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1.
A new method for constructing infinite families of k-tight optimal double loop networks 总被引:2,自引:0,他引:2
CHEN Xiebin Department of Mathematics Information Science Zhangzhou Teachers College Zhangzhou China 《中国科学A辑(英文版)》2006,49(4)
The double loop network (DLN) is a circulant digraph with n nodes and outdegree 2. DLN has been widely used in the designing of local area networks and distributed systems. In this paper, a new method for constructing infinite families of k-tight optimal DLN is presented. For k = 0,1,…,40, the infinite families of k-tight optimal DLN can be constructed by the new method, where the number nk(t,a) of their nodes is a polynomial of degree 2 in t and contains a parameter a. And a conjecture is proposed. 相似文献
2.
PECVDSiON薄膜的工艺控制,性质及其潜在应用 总被引:2,自引:1,他引:1
研究了等离子增强化学气相淀积氮氧化硅薄膜的工艺控制、性质以及薄膜波导在超大规模集成电路光互连中的潜在应用。 相似文献
3.
介绍超大规模集成电路(VLSI)波导(?)互连技术的最新进展,并预测其发展方向,以及如阿解决存在的实际问题。 相似文献
4.
强非局域空间光孤子是指满足强非局域条件的空间孤子.在Snyder和Mitchell工作的基础上,获得了不共面对称斜入射(1+2)维强非局域空间光孤子对相互作用问题的精确解析解.结果表明,光束初始中心距离在大范围尺度内变化时,双孤子的演化都能形成类似DNA结构的稳定缠绕,这种稳定缠绕的结构与双孤子的初始相位差无关;光束中心在横截面上的投影轨迹一般是一个斜椭圆,通过改变两光束的初始中心距离和倾斜度可以控制该椭圆轨迹的变化.指出了利用(1+2)维强非局域空间光孤子的相互作用特性实现平面全光开关和全光互联的潜在可能性.
关键词:
(1+2)维非局域非线性介质
空间光孤子的相互作用
全光开关
全光互联 相似文献
5.
Yoshiteru Amemiya Tomohiro Tokunaga Yuichiro Tanushi Shin Yokoyama 《Optical Review》2009,16(3):247-251
Electric-field drive optical modulators using a Si ring resonator were fabricated on silicon-on-insulator (SOI) wafers. The
fabricated resonators consisted of Si waveguides with width and thickness of 1.0 and 0.3 μm, respectively. In order to induce
the linear electro-optic (EO) effect in the Si core layer, the strain was applied by covering the layer with Si3N4 film (0.26 μm thick) deposited by low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) at 750 °C. The vertical electric-field was
applied to the Si waveguide through the top and bottom cladding layers, and the optical output from the drop port at the resonance
wavelength was measured. At a wavelength of 1501.6 nm, the optical modulation of 33% was obtained at 200V (electric-field
at the silicon surface ∼3 × 105 V/cm, nearly the breakdown field). The resonance wavelength was shifted toward the short wavelength side by applying both
positive and negative voltages, this shift was explained by carrier concentration modulation. The linear EO effect in the
Si core layer was not observed, presumably because the strain in the Si core layer was too small. 相似文献
6.
多光束全息互连元件往往需要大量的耦合波方程才能描述。本文通过分析记录时生成的互调制光栅的性质及其对衍射的影响,对问题进行适当的简化。通过解不同条件下的耦合波方程、分别给出了多光束全息图在各种不同情况下的衍射效率的近似解析表达式,展示了衍射效率与各实验参量之间的关系。为进一步研究多光束全息互连元件的性质、比较各种条件下的效率以及各参量对总体效率的影响,提供了方便。 相似文献
7.
8.
随着铜互连以及low-k电介质在超大规模集成电路中地广泛使用,low-k电介质的机械完整性及其对互连可靠性变得更加重要。影响介电膜的机械完整性和互连可靠性的因素包括介电膜的工艺制程,芯片与封装材料的相互影响,以及环境温度和湿度的影响。本文研究集中于了解环境温度和湿度对塑封硅器件中介电薄膜的可靠性影响。采用快速温度和湿度实验条件,对塑封硅器件中介电薄膜受水分和温度损伤的敏感性进行了分析。运用商业有限元(FEA)分析软件,对水分在塑封材料和硅器件中的扩散过程进行了建模及仔细分析。并对硅器件周边密封圈的防水分扩散效力进行了研究。通过这一系列实验与分析,对塑封硅器件中介电薄膜的温湿效应有了完整地了解,并提出和建立了相关的物理模型和经验公式。运用这物理模型和经验公式可对在各种使用环境温度和湿度条件下,塑封硅器件中介电薄膜的可靠性进行评估及分析。 相似文献
9.
在铜(Cu)和非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)之间插入30 nm厚的钼(Mo)接触层, 制备了具有Cu-Mo源漏电极的a-IGZO薄膜晶体管(TFT). Mo接触层不仅能够抑制Cu与a-IGZO有源层之间的扩散, 而且提高了Cu电极与玻璃基底以及栅极绝缘层的结合强度. 制备的Cu-Mo结构TFT与纯Cu 结构TFT相比, 具有较高的迁移率(~9.26 cm2·V-1·s-1)、更短的电流传输长度(~0.2 μm)、更低的接触电阻(~1072 Ω)和有效接触电阻率(~1×10-4Ω·cm2), 能够满足TFT 阵列高导互联的要求. 相似文献
10.