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4.
R(Fe,Si)12(R=Y,Nd)型稀土永磁材料具用重要的实际应用价值,然而对于V(Fe,Si)12化合物微观机理的理论计算工作至今尚未开展。采用新近发展的全势能线性缀加平面波((L)APW)+局域轨道(10)和广义梯度近似(GGA)密度泛函方法对其结构与磁性进行了研究。 相似文献
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横观各向同性液体饱和多孔介质中平面波的传播 总被引:11,自引:2,他引:11
基于孔隙介质的Biot理论1,研究了横观各向同性液体饱和多孔介质中平面波的传播特性。首先导出了波传播的特征方程并给出了其解析解,结果显示:有4种不同波速的平面体波传播;第一准纵波,第二准纵波,准横波和反平面横波。文中给出了波速和衰减的解析表达式,数值计算了频散曲线和衰减曲线,并讨论了各类准体波位移之间的耦合关系。 相似文献
8.
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用金属离子注入方法在锐钛矿TiO2薄膜中掺杂了V+,采用全势线性缀加平面波方法计算了锐钛矿TiO2及V+掺杂TiO2超原胞的电子结构,通过紫外-可见吸收光谱测试方法检测了注入不同剂量的V+对TiO2薄膜吸收光谱的影响.理论计算和实验结果表明,锐钛矿TiO2薄注入V+后,带隙宽度变小,吸收光谱发生红移,并且TiO
关键词:
+注入')" href="#">V+注入
2')" href="#">TiO2
全势线性缀加平面波方法
能带结构 相似文献
10.
采用平面波法(PWM)计算一维光子晶体的带隙结构。分别就构造一维光子晶体结构的高低折射膜层的介电常数及填充比(高折射膜层的厚度与晶体周期长度的比值)对禁带带隙宽度的影响作出分析。通过最小二乘曲线和曲面拟合得到带宽与介电常数或带宽与填充比的函数关系图,以确定最佳的禁带带宽,从而设计一维光子晶体的周期结构。对高低折射膜层为GaAs/空气组成的一维光子晶体,介电常数比约为13/1,当填充比为0.16时,计算得禁带带宽为0.2564×2πc/Λ,禁带的中心频率为0.3478×2πc/Λ,与实验数据吻合。 相似文献