介质折射率对一维三元光子晶体带隙的影响

利用光学传输矩阵法,数值模拟了一维二元、三元光子晶体的带隙结构,得出:三元光子晶体的主带隙略宽于二元光子晶体的主带隙;三元光子晶体的主带隙主要取决于最高折射率的介质和最低折射率的介质,而与居于两者之间的介质关系不大,并作出了相应的关系曲线。最后推导了三元光子晶体的色散关系。     

不可逆热电制冷循环的性能优化准则

考虑了热电制冷循环中热阻、热漏和焦耳热等主要不可逆性，引入了特征参量功率消耗比r，借助装置设计参量X表征了内、外不可逆性，利用有限时间热力学建立了制冷功率、制冷系数与特征参量之间的基本优化关系，导出了协调制冷功率与制冷系数的参量r、X以及电流I的优化准则。     

特征与可解性

本文研究了具有不可约特征x使得x(1)²=|G:Z(G)|成立的群G的可解性,并证明了:对于这样的群G,当|Irr(G)|≤4时,G是可解群;当4<|Irr(G)|≤6时,在某些条件下,G是有解群.     

区间中立型大系统的强壮稳定性

本文讨论中立型大系统,获得了这类问题稳定性的一些充分判据,作为特殊情况,还得到了与[1-11]中相应的一些不同的结果.这些结果并不象文献[1]和[2]那样,要求a_(ii)的上界q_(ii)小于零.     

可变抽样区间的非参数控制图

最近几年一些学者研究了可变抽样区间的质量控制图。Amin等提出了可变抽样区间(VSI)的非参数控制图———符号 (Sign)统计量图〔1〕。本文在此基础上研究位置VSI符号控制图的制定方法 ,并设计离散VSI符号控制图。符号控制图的优点是对非正态总体亦可应用 ,并且不需要过程方差的信息。本文将所设计的VSI符号控制图同固定抽样区间 (FSI)的常规图作比较 ,并举实例说明符号控制图的应用     

不完全信息群体决策专家权重的集结

本文对于属性权重信息和属性效用信息都不完全的群体多属性决策问题，通过构造属性值区间和运用系统聚类分析法，对群体决策中的专家进行分类，并确定每位专家的权重．     

时变线性系统特征根判稳的推广

本文研究了二维时变线性系统零解的稳定性，给出了一些允许系数矩阵主对角元变号，系数矩阵特征根变号的判定稳定性的充分条件。     

ROBUST GLOBAL EXPONENTIAL STABILITY OF UNCERTAIN IMPULSIVE SYSTEMS

By using the quasi-Lyapunov function, some sufficient conditions of global exponential stability for impulsive systems are established, which is the basis for the following discussion. Then, by employing Riccati inequality and Hamilton-Jacobi inequality approach, some sufficient conditions of robust exponential stability for uncertain linear/nonlinear impulsive systems are derived, respectively. Finally, some examples are given to illustrate the applications of the theory.     

《毛细管电色谱理论基础》

毛细管电色谱作为一种新型微分离分析技术,其分离过程具有多种机理协同作用的特征。对于毛细管电色谱的理论研究不仅要考虑系统的电属性,还要兼顾溶质的两相分配特征。该书系统地阐述了毛细管电色谱的基本理论,讨论了分离过程中影响峰展宽的因素及其规律。基于作者发展的弛豫理     

Structural and Electrical Characteristics of Pb（Zr0.53,Ti0.47）O3 Thin Films Deposited on Si （100） Substrates

Pb(Zr0.53, Ti0.47)O3 (PZT) films were directly deposited on Si substrates without a buffer layer by pulsed laser deposition. Only(110)-oriented PZT peaks (other than Si substrate peaks) were observed from the XRD data. The electrical properties of the PZT/Si capacitor were characterized in terms of both the capacitance versus voltage (C-V) and current versus voltage (I-V) measurements. The clockwise trace of the C-V curve shows ferroelectric polarization switching, as is expected. From the I-V curves, the Schottky emission and spacecharge-limited-current behaviour are found to be the mainly leakage current mechanism in a certain electric field range in the negative and positive bias, respectively.