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1.
3.
覆盖曲面的不等式及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
孙道椿 《数学年刊A辑(中文版)》1997,(1)
本文运用改良Ahlfors的覆盖曲面定理,首先精确了Tsuji的二个不等式.然后用几何方法导出了一个相当广泛的正规定理.它以著名的A.Bloch正规定理及P.Montel正规定理为特例. 相似文献
4.
5.
介绍了新颖的纳米结构亚波长光学器件的特点,从器件的基本功能特性和工作机理两个方面详细讨论了其应用状况,并阐述了纳米制造技术对亚波长光学器件发展的重要推动作用及这一领域今后的研究热点。 相似文献
6.
在计算机视觉理论基础上发展起来的视觉检测(vision inspection)技术具有非接触、速度快、精度适中、可实现在线等优点,已广泛地应用于工业产品的在线检测。在计算机视觉检测技术中CCD摄像机是一个最关键的器件,其参数是否准确决定了检测的精度。所以,摄像机标定是视觉检测技术中最基本的也是最重要的一步。在比较其他标定方法的基础上,为了解决传统标定方法对螺纹图像测量系统所带来的一系列问题,采用了一种新的图像测量系统的标定方法——网格式平行线标定方法,该方法运用了CCD亚像素细分技术及调焦技术,可直接得到纵横2个方向的像素,经过理论分析及实验结果均表明,采用该方法具有标定简单、精度高、重复性好等优点,是一种较好的螺纹图像测量系统标定方法。 相似文献
7.
设f是非常数亚纯函数,g是f的线性微分多项式.a和b是f的两个不同的小函数.本文证明如果f和g几乎CM分担a和b,则f≡g;此外,若f是非常数整函数,且f和f(k)(k≥1)IM分担a和b,b-a≠Peλz,测f≡g. 相似文献
8.
本文给出Riccati方程及另外一类具有代表性微分方程的亚纯解(n,1)级的上界估计,在一定条件下确立了文[2]中的猜测的正确性。 相似文献
9.
用经验赝势方法计算了体ZnSe以及ZnSe/GaAs单异质结系统中ZnSe外延层г、X、L等特殊对称点导带底能量随压力的变化。结果表明,同Si、Ge、GaAs等半导体材料不同,ZnSe的X点导带底具有正的压力系数,但比г点的压力系数小,这是ZnSe材料以及ZnSe基异质结构材料发生直接禁带向间接禁带的转变时所需转变压力较大的根本原因。研究了ZnSe/GaAs异质结构中晶格失配造成的应变对外延层г、X、L对称点压力系数的影响,表明这种晶格失配造成的应变可以极大地减小ZnSe外延层材料由直接禁带向间接禁带的转变压力。 相似文献
10.
Structural and Electrical Characteristics of Pb(Zr0.53,Ti0.47)O3 Thin Films Deposited on Si (100) Substrates 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively. 相似文献