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陈玮玮 《工程物理研究院科技年报》2004,(1):226-227
触发管作为一种高压开关,基于其导通时间短,可承受数千安培脉冲电流等特点被广泛应用于触发器、快脉冲产生器及大电流脉冲发生器中。随着系统精良小型化的发展需求,相应对触发管导通时间、脉冲电流和导通时间晃动等参数也提出了更高的要求。 相似文献
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通过制作亲碳性铟锡氧化物(ITO)/Ti复合电极,改善移植型碳纳米管(CNT)冷阴极的导电电极与CNT膜层之间附着性能,从而消除CNT与电极间的界面势垒和非欧姆接触对CNT阴极场发射均匀性和稳定性的影响.采用磁控溅射技术和丝网印刷工艺制作了ITO/Ti基CNT阴极.用X射线衍射仪和场致发射扫描电子显微镜表征CNT阴极结构,结果显示热处理后的ITO/Ti基CNT阴极中可能有TiC相生成,从而使得导电电极与CNT形成有中间物的强作用体系.该体系降低甚至消除电极与CNT之间的界面势垒,增加了CNT与电极间形成欧姆接触的概率.用四探针技术分析电阻率,结果表明ITO/Ti复合电极具有电阻并联效果,CNT阴极导电性能提高.场致发射特性测试表明ITO/Ti基CNT阴极的场致发射电流达到384μA/cm2,较普通ITO基CNT阴极的场致发射电流有显著提高,能够激发测试阳极发出均匀、稳定的高亮度荧光.制作ITO/Ti复合电极是实现场致发射稳定、均匀的低功耗CNT阴极的有效途径. 相似文献
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设计了产生高功率电子束所常用的冷阴极二极管的一种结构模型,用数值计算方法进行了研究。讨论了二极管的结构参数和外加磁场对管内束流及束品质的影响,得到了此模型的一组较好的配合参数,并对结果进行了讨论。 相似文献
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实现了一种采用聚苯乙烯纳米球自组装技术和微机械制造技术加工的场发射阴极用亚微米栅极微孔阵列。设计了一套完整的工艺实验方案,首先采用微球自组装技术获得了亚微米级金属网孔掩膜,然后通过反应离子刻蚀技术获得了亚微米栅极孔阵列,从而实现了集成度高、分布均匀的周期性亚微米孔洞阵列的制备,微孔集成度达到108cm-2。实验研究了氧气刻蚀聚苯乙烯微球的规律。采用金属掩膜,四氟化碳干法刻蚀二氧化硅,获得了深度为500 nm的微孔。实验结果证明该工艺方案是一种获得大面积、均匀分布、集成度高的场发射冷阴极栅孔阵列的有效方法。 相似文献
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铝酸盐绿色荧光粉制备工艺与发光性能关系的研究 总被引:5,自引:1,他引:5
采用高温固相法制备了CeMgAl11O19:Tb (CMAT)荧光粉, 系统研究了该荧光粉的制备工艺与发光性能的关系, 并对不同结果进行了分析. 研究表明, 铝含量适当过量有利于荧光粉发光亮度的提高; 在1400~1550 ℃的范围内, CMAT的发光亮度呈稳定的上升趋势, 这表明在一定的范围内, 温度越高越有利于材料的结晶; MgF2可以取代目前工业生产中普遍采用的传统助熔剂H3BO3, 起到很好的激活晶格形成, 促进晶粒生长的效果. 相似文献