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2.
本文提出了一个含有两类相互作用的准自旋模型,讨论了模型Hamilton量在SU(2)×SU(2)基中的严格解、基态相变和波函数的K结构,并用此模型探讨了HF近似的有效性。 相似文献
3.
4.
根据GaN氢化物气相外延生长(HVPE)的原理,设计制作了双温区卧式HVPE系统.根据实际生长中出现的问题和CaN样品的测试情况,对系统进行了逐步的调试和改进. 相似文献
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6.
This paper reports that the m-plane GaN layer is grown on (200)-plane LiAlO2 substrate by metal-organic chemical wpour deposition (MOCVD) method. Tetragonal-shaped crystallites appear at the smooth surface. Raman measurement illuminates the compressive stress in the layer which is released with increasing the layer's thickness. The high transmittance (80%), sharp band edge and excitonic absorption peak show that the GaN layer has good optical quality. The donor acceptor pair emission peak located at -3.41 eV with full-width at half maximum of 120 meV and no yellow peaks in the photoluminescence spectra partially show that no Li incorporated into GaN layer from the LiAlO2 substrate. 相似文献
7.
利用脉冲激光淀积法(PLD)在α-Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜, 通过ZnO和α-Al2O3固相反应制备了具有ZnAl2O4覆盖层的α-Al2O3衬底. X射线衍射谱(XRD)表明ZnAl2O4薄膜随反应时间由单一(111)取向转变为多晶取向, 然后变为不完全的(111)择优取向. 同时扫描电子显微镜(SEM)照片表明ZnAl2O4表面形貌随反应时间由均匀的岛状结构先变为棒状结构, 然后再变为突起的线状结构. 另外, XRD谱显示低温制备的ZnAl2O4在高温下不稳定. 在ZnAl2O4覆盖的α-Al2O3衬底上利用光加热低压MOCVD法直接生长了GaN薄膜. XRD测量表明随ZnAl2O4厚度增加GaN由c轴单晶变为多晶, 单晶GaN的摇摆曲线半高宽为0.4°. 结果表明薄ZnAl2O4覆盖层的岛状结构有利于GaN生长初期的成核, 从而提高了GaN的晶体质量. 相似文献
8.
9.
Spectral property and its shape transition on ^72-84Kr isotopes in microscopic core plus two-quasiparticle approach 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
By using a microscopic sdIBM-2 2q.p, approach, the levels of the ground-band, 7-band and partial two-quasi-particle bands for ^72-84Kr isotopes are calculated. The data obtained are in good agreement with the recent experimental results, and successfully reproduce the nuclear shape phase transition of ^72-S4Kr isotopes at zero temperature.The ground-state band is described successfully up to J^π=18^ and Ex=10.0MeV. Based on this model, the aligned requisite minimum energy has been deduced. The theoretical calculations indicate that no distinct change of nuclear states is caused by the abruptly broken pair of a boson, and predict that the first backbending of Kr isotopes may be the result of aligning of two quasi-neutrons in orbit g9/2, which galus the new experimental support of the measurements of g factors in the ^78-86Kr isotopes. 相似文献
10.
High-Average-Power Nanosecond Quasi-Phase-Matched Single-Pass Optical Parametric Generator in Periodically Poled Lithium Niobate 总被引:2,自引:0,他引:2 下载免费PDF全文
A pulsed nanosecond optical parametric generator (OPG) in periodically poled lithium niobate (PPLN) crysal is presented. The pump laser is an acousto-optically Q-switched Nd:YVO4 laser with the maximum average power of 6.58 W. When the repetition rate is 50kHz and the pulse width of the pump source is 80ns, the maximum average total output power of the single-pass PPLN OPG is about 1.9 W, which includes 1.322 W of 1.536μm signal radiation. The length of the PPLN crystal is only 38.7mm (at room temperature) with a grating period of 28.93μm (at room temperature). The 1.502-1.536μm signal radiation and 3.652-3.465μm idler radiation are obtained by adjusting the PPLN crystal temperature from 155℃ to 250℃. 相似文献