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1.
为了满足“神光”-Ⅲ装置对大批量大口径光学元件的需求,解决加工精度以及加工效率等方面的问题,对计算机控制光学表面成型技术(CCOS)进行了多方面的研究。在对平面数控软件进行了深入的研究工作后,结合高精度干涉检测手段,对数控工艺软件进行了大幅的改进。 相似文献
2.
金属的电抛光应用越来越广泛.但电抛光机理至今仍不很清楚.我们曾用 XPS 和AES 研究了不同槽电压下电抛光铜表面的组成和物种,确认其表面均为纯铜,不存在含磷固体膜.本文用 XPS 研究电抛光液中1-羟基乙叉-1,1-膦酸(HEDP)浓度、抛光液的 pH 及其接受体(H_3PO_4,HEDP 和 HEDP H_3PO_4)变化时铜的表面组成,并进一步证明,电抛光时形成的粘液膜是水溶性膜,铜表面在不同抛光条件下并不形成难溶的含磷固体膜.通过电子能谱对固化后粘液膜组成和深度分布的研究确定,粘液膜可能是铜的多核聚合混合配体配合物,其组成可近似地表示为[Cu_4(PO_4)(HEDP)]_n. 相似文献
3.
水合醋酸铈直接热分解制备超细氧化铈及其抛光性能 总被引:3,自引:0,他引:3
Ultra fine ceria was prepared by calcining hydrate cerium acetate. The effects of pyrolysis temperature on the particle size, morphology, specific surface area and loose packing density of ceria were investigated, and the removal rate of optical glasses polishing by ceria was determined. The results show that with the increase of pyrolysis temperature, the loose deposit density and crystallinity increases and the specific surface area decreases, however, the particle size decreases firstly and then increases, the minimum medium particle size D50 is 0.47 μm at pyrolysis temperature of 1 000 ℃. The SEM images of ceria prepared by the decomposition at 800 ℃ or at 1 100 ℃ show porous powders or quasi-sphere small particles with loosely agglomeration, respectively. It was found that the removal rate varied with pyrolysis temperature in preparation of ceria and the property of glass polished. The removal rate for three kinds of glasses was in the order of ZF7> F1> K9, and the maximum value appeared at around 1 000 ℃ for ZF7 and F1, and at around 1 100 ℃ for K9. 相似文献
4.
火焰抛光是一种运用于光学玻璃零件深加工的新技术,通过分析温度对光学零件表面粗糙度(透过率)的影响,以及温度对光学零件表面面型的影响,制定电加热的光学零件火焰抛光工艺方法,并通过正交实验制定K9光学零件的火焰抛光工艺参数。本项技术的实施可大幅度降低成本,并减轻劳动强度,提高工效,有推广应用价值。 相似文献
5.
赵世杰谢瑞清廖德锋陈贤华王健 《强激光与粒子束》2015,(6):171-176
针对高平均功率固体激光器对Nd:YAG晶体板条的技术需求,进行了Nd:YAG晶体板条低透射波前误差加工技术研究。详细分析了光学加工过程中引起板条端面透射波前畸变的误差来源,并提出工艺技术解决方案。实验结果表明,在板条抛光阶段通过采用合成盘硬抛光工艺以及新的工件装夹技术,能够解决传统板条加工工艺在面形及楔角精度方面可控性差的问题,更容易实现Nd:YAG晶体板条的低透射波前误差加工。对于150mm×30mm×2.5mm规格的Nd:YAG晶体板条元件,端面透射波前畸变PV值达到0.74λ。 相似文献
6.
7.
次级电子倍增效应引起的输出窗失效问题往往给微波器件造成灾难性的影响, 是限制微波器件功率进一步提升的瓶颈. 以S波段高功率盒形窗为研究对象, 针对盒形窗内无氧铜金属边界与陶瓷介质窗片相对的区域, 建立了研究法向电场作用下次级电子倍增效应的Monte-Carlo模型. 通过拟合这两种材料间双面次级电子倍增以及单面次级电子倍增效应的敏感曲线, 对次级电子倍增发展特点进行详细分析, 获得了金属与介质之间的次级电子由双面倍增向单面倍增演变的规律. 相似文献
8.
针对磁流变抛光过程中抛光轨迹会引入迭代误差的问题,设计了步长和行距随光学表面梯度自适应变化的光栅线抛光轨迹。首先根据光学元件的表面误差分布,利用标准五点法获得面形各点的梯度值,再基于聚类离散思想将所有面形点根据梯度值大小进行了归类,从而得到轨迹步长和行距随面形误差变化的自适应轨迹。在自研的磁流变加工机床上进行了实验研究,将一块直径50mm的微晶玻璃,从峰谷值为65nm、均方根值为12nm收敛到峰谷值为21nm、均方根值为2.5nm,并且在加工后的表面功率谱密度曲线上没有出现明显的尖峰误差。实验结果表明,这种自适应轨迹能有效抑制中高频误差。 相似文献
9.
10.
本文通过固结磨料球与KDP晶体对磨的单因素试验探究固结磨料球中反应物种类、磨粒浓度、反应物浓度、基体硬度对摩擦系数、磨痕截面积和磨痕处粗糙度的影响,试验结果表明:KHCO3固结磨料球对磨后磨痕对称性好,磨痕处的粗糙度值低;磨痕截面积随磨粒和反应物浓度的增加而增大,随基体硬度的增大而降低;磨痕处粗糙度随磨粒和反应物浓度的增加先降低后上升,随基体硬度的增大先上升后降低;摩擦系数受磨粒和反应物浓度影响不明显,随基体硬度的增大而降低。选择KHCO3作为反应物,Ⅰ基体,磨粒浓度为基体质量的100%,反应物浓度为15%制备固结磨料球与KDP晶体对磨后的磨痕轮廓对称度好且磨痕处粗糙度值低,以该组分制备固结磨料垫干式抛光KDP晶体,可实现晶体表面粗糙度Sa值为18.50 nm,材料去除率为130 nm/min的高效精密加工。 相似文献