SPECTRUM-PRESERVING ELEMENTARY OPERATORS ON B（X）

1.IntroductionLetXbeaninfinitedimensionalcomplexBanachspaceandB(X)theBanachalgebraofallboundedlinearoperatorsonX.ForTEB(X),a(T),asusual,willdenotethespectrumofT.Let4bealinearmapfromB(X)intoitself.4isspectrum-preservingifa(di(T))=a(T)forallTEB(X);4isspectrum-compressingifa(4(T))ga(T)forallTEB(X).Itisclearthatif4isunital(i.e.,ac(I)=I),thenacisspectrum-preserving(spectrum-compressing)ifandonlyif4preservesinvertibilityinbothdirections(preservesinvertibility),i.e.,4(T)isinvertibleifando…     

压力淬火过程中锗的相结构研究

 应用高压原位差热方法，直接测量了压力下锗的固化参数─—固化温度与过冷度。高压差热信号表明，当压力大于3 GPa时，锗在凝固过程中可能发生结构相变。X射线结构分析表明，在最终的样品中除GeⅠ相外，还形成GeⅢ相和GeⅣ相。     

人体中的伯努利方程

本文从设计实验入手,形象诠释伯努利原理,并从物理学角度出发,根据人体体液流动的实际情况,运用伯努利原理及经典的伯努利方程,从人体血液循环、房水循环的压力形成和改变方面,把物理学的基本理论运用于分析人体体液压力的变化。     

合肥光源高亮度模式Lattice设计

介绍了一组合肥光源新高亮度模式的Lattice. 新的设计维持了储存环上所有元件和光束线位置不变,也没有加入新的元件. 取得了较低发射度. 所有直线节处的垂直方向β函数值都很小，适合插入件的运行. 跟踪计算表明新Lattice具有足够大的动力学孔径用于注入和储存粒子.     

光压效应及其应用

 一、光压效应光的本质是电磁波,电磁波不仅具有能量,而且具有动量。设光子速度为c,频率为v,波长为λ,则光子的能量和动量分别为:E=hv.     

中国三大加速器工程

 1983年3月我曾以这个题目,在纪念中国物理学会成立五十周年大会上做过报告,介绍我国这三个规模宏大的科研工程的建造、进展的情况.当时与会同志对我国在科教经费总的偏低的情况下对基础研究的支持感到欣慰,对通过这三个工程表现出的技术水平和能力,产生了深刻印象.当然,也不是完全没有不同的看法.现在这三台装置,已经先后建成出束,性能达到国际水平,即将在我国研究与应用领域发挥巨大的作用,为我国许多空白学科创造了发展的条件,这是多么令人精神振奋的事情啊！     

ZnSe及ZnSe/GaAs异质结构中压力导致的直接禁带向间接禁带的转变

用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明，同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同，ZnSe的X点导带底具有正的压力系数，但比г点的压力系数小，这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响，表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。     

厚度对非极性聚合物薄膜驻极体电荷储存及电荷动态特性的影响

以Du Pont公司的商用Teflon FEP A型薄膜为例，通过热脉冲技术、等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电电流谱分析等实验结果，讨论了经常温和高温电晕充电后样品厚度对薄膜驻极体的沉积电荷密度、薄膜驻极体的内电场、体电导率以及电荷储存稳定性的影响.通过热脉冲技术组合电导率温度曲线的测量，研究了在不同温度条件下样品厚度对沉积电荷层的平均电荷重心移动的影响.结果表明：在充电参数一定的条件下，随着膜厚的降低，储存电荷密度上升，但电荷稳定性有所下降.因此，合理地调控薄膜厚度，可以有效地优化驻极体的电荷储存能 关键词： 厚度 驻极体 电荷储存能力 电荷稳定性     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.