首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   3556篇
  免费   454篇
  国内免费   1394篇
化学   2557篇
晶体学   63篇
力学   126篇
综合类   90篇
数学   996篇
物理学   1572篇
  2024年   37篇
  2023年   136篇
  2022年   118篇
  2021年   76篇
  2020年   72篇
  2019年   99篇
  2018年   57篇
  2017年   100篇
  2016年   108篇
  2015年   130篇
  2014年   224篇
  2013年   197篇
  2012年   230篇
  2011年   232篇
  2010年   239篇
  2009年   216篇
  2008年   214篇
  2007年   172篇
  2006年   185篇
  2005年   244篇
  2004年   276篇
  2003年   280篇
  2002年   254篇
  2001年   238篇
  2000年   159篇
  1999年   116篇
  1998年   108篇
  1997年   121篇
  1996年   91篇
  1995年   121篇
  1994年   102篇
  1993年   98篇
  1992年   91篇
  1991年   87篇
  1990年   70篇
  1989年   69篇
  1988年   11篇
  1987年   13篇
  1986年   4篇
  1985年   4篇
  1984年   2篇
  1983年   1篇
  1982年   2篇
排序方式: 共有5404条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
3.
4.
5.
直接置换法制备包覆型纳米铜-银双金属粉末   总被引:5,自引:0,他引:5       下载免费PDF全文
 以AgNO3为主盐,采用直接置换法初步制备了包覆型纳米铜-银双金属粉末,分析了工艺条件对包覆效果的影响,并用透射电子显微镜、X射线能量色散谱仪和X射线衍射仪进行了表征。实验结果表明:纳米铜-银双金属粉末为包覆型结构,平均粒径约70 nm,分散性较好,表面银的原子分数达到74.28%。在洗涤过程中加入一定量的保护剂,有效解决了纳米铜粉的氧化问题。  相似文献   
6.
“更相减损术”是我国古代数学中求二整数最大公因数的方法 .古典名著《九章算术》卷一在谈到分数分子分母约去公因数有“置分母子之数 ,以少减多 ,更相减损求其等也 .以等数约之 .”这里的“等数”就是所说分母分子的最大公因数 .所谓“更相减损求其等”就是置两个整数 ,以少减多 ,反复相减 ,直到二数相等就得到它们的最大公因数 .例如 ,求 91 ,49的最大公因数(91 ,49) .我们有(91 ,49) =(91 -49,49) =(4 2 ,49)=(4 2 ,7) =…… =(7,7) =7刘徽说 :“其所以相减者 ,皆等数之重叠 .”数91 ,49都是等数 7的重叠 .对于初学者来说 ,“更相减损求…  相似文献   
7.
按照教育部最近拟订的《普通高中“研究性学习”实施指南(试行)》的要求,在普通高中实施“研究性学习”,已作为必修课程列入了课程计划,其表现形式之一是“专题探究学习”,定义为:学生在教师指导下,以类似科学研究的方法  相似文献   
8.
本讲主要讨论函数图象的三种变换:平移、对称、翻折,并介绍如何利用函数的图象解题。  相似文献   
9.
王欣  李家荣 《中国科学A辑》2002,33(6):548-555
采用含有Debye屏蔽和阻尼效应的胶子谱函数, 在实时温度QCD理论的框架下计算了夸克胶子等离子体中有效二圈热力学势, 得到了依赖于胶子屏蔽和阻尼作为物理参数的解析结果. 数值计算表明, 我们的结果与格点QCD理论计算的最新结果在温度T≥2Tc时相符.  相似文献   
10.
ZnO thin films were prepared on p-type Si (100) substrates by the sol-gel process. The influence of Ag doping at a content of 0.002% on the photoluminescence and current-voltage (I - V) characteristics of ZnO thin films has been investigated. It is found that Ag doping leads to a pronounced increase in the intensity of near band edge emission at 3.23eV and a remarkable red shift of the visible broadband at room temperature. The I - V characteristics of ZnO/p-Si heterojunctions are also changed. These results could be explained by Ag substituting for Zn in Ag doped ZnO thin films.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号