邻硝基乙酰苯胺衍生物的XPS振起伴峰及其价带谱的研究

研究了一组邻硝基乙酰苯胺衍生物的X射线光电子能谱(XPS).观察到硝基的N1s光电子谱有明显分裂,可认为是N1s振起伴峰的反映,而且苯环上的取代基对该振起伴峰强度有影响,按照Pignataro等关于振起伴峰与主峰的能量分离以及分子内电荷转移有关的观点,计算了振起伴峰与主峰的面积比.结果表明,峰间距与面积比的趋势一致.因此二者都可作为分子内电荷转移的粗略估计.     

基于BiOCl-Fe2O3@TiO2介孔复合材料的光电化学合成氨性能研究

传统合成氨工艺存在能耗高、污染严重的问题. 因此, 高效、低能耗绿色合成氨工艺的开发迫在眉睫. 光电化学以H₂O和N₂为原料, 可以在太阳光驱动下, 在常温常压条件下实现氨的合成, 因而受到广泛重视. 但总的来说, 效率和产率都达不到实际要求. 新型高效催化剂及工艺的开发是提高合成氨产率及效率的关键. 非贵金属催化剂具备成本低、来源广泛、可操作性强的优势, 有利于光电化学合成氨的产业化. 本实验采用溶胶凝胶结合原位热裂解的方法制备了分散性好、结构均匀的BiOCl-Fe₂O₃@TiO₂复合材料, 对其物相、微观结构、表面状态、光学性能、电学性能等方面进行了系统表征, 并探究了该材料在常温常压下光电化学合成氨的催化活性. 结果表明, 同纯介孔TiO₂相比_, BiOCl-Fe₂O₃@TiO₂的吸收带隙变窄, 可见光吸收能力增强, 光生载流子的利用率增加, 光电合成氨的产率提升了7倍, 且BiOCl-Fe₂O₃@TiO₂显示了优异的化学稳定性. 本研究工作为绿色合成氨催化材料及工艺设计提供了新思路.     

单轴〈111〉应力硅价带结构计算

基于k·p微扰法计算了单轴〈111〉应力作用下硅的价带结构, 并与未受应力时体硅的价带结构进行了比较. 给出了单轴〈111〉应力作用下硅价带顶处能级的移动、分裂以及空穴有效质量的变化情况. 计算所得未受应力作用时硅价带顶处重空穴带、轻空穴带有效质量与相关文献报道体硅有效质量结果一致. 拓展了单轴应力硅器件导电沟道应力与晶向的选择范围,给出的硅价带顶处重空穴带、轻空穴带能级间的分裂值和有效质量随应力的变化关系可为单轴〈111〉应力硅其他物理参数的计算提供参考. 关键词： 单轴应力硅 k·p法')" href="#">k·p法 价带结构     

Spectra and Spin Polarization of the Valence Band Auger Emission from Cr （100） Surface

Calculations have been carried out on spin-polarized Auger electron emission from a seven-layer chromium (lO0)-film. The core and valence states concerning the Auger transition are obtained from a self-consistent full-potential linearized augmented plane wave calculation by using a repeated slab geometry. The calculations refer to experiments on the L3M23 V- and L3 VV-transRions that have recently been carried out by Heinzmann et al. The Auger spectrum obtained for the L3VV transition agrees relatively well with our calculations, whereas the observed L3M23V-Auger structure is considerably wider than that predicted by our theory. Nevertheless, the spin-polarization in the latter case, which is about -13%, is in fair agreement with the experiment, different from the L3VV-transition where the experiment yields -10% as opposed to the theoretical value of -25%. We give possible reasons for the origin of these discrepancies.     

窄禁带半导体材料中共振缺陷态测量

运用量子电容谱测量技术，在窄禁带半导体材料InSb和HgCdTe价带和导带中分别发现了两个共振缺陷态．根据建立的实验模型研究了这些共振缺陷态的特性 关键词：     

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)₁(InP)₁(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△E_v)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词：     

Effects of Magnetic Field on the Valence Bond Property of the Double—Quantum—Dot Molecule

The effects of the magnetic field on the valence bond property of the double-quantum-dot molecule are numerically studied by the finite element method and perturbation approach because of the absence of cylindrical symmetry in the horizontally coupled dots.The calculation results show that the energy value of the ground state changes differently from that of the first excited state with increasing magnetic field strength,and they cross under a certain magnetic field.The increasing magnetic field makes the covalent bond state change into an ionic bond state,which agrees qualitatively with experimental results and and makes ionic bond states remain.The oscillator strength of transition between covalent bond states decreases distinctly with the increasing magnetic field strength,when the molecule is irradiated by polarized light.Such a phenomenon is possibly useful for actual applications.     

国内多孔硅研究近况

 硅和砷化镓的电子结构不同.前者属于间接带隙半导体,电子在价带和导带间的跃迁需要伴随声子的吸收或发射;而砷化镓属于直接带隙半导体,电子可以直接在价带和导带间跃迁.正是由于这个原因,砷化镓的发光效率远远大于硅.目前半导体光电器件均由砷化镓等直接带隙半导体制成.多孔硅是在单晶硅表面上制成的厚度约1-10μm的薄膜,其中含有百分之几十的孔隙,孔隙的横向直径很小,其量级为10nm,而高度可达μm量级.多孔硅在硅器件上有一定的应用前景.多年来不断有论文发表.     

用深能级瞬态谱方法研究赝晶Si/Ge0.25Si0.75/Si单量子阱的价带偏移

应变的Ge_xSi_1-x层和未应变的硅层间的能带偏移主要是价带偏移。量子阱中载流子的热发射能与界面的能带偏移有着密切的关系。本文用深能级瞬态谱(DLTS)研究分子束外延生长的p型Si/Ge_0.25Si_0.75/Si单量子阱的价带偏移,阱宽为15nm,考虑到电场的影响和量子阱中第一子能级的位置,对从DLTS得到的热发射能进行适当的修正,可以计算出Si/Ge_0.25Si_0.75/S 关键词：     

应变Ge空穴有效质量的各向异性与各向同性

在利用k·p微扰理论获得应变Ge/Si_1-xGe_x价带E（k）-k关系的基础上,研究得到了（001）,（101）,（111）面应变Ge/Si_1-xGe_x沿不同晶向及各向同性的价带空穴有效质量.结果显示,应变Ge/Si_1-xGe_x沿各晶向的带边有效质量随应力增大而减小,且沿[010]晶向最小;子带空穴有效质量在应力较大时变化不明显,并且在数值上与带边空穴有效质量相差不大.最后利用各向同性有效质量与文献结果进行比对,验证了结果的正确性.