理解磁通量和磁通量变化率的方法

在高中物理中磁通量和磁通量变化率好似一对孪生姐妹,学生在理解时往往混淆两个物理量的异同,特别是在交流电一章的学习过程中,线圈在磁场中转动,为什么磁通量最大时,磁通量的变化率最小;在磁通量最小时,磁通量的变化率反而最大.针对这个问题,笔者采用了两种方法进行分析,收到了很好的效果.     

换个角度讲解"uL=-eL"

对纯电感电路，中等职业学校教材是这样分析“uL=-eL”：电路图如图1所示，假定通过线圈的电流是按初相等于零的正弦交流电，即i=Im sinωt，它将产生自感电动势eL，根据图1所假定的电压uL、小自感电动势eL、电流i的正方向，运用基尔霍夫回路电压定律，沿回路顺时针（或逆时针）方向绕行一周，     

电流计在交流电演示中的共振问题

主要讨论了磁电式电流计在输入低频交流电时发生的共振现象 ,分析影响磁电式电流计灵敏程度 (指针最大偏转角αm 大小 )的主要因素。     

非对称电极表面微观形貌对交流电渗流速的影响

经典交流电渗理论是利用电场进行非机械式微流体驱动的基础.传统理论交流电渗理论以双电层理论为基础,通过耦合电场方程以及流场方程得到微电极表面交流电渗流速表达式,通常与实验流速相差较大. 以电极表面微观形貌对交流电渗流速的影响为研究目标,定义微电极表面粗糙度为微观形貌特征参数,建立了等效双电层模型,并对传统交流电渗流速公式进行了修正.理论并仿真分析了表面粗糙度对于交流电渗流速的影响,利用非对称电极对交流电渗微流体驱动进行了实验研究,并进行对比分析.结果表明,理论分析与实验结果具有较好的一致性. 关键词： 交流电渗 电极表面粗糙度 等效双电层     

为什么变压器会发出嗡嗡声？

变压器可以将交流电的电压作出变换，但它中心的偏转磁轭常会发出讨厌的嗡嗡声．近来瑞士Bern大学和位于苏黎士的ETH实验室的Straessle T博士的研究组首次对这个问题的微观机理进行了阐述、     

交换稀土La^3^＋离子NaY型分子筛的交流电导

本文用Ｘ－射线衍射，原子吸收光谱，差热热重，化学分析等方法测定了交换Ｌａ＾３＾＋离子ＮａＹ分子筛的物相及组成，用交流阻抗谱仪测量了其离子电导。由电导率随温度的变化，得到ＮａＹ和ＬａＮａＹ的电导表观活化能为４９．６ＫＪ／ｍｏｌ和４１．３ＫＪ／ｍｏｌ。讨论了交换Ｌａ＾３＾＋离子对分子筛骨架结构中的钠离子分布，落位及其扩散迁移的影响。     

利用图解法求交流电的有效值

物理学中，一个物理量与另一个物理量的关系通常可用图形表示出来，利用该图形的物理意义可求解其他的物理量．如力学中速度与时间的关系曲线用图形表示出来，称为速度一时间图像．利用速度一时间图像，可求做匀速直线运动或匀变速直线运动的质点在任意时间内的位移．用类似的方法，也可求交流电的有效值．     

关于“电感和电容对交流电的影响”实验改进与自制

人教版普通高中课程标准实验教科书《物理·选修3—2》第五章第3节电感和电容对交流电的影响,课本上的演示实验效果不是十分理想：通过多方面的实践探究,不断总结经验,笔者设计和自制了两块实验板,分别就电感、电容对交流电影响进行研究,采取两灯泡明暗对比法,效果明显直观．     

Analyses of temperature-dependent interface states,series resistances,and AC electrical conductivities of Al/p Si and Al/Bi_4Ti_3O_(12)/p Si structures by using the admittance spectroscopy method

In this study, Al/p-Si and Al/Bi4Ti3O12/p-Si structures are fabricated and their interface states （Nss）, the values of series resistance （Rs）, and AC electrical conductivity （σac） are obtained each as a function of temperature using admit- tance spectroscopy method which includes capacitance-voltage （C-V） and conductance-voltage （G-V） measurements. In addition, the effect of interfacial Bi4Ti3012 （BTO） layer on the performance of the structure is investigated. The voltage- dependent profiles of Nss and Rs are obtained from the high-low frequency capacitance method and the Nicollian method, respectively. Experimental results show that Nss and Rs, as strong functions of temperature and applied bias voltage, each exhibit a peak, whose position shifts towards the reverse bias region, in the depletion region. Such a peak behavior is attributed to the particular distribution of Nss and the reordering and restructuring of Nss under the effect of temperature. The values of activation energy （Ea）, obtained from the slope of the Arrhenius plot, of both structures are obtained to be bias voltage-independent, and the Ea of the metal-ferroelectric-semiconductor （MFS） structure is found to be half that of the metal-semiconductor （MS） structure. Furthermore, other main electrical parameters, such as carrier concentration of acceptor atoms （NA）, built-in potential （Vbi）, Fermi energy （EF）, image force barrier lowering （△φb）, and barrier height （φb）, are extracted using reverse bias C 2-V characteristics as a function of temperature.     

对《交流电作用下的电解过程探究》的商榷

通过实验探究交流电作用下电解氯化钠、氯化铵、氯化铁溶液,发现在一定条件下可以产生氯气,并从理论上简要分析交流电电解时电极的过程表现,对“交流电电解以电能转化为热能为主,交流电作用下OH-比Cl-容易放电”等结论提出不同看法。