A Two-Dimensional Photonic Crystal Slab Mirror with Silicon on Insulator for Wavelength 1.3μm

A concrete two-dimensional photonic crystal slab with triangular lattice used as a mirror for the light at wavelength 1.3μm with a silicon-on-insulator （SOI） substrate is designed by the three-dimensional plane wave expansion method. For TE-like modes, the bandgap in the Г-K direction is from 1087nm to 1559nm. The central wavelength in the bandgap is about 1.3μm, hence the incident light at wavelength 1.3μm will be strongly reflected. Experimentally, such a photonic crystal slab is fabricated on an SOI substrate by the combination of EBL and ICP etching. The measurement of its transmission characteristics shows the bandgap edge in a longer wavelength is about 1540 nm. The little discrepancy between the experimental data and the theoretical values is mainly due to the size discrepancy of the fabricated air holes.     

《中国光学》投稿须知

正1征稿范围本刊征集反映国内外光学、光电子学、光学技术应用的最新科学理论、研究成果、前沿技术和发展动态的原创性论文、技术报告、阶段性研究报告和综合评述等。2稿件要求来稿应信息准确、论点鲜明、实验数据可靠、条理清晰、文字精炼,一般在6000字左右为宜,综述性论文可适当放宽。具体要求如下:     

《中国光学》投稿须知

1征稿范围 本刊征集反映国内外光学、光电子学、光学技术应用的最新科学理论、研究成果、前沿技术和发展动态的原创性论文、技术报告、阶段性研究报告和综合评述等。     

2012年湖北省光学学术年会征文通知

为促进我省光学光电子学领域的学术交流,加强我省光学光电子行业的技术创新和产业进步,推动武汉东湖国家自主创新示范区的建设,＂2012年湖北省光学学术年会＂和＂湖北省光学学会第七次会员代表大会＂定于2012年7月上、中旬在湖北省通山县召开。     

《中国光学》投稿须知

1征稿范围本刊征集反映国内外光学、光电子学、光学技术应用的最新科学理论、研究成果、前沿技术和发展动态的原创性论文、技术报告、阶段性研究报告和综合评述等。2稿件要求来稿应信息准确、论点鲜明、实验数据可靠、条理清晰、文字精炼,一般在6000字左右为宜,综述性论文可适当放宽。具体要求如下:     

新型高色纯度弱电流猝灭性蓝色有机发光器件

以ADN为基质,分别以不同掺杂剂制备了四种蓝色有机发光器件,器件结构为:CuPc(12 nm)/NPB(40 nm)/AND∶Dopant(50 nm)/Alq(12 nm)/LiF(4 nm)/Al。掺杂剂有:BCzVB(amino-substituted distyrylarylenederivatives)、TBPe、BCzVBi和DSA-ph四种。研究了最佳掺杂浓度以及器件的亮度、电流密度、效率和色坐标等电学特性和光学特性。其中掺杂BCzVB制备了色纯度高、低电流猝灭性的蓝色有机发光器件,色坐标达到x=0.146,y=0.162,最大亮度为11600 cd/m2(15 V),电流效率为2.8 cd/A,流明效率为1.79 lm/W;以ADN为基质,分别以TBPe、BCzVBi和DSA-ph为掺杂剂,制备了另外三种对比器件。器件ADN∶TBPe色坐标为x=0.162,y=0.222(蓝绿光),效率随电流的增加而降低很快;器件ADN∶BczVBi有较好的色纯度(色坐标:x=0.164,y=0.146),但电流效率较低:2.03 cd/A,效率随电流的增加降低幅度也较快。器件ADN∶DSA-ph效率较高为8 cd/A,效率随电流增加变化幅度不大,但色纯度比较差(x=0.153,y=0.306),适合于做白色有机发光器件。     

铟封前后透射式GaAs光电阴极光谱响应特性的测试与分析

利用自行研制的光谱响应测试仪工程化样机,对透射式GaAs光电阴极在高温激活结束、低温激活结束以及铟封成管后的光谱响应特性进行了测试。结果显示,铟封后阴极整个响应波段的光谱响应下降,长波响应受到最显著的影响,表现为800~815 nm之间长波响应大幅度衰减,截止波长和峰值波长向短波移动,峰值响应和积分灵敏度减小,最终的光谱响应曲线变得平坦。阴极参量的计算结果反映铟封后阴极的表面逸出几率降低,说明铟封引起阴极表面激活层发生变化,使得能量较低的长波段光生电子不容易逸出,阴极长波响应和灵敏度随之降低。进一步分析了铟封过程中影响阴极表面激活层的因素。     

多棱锥镜产生多光束干涉场的理论和实验研究

提出了一种使用多棱锥镜和多棱台镜产生多束相干光形成二维和三维光学格子的方法。理论分析和数值模拟了多束轴对称平面波干涉产生的二维及三维点阵结构的特性,得到了光场分布随光束数增加的关系,发现随着干涉光数目的增加,干涉场会复杂变化,当棱锥棱数足够多近似于一个圆锥时,干涉场会变为同心圆结构的贝塞尔光束的场分布。实验上使用多棱锥和多棱台镜进行了多光束干涉实验,得到了多束轴对称平面波干涉形成的光学格子,将数值模拟与实验结果进行了比较,二者完全吻合。     

折射率连续周期分布一维光子晶体的带隙分析

微分传输矩阵法(DTMM)可以解析求解一维非均匀介质中的波动方程。用该方法,对几种折射率连续且周期分布的一维光子晶体进行了带隙分析。结果表明,折射率连续变化的一维周期结构也具有明显的带隙特征,折射率变化越平缓,光带隙的宽度越小。对于折射率正弦变化的一维光子晶体,其折射率变化得越剧烈,光子晶体的中心频率越小,带隙越宽;同时,折射率的平均值越大,中心频率越小,带隙越窄。由于材料的物理特性都是连续变化的,同样可以把结构推广到一维周期性功能梯度材料。     

双缺陷模一维光子晶体的双光子吸收增强研究

采用真空镀膜工艺制备了具有762 nm和800 nm双缺陷模的含两个CdS缺陷层的TiO2/SiO2一维光子晶体,运用抽运探测技术测量了其双光子吸收。对于两个缺陷模,双光子吸收均得到很大的增强,其中缺陷模为800nm时的双光子吸收系数307 cm/GW要大于缺陷模为762 nm时的116 cm/GW,分别为单层CdS薄膜的48倍和18倍。这种双光子吸收的增强是由于光局域化导致一维光子晶体缺陷层内的电场强度增大而形成的。通过传输矩阵法计算了一维光子晶体的内部场强,发现800 nm波长光入射时缺陷层内的电场强度要大于762 nm波长光入射时的电场强度值。