的自动运算及求取多反射平面连续反射时反射线交面方程的运算提供了依据和方法。  相似文献   
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